一种硒整流片制备工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种硒整流片制备工艺。其硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成。由于本发明专利技术利用半导体硒作为主要材料，采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上，形成硒片半导体元件，增强了整流及过载保护，延长了半导体元件寿命，从而达到节能降耗的目的。

【技术实现步骤摘要】
一种硒整流片制备工艺
：本专利技术涉及广泛用于工业电子电气系统整流及过载保护的一种硒整流片制备工艺。
技术介绍
：硒具有光敏性和半导体性，在电子工业中常被用来制造光电池、感光器、激光器件、红外控制器、光电管、光敏电阻、光学仪器、光度计、整流器等。硒在电子工业领域的应用约占总需求的30％。硒的重要特征是具有典型的半导体性质，可用于无线电波的检波和整流，硒整流器具有耐负荷，耐高温，电稳定性好等特点。硒整流片是硒堆、电涌吸收器、半导体整流元件的核心零件，其功能、性能取决于原材料质量和工艺制备过程。而目前整流片加硒工艺制备过程还十分不成熟，将硒涂敷在整流片上工艺过于简单，因而致使半导体元件整流及过载保护过低，从而缩短了半导体元件寿命。
技术实现思路
：本专利技术所要解决的技术问题是提供了利用半导体硒作为主要材料，采用特殊工艺过程将硒涂敷在整流片上，形成硒片半导体元件，增强了整流及过载保护，延长了半导体元件寿命，达到节能降耗的一种硒整流片制备工艺。本专利技术解决技术问题所采用的技术方案是：一种硒整流片制备工艺的硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硒整流片制备工艺，其特征是：硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成，其具体工艺制备过程为：(1)所述的切片：是将大张铝板切成0.8mm×1015mm×2040mm尺寸，切料过程中严禁划伤表面，铝板表面有氧化层不可剪切，大铝板在剪切前如有机械硬伤不可剪切；(2)所述的洗片：首先用汽油擦洗铝板表面油污，然后用碱水再擦洗铝板表面油污，擦洗好的铝板表面应光亮、无脏物，铝板划伤面积≥10mm2，应剔除，不允许流入下道工序；(3)所述的喷砂：其操作过程...

