磁场感测元件以及磁场感测装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种磁场感测元件，包括基板、多个磁通集中器、多个磁阻传感器以及多个磁化方向设定元件。这些磁通集中器、这些磁阻传感器以及这些磁化方向设定元件设置于基板上。每一磁通集中器的相对两侧设有这些磁阻传感器的至少一部分。每一磁通集中器、这些磁阻传感器的至少一部分以及每一磁化方向设定元件在基板上的正投影区域分别为第一、第二及第三正投影区域。第三正投影区域分别与第一正投影区域以及第二正投影区域至少部分重叠。另，一种磁场感测装置也被提出。

【技术实现步骤摘要】
磁场感测元件以及磁场感测装置
本专利技术涉及一种磁场感测元件以及磁场感测装置。
技术介绍
随着可携式电子装置的普及，能够感应地磁方向的电子罗盘的技术便受到重视。当电子罗盘应用于体积小的可携式电子装置(如智能手机)时，电子罗盘除了需符合体积小的需求之外，最好还能够达到三轴的感测。因此，三方向磁场感测装置近年来广泛地应用于各种电子装置中。然而，在感测磁场的过程中，由于磁滞现象(HysteresisPhenomenon)的关系，即使外在磁场消失，磁场感测装置中的铁磁材料仍会被原先的外在磁场所影响而会有残磁，而此会导致感测结果的失准。因此，如何解决上述问题，一直是本领域的技术人员所努力的方向。
技术实现思路
本专利技术提供一种磁场感测元件以及磁场感测装置，其可以在较小的体积下同时对磁阻传感器以及磁通集中器磁化重置(magnetizationresetting)，而可得到准确的感测结果。本专利技术的实施例的磁场感测元件包括基板、多个磁通集中器、多个磁阻传感器以及多个磁化方向设定元件。这些磁通集中器、这些磁阻传感器以及这些磁化方向设定元件设置于基板上。每一磁通集中器的相对两侧设有这些磁阻传感器的至少本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁场感测元件，其特征在于，包括：基板；多个磁通集中器，设置于所述基板上；多个磁阻传感器，设置于所述基板上，其中每一所述磁通集中器的相对两侧设有所述多个磁阻传感器的至少一部分；以及多个磁化方向设定元件，设置于所述基板上，其中，每一所述磁通集中器在所述基板上的正投影区域为第一正投影区域，所述多个磁阻传感器的至少一部分在所述基板上的正投影区域为第二正投影区域，每一所述磁化方向设定元件在所述基板上的正投影区域为第三正投影区域，所述第三正投影区域分别与所述第一正投影区域以及所述第二正投影区域至少部分重叠。

【技术特征摘要】
2017.07.17 US 62/533,1301.一种磁场感测元件，其特征在于，包括：基板；多个磁通集中器，设置于所述基板上；多个磁阻传感器，设置于所述基板上，其中每一所述磁通集中器的相对两侧设有所述多个磁阻传感器的至少一部分；以及多个磁化方向设定元件，设置于所述基板上，其中，每一所述磁通集中器在所述基板上的正投影区域为第一正投影区域，所述多个磁阻传感器的至少一部分在所述基板上的正投影区域为第二正投影区域，每一所述磁化方向设定元件在所述基板上的正投影区域为第三正投影区域，所述第三正投影区域分别与所述第一正投影区域以及所述第二正投影区域至少部分重叠。2.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，每一所述磁通集中器往第一方向延伸，且所述多个磁通集中器沿第二方向排列，所述第一方向不同于所述第二方向，每一所述磁阻传感器往所述第一方向延伸，且所述多个磁阻传感器沿所述第二方向排列，所述多个磁阻传感器的磁场感测轴平行于所述第二方向；以及每一所述磁化方向设定元件往所述第二方向延伸，且所述多个磁化方向设定元件沿所述第一方向排列。3.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，每一所述磁通集中器往第二方向延伸，且所述多个磁通集中器沿第一方向排列，所述第一方向不同于所述第二方向，每一所述磁阻传感器往所述第二方向延伸，且所述多个磁阻传感器沿所述第一方向排列，所述多个磁阻传感器的磁场感测轴平行于所述第一方向；以及每一所述磁化方向设定元件往所述第一方向延伸，且所述多个磁化方向设定元件沿所述第二方向排列。4.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，还包括：电流产生器，耦接于所述多个磁化方向设定元件，所述多个磁化方向设定元件还包括二磁化方向设定元件，且所述电流产生器适于分别提供电流方向相反的两电流至所述二磁化方向设定元件。5.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，还包括切换电路，每一所述磁通集中器具有彼此相对的第一侧以及第二侧，其中，位于每一所述磁通集中器的所述第一侧的部分所述多个磁阻传感器形成第一惠斯同半桥，位于每一所述磁通集中器的所述第二侧的部分所述多个磁阻传感器形成第二惠斯同半桥，所述切换电路在不同的时间区间内将所述第一惠斯同半桥与所述第二惠斯同半桥电性连接成至少两种惠斯同全桥，以分别量测在两个不同方向的磁场分量，并使所述至少二惠斯同全桥输出分别对应于所述两个不同方向的磁场分量的两个信号。6.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，每一所述磁通集中器具有彼此相对的第一侧以及第二侧，其中，位于每一所述磁通集中器的所述第一侧的部分所述多个磁阻传感器形成第一惠斯同全桥，位于每一所述磁通集中器的所述第二侧的部分所述多个磁阻传感器形成第二惠斯同全桥，其中，所述磁场感测元件根据所述第一惠斯同全桥的第一输出信号以及所述第二惠斯同全桥的第二输出信号以得到在两个不同方向的磁场分量。7.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，每一所述第一正投影区域同时与所述多个第三正投影区域重叠。8.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，每一所述第一正投影区域仅与一所述第三正投影区域重叠。9.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，所述多个第一正投影区域与所述多个第二正投影区域彼此错开。10.根据权利要求1所述的磁场感测元件，其特征在于，所述多个磁通集中器以及所述多个磁化方向设定元件设置于所述多个磁阻传感器的同一侧。11.根据权利要求1所述的磁场感测...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁辅德，赖孟煌，
申请(专利权)人：爱盛科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71