一种双电源供电的电磁阀驱动电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双电源供电的电磁阀驱动电路，供电电源Vcc经开关驱动电路、功率开关与电压输出端Vo相连接；供电电源Vee经功率开关与电压输出端Vo相连接；电压输出端Vo与电磁阀相连接；在供电电源Vcc于电磁阀之间还连接有限幅保护电路。本实用新型专利技术的电路中开关电路为单电源供电，功率驱动输出电路为双电源供电；限幅保护电路的限幅值可根据需要进行调节，将限幅掉的能量吸收，比功率电阻吸收更容易实现产品小型化。本实用新型专利技术具有反向电动势电压可调、输出电流大及产品体积小的优点，对电子设备控制具有十分重要的意义。

【技术实现步骤摘要】
一种双电源供电的电磁阀驱动电路
本技术属于电子元器件
，涉及一种双电源供电的电磁阀驱动电路。
技术介绍
现代工业的发展，使得大量的电子设备广泛应用到电磁阀。电磁阀是用电磁控制的工业技术，是用来控制流体的自动化基础元件，属于执行器，不限于液压、气动。它是由电磁线圈和磁芯组成，是包含一个或几个孔的阀体。当线圈通电或断电时，磁芯的运转将导致流体通过阀体或被切断，达到改变流体方向的目的。作为电磁阀驱动电路，市面上有很多单电源供电的产品，很少有双电源供电的产品。
技术实现思路
本技术解决的问题在于提供双电源供电的电磁阀驱动电路，弥补了双电源供电这一空缺，保证了电子设备电磁阀控制驱动的要求。本技术是通过以下技术方案来实现：一种双电源供电的电磁阀驱动电路，供电电源Vcc经开关驱动电路、功率开关与电压输出端Vo相连接；供电电源Vee经功率开关与电压输出端Vo相连接；电压输出端Vo与电磁阀相连接；在供电电源Vcc于电磁阀之间还连接有限幅保护电路；所述的开关驱动电路包括三极管Q1和三极管Q2；三极管Q1的基极经电阻R1连接信号输入端Vin、经电阻R2接地；集电极经电阻R3、电阻R4与电源Vcc相连接；发射极接地；三极管Q2的基极分别与电阻R3、电阻R4相连接，集电极经电阻R5与功率开关Q3的栅极相连接；发射极与电源Vcc相连接；功率开关Q3为增强型NMOS管，其栅极经电阻R5与开关驱动电路相连接、经电阻R6与电源Vcc相连接；漏极与电压输出端相连接；源极与电源Vcc相连接。所述的Vin为信号输入端，Vo为电压输出端，Vcc、Vee分别为供电的正负双电源；输入信号通过Vin端经开关驱动电路、功率开关的转换产生输出信号；电磁阀被导通或关断。当信号输入端Vin为高电平时：Q1饱和，Q2饱和，R5与R6分压；Vgs＝R6/(R5+R6)*(Vcc-Vee)；此时Q3饱和，Vo＝Vee-0.1，输出为低电平，电磁阀流过电流；当Vin为低电平时：Q1截止，Q2截止；Vgs＝0此时Q3截止，Vo＝Vcc，输出为高电平，电磁阀无电流流过。所述的限幅保护电路的组成为：其输入端连接电源Vcc，输出端接电磁阀正电源端；输入端与输出端之间串接有电阻R8、电阻R9、稳压管DZ1、稳压管DZ2和二极管D1；三极管Q4的栅极连接在电阻R8、电阻R9之间，其激发极与电源Vcc相连接，集电极经二极管D1与输出端相连接。所述的限幅保护电路对感性负载的反向感应电动势限幅，其为双向限幅电路，使输出端上冲幅度Vm不超过电源值，为电磁阀绕制提供了一定的驱动能量，同时又保护功率开关Q3。与现有技术相比，本技术具有以下有益的技术效果：本技术提供的双电源供电的电磁阀驱动电路，开关电路为单电源供电，功率驱动输出电路为双电源供电；限幅保护电路的限幅值可根据需要进行调节，将限幅掉的能量吸收，比功率电阻吸收更容易实现产品小型化。本技术具有反向电动势电压可调、输出电流大及产品体积小的优点，对电子设备控制具有十分重要的意义。附图说明图1为双电源电磁阀驱动电路原理框图；图2为双电源电磁阀驱动电路原理示意图；图3为开关电路和功率驱动电路的连接示意图；图4为限幅电路的连接示意图；图5为控制波形示意图。具体实施方式下面结合具体的实施例对本技术做进一步的详细说明，所述是对本技术的解释而不是限定。参见图1、图2、图3，一种双电源供电的电磁阀驱动电路，其特征在于，供电电源Vcc经开关驱动电路、功率开关与电压输出端Vo相连接；供电电源Vee经功率开关与电压输出端Vo相连接；电压输出端Vo与电磁阀相连接；在供电电源Vcc于电磁阀之间还连接有限幅保护电路；所述的开关驱动电路包括三极管Q1和三极管Q2；三极管Q1的基极经电阻R1连接信号输入端Vin、经电阻R2接地；集电极经电阻R3、电阻R4与电源Vcc相连接；发射极接地；三极管Q2的基极分别与电阻R3、电阻R4相连接，集电极经电阻R5与功率开关Q3的栅极相连接；发射极与电源Vcc相连接；功率开关Q3为增强型NMOS管，其栅极经电阻R5与开关驱动电路相连接、经电阻R6与电源Vcc相连接；漏极与电压输出端相连接；源极与电源Vcc相连接。参见图5，所述的Vin为信号输入端，Vo为电压输出端，Vcc、Vee分别为供电的正负双电源；输入信号通过Vin端经开关驱动电路、功率开关的转换产生输出信号；电磁阀被导通或关断。