【技术特征摘要】
1.一种硒整流片制备工艺，其特征是：硒整流片是通过切片、洗片、喷砂、烘干、蒸发铋、硒制备、蒸发硒、回蒸片、预赋能、冲剪、熔合金、喷合金、联片、主赋能、倒角、冲击、电赋能、冲击、筛片、反向测量、成检包装和入库储存工艺制备而成，其具体工艺制备过程为：(1)所述的切片：是将大张铝板切成0.8mm×1015mm×2040mm尺寸，切料过程中严禁划伤表面，铝板表面有氧化层不可剪切，大铝板在剪切前如有机械硬伤不可剪切；(2)所述的洗片：首先用汽油擦洗铝板表面油污，然后用碱水再擦洗铝板表面油污，擦洗好的铝板表面应光亮、无脏物，铝板划伤面积≥10mm2，应剔除，不允许流入下道工序；(3)所述的喷砂：其操作过程为：首先接通除尘器电源，把石英砂倒入舱内，每班次加砂60kg，应在全班工作时间内分4次加入，每次约15kg，不得一次倒入，然后检查喷嘴，接通喷砂机联动机构电源，打开压缩空气阀门再将气压稳定在68.647～88.620KPa范围内，即可喷砂；喷砂后的铝板导入喷砂轮再取下，最后鉴定表面，铝板喷砂后应为浅灰色，表面不得有严重的黑痕和光点，如有亮光需39.227～88.260KPa气压重喷一次；(4)所述的烘干：其操作过程为：把铝板垂直装入烘干车，打开总开关和打开鼓风机，接通加热12KW全部开关。将装有铝板的烘干车推进炉中，工作前炉子先预热，关上炉门，15分钟内把炉温加热到175±5℃，保温2h，到达温度后，以4KW或2KW适当加热，进行恒温，烘干完毕后，断开加热开关，关闭鼓风机，断开总开关，拉出装片车；烘过的铝板自然冷却10～15分钟，放入装片车，与蒸发铋间隔时间≤4h，超过4h应放烘炉中保存，存片时间超过24h，应以100～120℃再次烘干30分钟；(5)所述的蒸发铋：其操作过程为：打开铋锅通气阀门，落下真空锅，并插上安全销，把装好铝板≤20张的框子，堆放在储存架上，加上盖板，挂上撑焊块，把小铋锅按号放入炉中，每锅铋重45g±1g；蒸发铋过程为关闭大预真空泵入气阀门，开启大预真空泵，打开大预泵通锅阀门，真空度达到2.666Pa时，打开扩散泵通锅阀门，关闭大预泵真空阀门，时刻与扩散泵并联，打开大预泵入气阀门，关闭大预泵和冷却水，调整铝板计数器；真空度达到0.666Pa时，接通铋锅加热开关，加热15分钟后自动蒸发，蒸发时间调至2～4分钟，并根据上一锅铋层，调整铋锅功率，记录蒸第一片、中间一片、最后一片的真空度，蒸完最后一片报声器鸣笛，关闭报声器开关、扩散泵阀门和加热电源，三十分钟后，打开通风阀门，落下真空锅，脱开转动离合器，取下挡片块，取出蒸发好的铋片放入装片车中，检验合格后送硒蒸发；铋片在制品存放≤6h，室内不允许存放有及微量的水银蒸汽和各种油类与易挥发物品，不可在铝板上造成划伤、机械损伤、油污、手印，不可使铝板变形；(6)所述的硒制备：其操作过程为：用天平称出两份70g的硒粉，一份倒在磨口三角烧杯中，用量筒量出15ml液体溴，倒在三角烧瓶中，倒速应缓慢且不断摇动，将烧杯中另一份70ml硒粉摇动慢慢倒入三角瓶中，然后盖上盖子，存放48h后，可配置添加硒；制添加硒，称出5kg硒，将其倒入不锈钢搅拌锅内，加热熔化，在300～350℃下搅拌2h，用夹钳夹住装有溴化硒三角瓶瓶口，在电炉上溶化后，倒入搅拌过的硒中，待硒冷却至290℃时，再不断搅拌5分钟，待上述硒溶液冷却至240～250℃后，分别倒入铝盘中，分别从第一、中间、最后三盘中取样，混合磨细后分为两份，并对其分析含溴量，含溴量一般控制在1％，用研钵将添加硒研磨成直径10mm以下的小块，装入有盖的黑色磨口瓶中，存放在凉爽的暗柜里；(7)所述的蒸发硒：其操作过程为：打开冷却水→操作台汇流排→铝皮加热电源预热1.5h～2.5h→硒炉加热电源，30分钟后打开通风阀门，落下真空锅，硒炉温度为280～300℃，关闭铝皮加热电源→操作加料开关，将硒炉驶至加料处，将硒装入炉槽中至0.8cm为止，将称重的铝板推进插片槽铋面向下，装上铝板盖子，操作停炉开关，将硒炉驶向停车处，用压缩空气关闭真空锅，打开真空电源；(8)所述的回蒸片：其操作过程为：蒸发过程为在真空泵开始工作后，打开大预真空泵阀门，抽真空10～20分钟后，打开铝皮加热电源，加热3～4分钟，加热功率为1.5KW，待真空度达到8Pa6×10-2时，操纵蒸发开关，接通炉车电源，关闭铝皮加热，开始蒸发，待到规定蒸发时间，蒸发时间一般为12～15分钟后，将炉车驶到停车处。硒层重量要求90～130g，其重量误差≤3％，打开入气阀门，关闭大预真空泵，落下真空锅，插上安全销，取出铝皮前端盖子，用扁口钳夹出硒片，钳口夹片5mm，称出硒的重量，把片垂直放进装片车中，将重量填入记录，连续蒸发开过时间≤4分钟，返工硒片应在预赋能后4h内蒸发，两次蒸发重量为90～130g，室内不允许有极微量的水银蒸汽，与预赋能间隔时间≤48h；(9)所述的预赋能：其操作过程为：首先打开电源开关、马达开关，将6KW、4KW、2KW全部打开，将蒸过硒的硒片垂直插入赋能车中，硒面应对装，每车放衬片后装量≤30片，在炉温达到110℃以后，打开炉门，铺好赋能车轨道，推入赋能车，关闭炉门，炉温升至104℃是，关闭6KW、4KW加热开关，炉温因惯性升至112℃±2℃时，用触点温度计控制2KW或4KW，恒温2h，在关闭马达开关、电源开关后，拉出炉车，待冷却10～15分钟后，抽出硒片并装入存片车中，室内不允许有极微量的水银蒸汽；(10)所述的冲剪：其操作过程为：首先检查机床各部件是否正常，并用干净棉纱浸酒精擦拭剪刀和工作台面，按下黑色按钮，开动剪床，将长条硒片按规定尺寸放入模具中，在冲床上冲制成合格￠5、￠7、152、222、302、402的硒片或连片，冲剪出的联片，主赋能后放入一定的模具中，再冲制成合格的单片；(11)所述的熔合金：其操作过程为：按配方铊g＝(68％锡+32％镉)2/万称出10～15kg生产合金过程中所用的锡、镉、铊重量，擦干铝合金锅，把称好的锡放入锅内，打开电加热开关，把锡加热至350℃，待冷却至220～240℃时，加入称号的镉，打开通风柜，待溶解后，温度升至240±10℃时，保持此温度搅拌30分钟，用勺取出表面浮渣，把称好的铊加入锡镉合金中，保持240±10℃搅拌30分钟，用勺取出表面浮渣，把合金液注入模子中，关闭电加热开关及通风柜；(12)所述的喷合金及联片：其操作过程为：把合金条放入熔化锅，打开电炉加热开关，待三元合金熔化后，温度达到240±10℃时，用热偶温度计控制，操作前25分钟前开喷枪加热电源，适当调整加热电源；然后进行装柜，￠5-40×40硒片向上，放在底板上，装上覆盖钮；60×60硒片向上，放在底板上，覆盖钮装进孔中，装样板和压框，上紧夹子，用勺将合金注入喷枪，打开抽风电源和...

【专利技术属性】
技术研发人员：钱林，陈晶，
申请(专利权)人：鹤壁维达科巽电气有限公司，
类型：发明
国别省市：河南,41