【技术实现步骤摘要】
包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法本申请是中国专利申请第201480039545.1号的分案申请，主张申请日为2013年7月9日的韩国专利申请10-2013-0080412的优先权。
本专利技术涉及包括超小型发光二极管(LED)的显示器及其制造方法，更详细地，涉及如下包括超小型发光二极管的显示器及其制造方法，即，通过使纳米单位的超小型发光二极管元件以不存在短路的方式与电极相连接，来体现全色发光二极管显示器，并使光提取效率极大化。
技术介绍
随着1992年日本日亚化学工业的中村等人适用低温的氮化镓(GaN)化合物缓冲层来成功融合出优质的单晶体氮化镓氮化物半导体，导致发光二极管的开发变得活跃。发光二极管作为利用化合物半导体的特性来使多个载体为电子的n型半导体结晶和多个载体为空穴的p型半导体结晶相互接合的半导体，是将电信号变换为具有所需区域的波段的光来显现的半导体元件。由于这种发光二极管半导体的光变换效率高，因此能量消耗非常少，而且上述发光二极管半导体还具有半永久性寿命并且环保，从而作为绿色材料来被誉为光的革命。近来，随着化合物半导体技术的发展，开发出高分辨率红色...
【技术保护点】
1.一种包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，在基板上形成第Ⅰ电极；步骤(2)，在与上述第Ⅰ电极相同的平面或在上述第Ⅰ电极的上部形成第Ⅱ电极，并形成多个电极组件，上述多个电极组件包括第一电极及第二电极，上述第一电极与上述第Ⅰ电极相连接，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面，上述第二电极与上述第Ⅱ电极相连接；步骤(3)，向形成于上述多个电极组件上的多个子像素区域投入包括多个超小型发光二极管元件的溶液；以及步骤(4)，向上述多个电极组件施加电源来形成多个子像素，上述多个子像素包括与第一电极及第二电极这双方均连接的...
【技术特征摘要】
2013.07.09 KR 10-2013-00804121.一种包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，在基板上形成第Ⅰ电极；步骤(2)，在与上述第Ⅰ电极相同的平面或在上述第Ⅰ电极的上部形成第Ⅱ电极，并形成多个电极组件，上述多个电极组件包括第一电极及第二电极，上述第一电极与上述第Ⅰ电极相连接，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面，上述第二电极与上述第Ⅱ电极相连接；步骤(3)，向形成于上述多个电极组件上的多个子像素区域投入包括多个超小型发光二极管元件的溶液；以及步骤(4)，向上述多个电极组件施加电源来形成多个子像素，上述多个子像素包括与第一电极及第二电极这双方均连接的多个超小型发光二极管元件，上述超小型发光二极管元件包括：第一电极层；第一导电性半导体层，形成于上述第一电极层上；活性层，形成于上述第一导电性半导体层上；第二导电性半导体层，形成于上述活性层上；以及第二电极层，形成于上述第二导电性半导体层上，上述超小型发光二极管元件在外部面包括绝缘覆膜，上述绝缘覆膜至少覆盖活性层部分的整个外部面，上述绝缘覆膜用于防止因超小型发光二极管元件的活性层和电极组件相接触而发生电路短路，上述第一电极的宽度(X)、第二电极的宽度(Y)、第一电极和与上述第一电极相邻的第二电极之间的间距(Z)及超小型发光二极管元件的长度(H)满足如下关系式，关系式1：0.5Z≤H＜X+Y+2Z，其中，100nm＜X≤10μm，100nm＜Y≤10μm，100nm＜Z≤10μm。2.一种包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，在基板上形成第Ⅰ电极；步骤(2)，在与上述第Ⅰ电极相同的平面或在上述第Ⅰ电极的上部形成第Ⅱ电极，并形成多个电极组件，上述多个电极组件包括第一电极及第二电极，上述第一电极与上述第Ⅰ电极相连接，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面，上述第二电极与上述第Ⅱ电极相连接；步骤(3)，向形成于上述多个电极组件上的多个子像素区域分别单独投入第一溶液、第二溶液及第三溶液，上述第一溶液包含多个蓝色超小型发光二极管元件，上述第二溶液包含多个绿色超小型发光二极管元件，上述第三溶液包含多个红色超小型发光二极管元件；以及步骤(4)，向上述多个电极组件施加电源来形成多个子像素，上述多个子像素包括与第一电极及第二电极这双方均连接的多个超小型发光二极管元件，上述超小型发光二极管元件包括：第一电极层；第一导电性半导体层，形成于上述第一电极层上；活性层，形成于上述第一导电性半导体层上；第二导电性半导体层，形成于上述活性层上；以及第二电极层，形成于上述第二导电性半导体层上，上述超小型发光二极管元件在外部面包括绝缘覆膜，上述绝缘覆膜至少覆盖活性层部分的整个外部面，上述绝缘覆膜用于防止因超小型发光二极管元件的活性层和电极组件相接触而发生电路短路，上述第一电极的宽度(X)、第二电极的宽度(Y)、第一电极和与上述第一电极相邻的第二电极之间的间距(Z)及超小型发光二极管元件的长度(H)满足如下关系式，关系式1：0.5Z≤H＜X+Y+2Z，其中，100nm＜X≤10μm，100nm＜Y≤10μm，100nm＜Z≤10μm。