The invention discloses a SrCuSi4O10 dielectric ceramics with adjustable temperature coefficient and its preparation method and application. The SrCuSi4O10 dielectric ceramics are based on SrCuSi4O10 dielectric ceramics and 0.5-2.0% LiF sintering additives are added. The sintering temperature of SrCuSi4O10 dielectric ceramics is successfully reduced from 1100 C to 900 C, and the dielectric constant is 5.88 and the dielectric loss is 1.6*10.
【技术实现步骤摘要】
一种温度系数可调的硅酸锶铜系介质陶瓷及其制备方法和应用
本专利技术涉及陶瓷组合物
，特别是涉及一种温度系数可调的硅酸锶铜系介质陶瓷及其制备方法和应用。
技术介绍
现代电子信息技术向高频、高稳定、低损耗方向的快速发展，对关键电子元件材料—介质陶瓷的性能提出了更高的要求。为了满足此要求，低介电常数、低损耗、近零的温度系数、低成本的介电陶瓷材料成为当今研究的一个热点方向。以低温共烧陶瓷(low-temperatureco-firedceramic,LTCC)技术为基础的多层结构设计可有效减小器件体积，是实现元器件向小型化、集成化以及模块化的重要途径。LTCC技术要求介质材料能与高导电率和廉价的银电极(961℃)实现共烧。因此，要求对于使用在微波元器件上的介质材料的烧结温度要在950℃以下。SrCuSi4O10是一种具有优越介电性能的新型的介质基板材料，原材料廉价可大幅降低成本，而且具有较低的介电常数(4.0)和介电损耗(1.0×10-3)，但是烧结温度为1100℃，而且具有较大的介电常数温度系数。其较高的烧结温度导致其不能运用于LTCC技术中，较大的介电常数温度系...
【技术保护点】
1.一种温度系数可调的硅酸锶铜系介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将SrCO3、CuO、SiO2原料，按化学式SrCuSi4O10进行配料，将原料、去离子水、磨球、加入聚酯罐中球磨；(2)将步骤(1)球磨后的原料置于干燥箱中，于80～130℃烘干，烘干后过20‑40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)混合均匀的粉料自室温20‑25℃以每分钟3℃‑5℃的速度升温至950‑975℃预烧4‑5小时，煅烧后随炉冷却；(4)将步骤(3)得到的预烧后的陶瓷粉料放入聚酯罐中，外加质量百分比0.5～2.0％的LiF和质量百分比0％～24.0％的TiO2与煅烧后的粉...
【技术特征摘要】
1.一种温度系数可调的硅酸锶铜系介质陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将SrCO3、CuO、SiO2原料，按化学式SrCuSi4O10进行配料，将原料、去离子水、磨球、加入聚酯罐中球磨；(2)将步骤(1)球磨后的原料置于干燥箱中，于80～130℃烘干，烘干后过20-40目筛，获得颗粒均匀的粉料；(3)将步骤(2)混合均匀的粉料自室温20-25℃以每分钟3℃-5℃的速度升温至950-975℃预烧4-5小时，煅烧后随炉冷却；(4)将步骤(3)得到的预烧后的陶瓷粉料放入聚酯罐中，外加质量百分比0.5～2.0％的LiF和质量百分比0％～24.0％的TiO2与煅烧后的粉体混合，球磨、烘干、造粒，过60-80目筛，再用粉末压片机成型为坯体；(5)将步骤(4)的坯体于自室温20-25℃以每分钟3℃-5℃的速度升温至825～925℃烧结，保温4～8小时，然后随炉冷却，制得硅酸锶铜系介质陶瓷。2.如权利要求1所述的一种温度系数可调的硅酸锶铜系介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)中LiF的质量百分比为1.0％，TiO2的质量百分比为15.0％～24.0％。3.如权利要求1所述的一种温度系数可调的硅酸锶铜系介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中原料：去离子水：磨球的质量比为1:(15-17):(14-16)，球磨时间为4～8小时；所述步骤(4)中球磨时加入去离子水和氧化锆球，球磨4～8小时，...
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