阈值电压侦测电路及侦测方法技术

本发明专利技术提供了一种阈值电压侦测电路，其中，该阈值电压侦测电路包括：第一开关(SW_R)，其一端与待侦测器件的一端连接，第一开关(SW_R)在侦测模式中的预充电时导通；侦测线(Sen)，其一端与第一开关(SW_R)的所述一端连接，用于在第一开关(SW_R)导通时，向待侦测器件写入预充电压；采样电容(Cc)，在侦测线(Sen)的寄生电容(Cp)放电完成时与侦测线(Sen)的所述一端连通，用于采集待侦测器件的阈值电压。上述阈值电压侦测电路由第一开关(SW_R)、侦测线(Sen)以及采样电容(Cc)构成，仅通过对侦测线的控制便可实现阈值电压的侦测，侦测电路简单。

【技术实现步骤摘要】
阈值电压侦测电路及侦测方法
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阈值电压侦测电路及阈值电压侦测方法、而且还涉及亮度补偿电路、亮度补偿方法以及显示面板。
技术介绍
AMOLED(ActiveMatrixOrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)平板显示屏采用有机材料制作发光器件，而且器件流过较大电流。显示屏经过长时间使用，不可避免地造成OLED器件劣化，OLED器件的阈值电压发生变化，发光效率降低，进而使得显示屏亮度下降和长期残像。针对上述不足，可以采用OLED器件阈值电压侦测电路对OLED器件的阈值电压进行侦测，根据侦测后的器件阈值电压对OLED器件进行补偿，避免了OLED器件阈值电压变化造成的显示屏亮度下降和长期残像的问题。现有技术中，通常OLED显示屏应用于消费领域，对OLED的寿命要求不是很高，由于器件漏电、补偿运算复杂等原因，使得侦测OLED器件阈值电压会显著增加成本；故现有技术中通常不对OLED器件的阈值电压进行侦测；但在对OLED器件寿命和残像要求较高的领域(如车载或者工控领域)，需要对OLED器件的阈值电压进行侦测，然而，现有技术中OLED本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阈值电压侦测电路，其特征在于，包括：第一开关(SW_R)，其一端与待侦测器件的一端连接，所述第一开关(SW_R)在侦测模式中的预充电时导通；侦测线(Sen)，其一端与所述第一开关(SW_R)的所述一端连接，用于在所述第一开关(SW_R)导通时，向所述待侦测器件写入预充电压；采样电容(Cc)，在所述侦测线(Sen)的寄生电容(Cp)放电完成时与所述侦测线(Sen)的所述一端连通，用于采集所述待侦测器件的阈值电压。

【技术特征摘要】
1.一种阈值电压侦测电路，其特征在于，包括：第一开关(SW_R)，其一端与待侦测器件的一端连接，所述第一开关(SW_R)在侦测模式中的预充电时导通；侦测线(Sen)，其一端与所述第一开关(SW_R)的所述一端连接，用于在所述第一开关(SW_R)导通时，向所述待侦测器件写入预充电压；采样电容(Cc)，在所述侦测线(Sen)的寄生电容(Cp)放电完成时与所述侦测线(Sen)的所述一端连通，用于采集所述待侦测器件的阈值电压。2.根据权利要求1所述的阈值电压侦测电路，其特征在于，所述侦测线与扫描线或电源线交叠形成所述寄生电容；所述侦测线(Sen)的寄生电容(Cp)用于在侦测阶段内向所述待侦测器件提供电荷，以使所述电荷流经所述待侦测器件直至所述寄生电容(Cp)的电压与所述待侦测器件的另一端的电压和所述待侦测器件阈值电压之和相等。3.根据权利要求1所述的阈值电压侦测电路，其特征在于，还包括：第二开关(SMP)，其一端与所述侦测线(Sen)的所述一端连接，其另一端与所述采样电容(Cc)连接，用于控制所述采样电容(Cc)与所述侦测线(Sen)的连通。4.根据权利要求1所述的阈值电压侦测电路，其特征在于，还包括：A/D转换器，与所述采样电容(Cc)连通，在所述采样电容(Cc)采样完成时，用于将所述采样电容(Cc)采集到的所述待侦测器件的阈值电压进行A/D转换。5.根据权利要求4所...

【专利技术属性】
技术研发人员：解红军，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32