3.根据权利要求1所述的包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，在上述步骤(1)和上述步骤(2)之间还包括在包括第Ⅰ电极的基板上形成绝缘层的步骤，在上述步骤(3)中，上述超小型发光二极管元件的长度为100nm至10μm，上述超小型发光二极管元件的纵横比为1.2～100，上述超小型发光二极管元件为蓝色发光二极管元件，在上述步骤(4)中，上述电源的电压为0.1V至1000V，上述电源的频率为10Hz至100GHz，在上述步骤(4)中，每100×100μm2面积的子像素区域所包括的超小型发光二极管元件的数量为2个至100000个，在步骤(4)之后，还包括：步骤(5)，形成金属欧姆层，上述金属欧姆层包括多个子像素所包括的第一电极及第二电极和超小型发光二极管元件相连接的部分；步骤(6)，在包括上述金属欧姆层的多个子像素的上部形成短波通滤光器；步骤(7)，使绿色颜色变换层在与从上述多个子像素中所选择的一部分像素相对应的短波通滤光器的上部图案化，以及使红色颜色变换层在与从上述多个子像素中所选择的一部分像素相对应的短波通滤光器的上部图案化；以及步骤(8)，在上述绿色颜色变换层及红色颜色变换层的上部形成长波通滤光器。4.根据权利要求1所述的包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，在上述步骤(2)和步骤(3)之间还包括在基板的上部以包括电极组件的方式形成绝缘隔板的步骤，上述绝缘隔板用于包围各个形成于多个电极组件上的多个子像素区域。5.根据权利要求2所述的包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，在上述步骤(1)和步骤(2)之间还包括在包括第Ⅰ电极的基板上形成绝缘层的步骤，在上述步骤(3)中，上述超小型发光二极管元件的长度为100nm至10μm，上述超小型发光二极管元件的纵横比为1.2～100，上述超小型发光二极管元件为蓝色发光二极管元件，在上述步骤(4)中，上述电源的的电压为0.1至1000V，上述电源的频率为10Hz至100GHz，在上述步骤(4)中，每100×100μm2面积的子像素区域所包括的超小型发光二极管元件的数量为2个至100000个，在步骤(4)之后，还包括：步骤(5)，形成金属欧姆层，上述金属欧姆层包括多个子像素所包括的第一电极及第二电极和超小型发光二极管元件相连接的部分；以及步骤(6)，在包括上述金属欧姆层的多个子像素的上部形成钝化层。6.根据权利要求2所述的包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，在上述步骤(2)和步骤(3)之间还包括在基板的上部以包括电极组件的方式形成绝缘隔板的步骤，上述绝缘隔板用于包围各个形成于多个电极组件上的多个子像素区域。7.一种包括超小型发光二极管的显示器的制造方法，其特征在于，包括：步骤(1)，在基板上形成第Ⅰ电极；步骤(2)，在与上述第Ⅰ电极相同的平面或在上述第Ⅰ电极的上部形成第Ⅱ电极，并形成多个电极组件，上述多个电极组件包括第一电极及第二电极，上述第一电极与上述第Ⅰ电极相连接，上述第二电极以与上述第一电极相隔开的方式形成于与上述第一电极相同的平面，上述第二电极与上述第Ⅱ电极相连接；步骤(3)，向形成于上述多个电极组件上的多个子像素区域投入多个超小型发光二极管元件；以及步骤(4)，向上述多个子像素区域投入溶剂，并向上述多个电极组件施加电源来形成多个子像素，上述多个子像素包括与第一电极及第二电极这双方均连接的多个超小型发光二极管元件，上述超小型发光二极管元件包括：第一电极层；第一导电性半导体层，形成于上述第一电极层上；活性层，形成于上述第一导电性半导体层上；第二导电性半导体层，形成于上述活性层上；以及第二电极层，形成于上述第二导电性半导体层上，上述超小型发光二极管元件在外部面包括绝缘覆膜，上述绝缘覆膜...
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