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一种立方相CaGa2O4化合物的高温高压制备方法技术

技术编号:20233383 阅读:502 留言:0更新日期:2019-01-29 20:16
本发明专利技术的一种立方相CaGa2O4化合物的高温高压制备方法,属于发光材料制备的技术领域。制备方法是以碳酸钙粉和氧化镓粉为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得CaGa2O4材料;所述的高温高压合成,是在高温高压装置上进行,在压力为5.0GPa、温度为1323~1673K下保温保压15~30分钟。本发明专利技术方法制备出了具有面心立方晶体结构的CaGa2O4;是在无水,无改良剂环境中进行的,产物纯度高;所采用的高温高压设备目前在国内被大量用来生产金刚石,其操作简单,有利于较快地实施和大规模生产。

A Method for Preparing Cubic CaGa2O4 Compounds at High Temperature and High Pressure

The invention relates to a high temperature and high pressure preparation method of cubic CaGa2O4 compound, belonging to the technical field of luminescent material preparation. The preparation method of CaGa2O4 material is based on calcium carbonate powder and gallium oxide powder as raw materials, through mixing and pressing, assembling, high temperature and high pressure synthesis, cooling and pressure relief process. The high temperature and high pressure synthesis is carried out on high temperature and high pressure device, holding and pressing for 15-30 minutes at pressure of 5.0 GPa and temperature of 1323-1673 K. The method of the invention has prepared CaGa2O4 with face-centered cubic crystal structure, which is carried out in the environment without water and improver and has high purity of the product. The high temperature and high pressure equipment used in the invention is currently widely used in the production of diamond in China, and its operation is simple, which is conducive to rapid implementation and large-scale production.

【技术实现步骤摘要】
一种立方相CaGa2O4化合物的高温高压制备方法
本专利技术属于发光材料制备的
具体涉及钙镓氧化物的立方相,以碳酸钙(CaCO3)、氧化镓(Ga2O3)为原料,利用高温高压合成技术制备CaGa2O4立方相的方法。
技术介绍
随着社会的不断进步,科技的飞速发展,发光材料早已成为广泛应用中占有重要地位的一类材料。目前随着新型发光材料的不断出现,对现代工业技术进步起着巨大的推动作用。特别是电致发光具有低能耗、小体积、表面显示等特点,是仪器仪表照明、平面显示器件制造的重要原料。钙镓氧化物(CaGa2O4)具有很高的化学稳定性,并且表现出良好的持久发光性能,是非常有前景的电致发光材料。目前已有晶体结构报道的α-和β-CaGa2O4,均属于斜方晶系,空间群分别为Pna21和P21/c。1980年报道的HP-CaGa2O4,具有反尖晶石结构,属于正交晶系,空间群为Pnam。由于同一种材料具有不同的晶体结构,会表现出不同的物理、化学性质,因此具有崭新晶体结构的材料是极有可能产生新的光、电效应,这对于发光材料的发展研究及潜在应用具有重要的意义。本专利技术通过高温高压方法制备出新结构的立方相钙镓本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种立方相CaGa2O4化合物的高温高压制备方法,是以碳酸钙粉和氧化镓粉为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得CaGa2O4材料;其特征在于,所述的混料压块,是将碳酸钙粉和氧化镓粉按摩尔比1∶1进行混合,按合成腔体大小压成块状;所述的组装,是先将块状样品外包裹氮化硼管,再装入石墨管加热容器,最后放入叶蜡石合成腔体中;所述的高温高压合成,是在高温高压装置上进行,在压力为5.0GPa、温度为1323~1673K下保温保压15~30分钟;所说的冷却卸压,是停止加热后自然冷却至室温后卸压。

【技术特征摘要】
1.一种立方相CaGa2O4化合物的高温高压制备方法,是以碳酸钙粉和氧化镓粉为原料,经混料压块、组装、高温高压合成、冷却卸压的工艺过程制得CaGa2O4材料;其特征在于,所述的混料压块,是将碳酸钙粉和氧化镓粉按摩尔比1∶1进行混合,按合成腔体大小压成块状;所述的组装,是先将块状样品外包裹氮化硼管,再装入石墨管加热容器,最后放入叶蜡石合成腔体中;所述的高温高压合成,是在高温高压装置上进行,在压力为5.0GPa、温度为1323~1673K下保温保压15~30分钟;所说的冷却卸压,是停止加热后自然冷却...

【专利技术属性】
技术研发人员:王欣刘嘉煜吕焘陶强朱品文
申请(专利权)人:吉林大学
类型:发明
国别省市:吉林,22

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