当信号输入端Vin为高电平时：Q1饱和，Q2饱和，R5与R6分压；Vgs＝R6/(R5+R6)*(Vcc-Vee)；此时Q3饱和，Vo＝Vee-0.1，输出为低电平，电磁阀流过电流；当Vin为低电平时：Q1截止，Q2截止；Vgs＝0此时Q3截止，Vo＝Vcc，输出为高电平，电磁阀无电流流过。参见图2、图4，所述的限幅保护电路的组成为：其输入端连接电源Vcc，输出端接电磁阀正电源端；输入端与输出端之间串接有电阻R8、电阻R9、稳压管DZ1、稳压管DZ2和二极管D1；三极管Q4的栅极连接在电阻R8、电阻R9之间，其激发极与电源Vcc相连接，集电极经二极管D1与输出端相连接。所述的限幅保护电路对感性负载的反向感应电动势限幅，其为双向限幅电路，使输出端上冲幅度Vm不超过电源值，为电磁阀绕制提供了一定的驱动能量，同时又保护功率开关Q3。下面给出具体实施例。双电源电磁阀驱动电路，包括正负双电源、开关驱动电路，功率开关和限幅保护电路组成。其中，Vin为信号输入端，Vo为电压输出端，Vcc、Vee分别为供电的正负双电源；该电路是将输入信号经开关驱动电路，功率开关的转换产生所需要的输出信号；电压输出端接负载到正电源端，限幅保护对感性负载的反向感应电动势限幅，从而对电路起到保护作用。参见图2，对于开关驱动电路其组成为：三极管Q1的基极经电阻R1连接信号输入端Vin、经电阻R2接地；集电极经电阻R3、R4与电源Vcc相连接；发射极接地；三极管Q2的基极经电阻R4与电源Vcc相连接；集电极经电阻R5与功率开关的栅极相连接，电阻R5还通过电阻R6与电源Vee相连接；发射极与电源Vcc相连接；功率开关Q3为增强型NMOS管，其栅极经电阻R5与开关驱动电路相连接，经电阻R6与电源Vcc相连接，漏极与电压输出端相连接；源极与电源Vcc相连接。限幅保护电路的组成为：输入端连接电压Vcc，输出端Vo接负载到正电源端；输入端与输出端之间串接有电阻R8、电阻R9、稳压管DZ1、稳压管DZ2和二极管D1；三极管Q4的栅极连接在电阻R8、电阻R9之间，其激发极与电压Vcc输入端相连接，集电极经二极管D1与电压输出端Vo相连接。限幅保护对感性负载的反向感应电动势限幅，从而对电路起到保护作用；该电路是一个双向限幅电路，使输出端上冲幅度Vm不超过电源值，为电磁阀绕制提供了一定的驱动能量，同时又保护了功率开关Q3。综上所述，本技术的电路中，开关电路为单电源供电，功率驱动输出电路为双电源供电；限幅保护电路的限幅值可根据需要进行调节，将限幅掉的能量由Q4吸收，比功率电阻吸收更容易实现产品小型化。下面给出双电源电磁阀驱动电路的一些技术性能指标作为实施例的进一步说明。双电源电磁阀驱动电路技术性能指标以上给出的实施例是实现本技术较优的例子，本技术不限本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双电源供电的电磁阀驱动电路，其特征在于，供电电源Vcc经开关驱动电路、功率开关与电压输出端Vo相连接；供电电源Vee经功率开关与电压输出端Vo相连接；电压输出端Vo与电磁阀相连接；在供电电源Vcc于电磁阀之间还连接有限幅保护电路；所述的开关驱动电路包括三极管Q1和三极管Q2；三极管Q1的基极经电阻R1连接信号输入端Vin、经电阻R2接地；集电极经电阻R3、电阻R4与电源Vcc相连接；发射极接地；三极管Q2的基极分别与电阻R3、电阻R4相连接，集电极经电阻R5与功率开关Q3的栅极相连接；发射极与电源Vcc相连接；功率开关Q3为增强型NMOS管，其栅极经电阻R5与开关驱动电路相连接、经电阻R6与电源Vcc相连接；漏极与电压输出端相连接；源极与电源Vcc相连接。

【技术特征摘要】
1.一种双电源供电的电磁阀驱动电路，其特征在于，供电电源Vcc经开关驱动电路、功率开关与电压输出端Vo相连接；供电电源Vee经功率开关与电压输出端Vo相连接；电压输出端Vo与电磁阀相连接；在供电电源Vcc于电磁阀之间还连接有限幅保护电路；所述的开关驱动电路包括三极管Q1和三极管Q2；三极管Q1的基极经电阻R1连接信号输入端Vin、经电阻R2接地；集电极经电阻R3、电阻R4与电源Vcc相连接；发射极接地；三极管Q2的基极分别与电阻R3、电阻R4相连接，集电极经电阻R5与功率开关Q3的栅极相连接；发射极与电源Vcc相连接；功率开关Q3为增强型NMOS管，其栅极经电阻R5与开关驱动电路相连接、经电阻R6与电源Vcc相连接；漏极与电压输出端相连接；源极与电源Vcc相连接。2.如权利要求1所述的双电源供电的电磁阀驱动电路，其特征在于，所述的Vin为信号输入端，Vo为电压输出端，Vcc、Vee分别为供电的正负双电源；输入信号通过Vin端经开关驱动电路、功率开...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵景平，刘创军，李西玲，
申请(专利权)人：陕西三恒电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：陕西,61