【技术实现步骤摘要】
像素电路及其运作方法
本专利技术与显示装置有关,尤其是关于一种应用于微发光二极管显示器的像素电路及其运作方法。
技术介绍
一般而言,于传统的主动矩阵式有机发光二极管(AMOLED)显示器的像素电路中,其发光二极管采用一般的设置方式与接地电压耦接而非与工作电压耦接。举例而言,如图1所示,像素电路1包含发光二极管LED、第一晶体管T1~第四晶体管T4及第一电容C1~第二电容C2。其中,第三晶体管T3及第二晶体管T2串接于第一电压(工作电压)OVDD与第一接点N1之间;第一电容C1耦接于第二接点N2与第三接点N3之间;第二接点N2位于第一晶体管T1与第二晶体管T2的栅极之间;第三接点N3位于第四晶体管T4与第一接点N1之间;第二电容C2耦接于第四接点N4与第一接点N1之间;第四接点N4位于第一电压OVDD与第三晶体管T3之间;发光二极管LED耦接于第一接点N1与第二电压(接地电压)OVSS之间。第一晶体管T1的栅极受控于第一控制信号SCN;第三晶体管T3的栅极受控于第二控制信号EM;第四晶体管T4的栅极受控于第三控制信号RST。第一晶体管T1耦接数据信号DAT;第四晶体 ...
【技术保护点】
1.一种像素电路,应用于一微发光二极管显示器,该像素电路接收一第一控制信号、一第二控制信号及一第三控制信号,其特征在于,该像素电路包含:一发光二极管,耦接于一第一电压与一第一节点之间;一第一晶体管,耦接于该第一节点与一第二节点之间;一第二晶体管,耦接于该第二节点与一第二电压之间,其中该第二电压低于该第一电压;一第三晶体管,耦接于一第三电压与一第三节点之间,且接收该第三控制信号并受该第三控制信号所控制;一第四晶体管,耦接于该第三节点与一第四节点之间,且接收该第二控制信号并受该第二控制信号所控制;一第五晶体管,耦接于该第四节点与一第四电压之间,且接收该第三控制信号并受该第三控制 ...
【技术特征摘要】
2018.09.04 TW 1071310301.一种像素电路,应用于一微发光二极管显示器,该像素电路接收一第一控制信号、一第二控制信号及一第三控制信号,其特征在于,该像素电路包含:一发光二极管,耦接于一第一电压与一第一节点之间;一第一晶体管,耦接于该第一节点与一第二节点之间;一第二晶体管,耦接于该第二节点与一第二电压之间,其中该第二电压低于该第一电压;一第三晶体管,耦接于一第三电压与一第三节点之间,且接收该第三控制信号并受该第三控制信号所控制;一第四晶体管,耦接于该第三节点与一第四节点之间,且接收该第二控制信号并受该第二控制信号所控制;一第五晶体管,耦接于该第四节点与一第四电压之间,且接收该第三控制信号并受该第三控制信号所控制;一第六晶体管,其一端耦接该第一节点,且接收该第三控制信号并受该第三控制信号所控制;以及一电容,耦接于该第二节点与该第四节点之间。2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中该第三电压为参考电压且该第四电压为数据电压。3.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中该第三电压为数据电压且该第四电压为参考电压。4.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中当该像素电路运作于一第一补偿模式时,该第六晶体管的另一端耦接该第一电压。5.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,其中于一第一期间内,该发光二极管不导通,该第一控制信号与该第三控制信号为高电平且该第二控制信号为低电平,致使该第四晶体管不导通且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管导通。6.如权利要求5所述的像素电路,其特征在于,其中该第一节点具有该第一电压、该第二节点具有该第二电压、该第三节点具有该第三电压且该第四节点具有该第四电压,从该第一节点流经该第一晶体管至该第二节点的一重置电流与该第二电压、该第三电压以及该第一晶体管的临界电压有关。7.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,其中于一第二期间内,该发光二极管不导通,该第一控制信号与该第二控制信号为低电平且该第三控制信号为高电平,致使该第二晶体管及该第四晶体管不导通且该第一晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管导通。8.如权利要求7所述的像素电路,其特征在于,其中该第一节点具有该第一电压、该第二节点的电压等于该第三电压减去该第一晶体管的临界电压、该第三节点具有该第三电压且该第四节点具有该第四电压,该电容两端的跨压等于该第四电压减去该第三电压再加上该第一晶体管的临界电压。9.如权利要求4所述的像素电路,其特征在于,其中于一第三期间内,该发光二极管导通,该第一控制信号与该第二控制信号为高电平且该第三控制信号为低电平,致使该第三晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管不导通且该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管导通。10.如权利要求9所述的像素电路,其特征在于,其中流经该发光二极管的一发光二极管电流与该第四电压以及该第三电压有关。11.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,其中当该像素电路运作于一第二补偿模式时,该第六晶体管的另一端耦接该微发光二极管显示器的一感测线。12.如权利要求11所述的像素电路,其特征在于,其中该第一控制信号与该第三控制信号为高电平且该第二控制信号为低电平,致使该第四晶体管不导通且该第一晶体管、该第二晶体管、该第三晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管导通,该发光二极管不导通,该感测线提供一检测电流依序流经该第六晶体管、该第一节点、该第一晶体管、该第二节点及该第二晶体管,且该检测电流与该第二电压、该第三电压以及该第一晶体管的临界电压有关。13.如权利要求11所述的像素电路,其特征在于,其中该第一控制信号与该第二控制信号为低电平且该第三控制信号为高电平,致使该第一晶体管、该第二晶体管及该第四晶体管不导通且该第三晶体管、该第五晶体管及该第六晶体管导通,该发光二极管导通,一参考电流依序流经该发光二极管、该第一节点及该第六晶体管至该感测线而形成一感测电压,且该感测电压与该第一电压以及该发光二极管两端的跨压有关。14.一种像素电路运作方法,用以运作应用于一微发光二极管...
【专利技术属性】
技术研发人员:洪嘉澤,郑贸薰,林振祺,詹孟熙,郭庭玮,奚鹏博,
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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