【技术实现步骤摘要】
一种高导热石墨复合材料的制备方法
本专利技术涉及一种高导热新型石墨复合材料的制备方法，具体地说是一种以鳞片石墨制备的膨胀石墨为主要原料，用CVD法来制备负载碳纳米管阵列的少层石墨片并与石墨烯复合后热压制备高导热石墨复合材料的制备方法。
技术介绍
热管理是一个热门话题，因为它对现代设备的可靠性、性能和寿命至关重要。在某种程度上，电子设备的性能受到其冷却效果的影响。更重要的是，电子设备的可靠性会随着温度的升高而呈指数递减。高导热复合材料是先进电子封装散热的重要组成部分，如智能手机的冷却、LED以及航空热等。大部分微电子芯片表面温度必须维持在较低的水平下(如硅器件﹤100℃)才能确保其高性能工作，许多电子部件需要在40～60℃的温度下才能正常工作，这对导热材料提出了越来越高的要求，而器件产热能否及时排出、器件散热是否均匀高效是电子器件能否快速稳定工作的决定性因素，极大地影响了电子设备的性能和质量。为了及时将这些热量导出，急切需要开发质量更轻、热导率更高、性能更加优异的导热新型材料。石墨基材料，如石墨2000W/mK，石墨烯5300W/mK，碳纤维900W/mK，(复合材...
【技术保护点】
1.一种高导热石墨复合材料的制备方法，其特征是：1)将鳞片石墨完全浸没在硝酸和硫酸(体积比1：3)混酸中进行插层处理，以50～100r/min常温搅拌10～30分钟，抽滤后将滤饼置入鼓风干燥箱中以50～70℃干燥3～5小时，制备可膨胀石墨。2)将第一步制备得到的可膨胀石墨，放置在1000～1050℃高温处10S左右，瞬间受热，制备得到多层面石墨片；3)将第二步制备得到的多层面石墨片，用真空浸渍的方法表面涂敷一层聚碳硅烷PCS，并在1200℃碳化，使表面产生碳化硅层；4)将第三步制备得到的表面有聚碳硅烷的石墨片用作生长基体，用浮游催化法，在表面生长碳纳米管阵列CNT，生成G/...
【技术特征摘要】
1.一种高导热石墨复合材料的制备方法，其特征是：1)将鳞片石墨完全浸没在硝酸和硫酸(体积比1：3)混酸中进行插层处理，以50～100r/min常温搅拌10～30分钟，抽滤后将滤饼置入鼓风干燥箱中以50～70℃干燥3～5小时，制备可膨胀石墨。2)将第一步制备得到的可膨胀石墨，放置在1000～1050℃高温处10S左右，瞬间受热，制备得到多层面石墨片；3)将第二步制备得到...
【专利技术属性】
技术研发人员：封伟，吕峰，冯奕钰，阎清海，曲静怡，郑楠楠，纪滕霄，
申请(专利权)人：天津大学，
类型：发明
国别省市：天津,12
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。