一种微米周期结构ITO电极的OLED及其制备方法技术

一种微米周期结构ITO电极的OLED及其制备方法，属于OLED生产制造技术领域，玻璃基板的正面依次设有ITO层、微米周期结构层、空穴注入层、空穴传输层、电子阻档层、发光层、空穴阻档层、电子传输层、电子注入层和金属电极层；玻璃基板的背面依次设有散射层和固化层。本发明专利技术OLED结构新颖，制备原理清晰，ITO微米周期结构是通过SiO2微纳米直径小球作ICP‑RIE掩膜完成，在有机发光层蒸镀前，使用H2O2、CO2的水气二流体处理ITO表面，增加ITO表面的功函数至5.3V左右，以提升电子空穴的注入效率，玻璃基板上形成散射层是通过紫外固化光学胶(NOA73)胶水，SiO2微纳米直径小球涂覆固化于玻璃基板，可以取得10～20%发光效率的提升，且工艺基础成熟，原材料容易取得，利于批量化生产。

【技术实现步骤摘要】
一种微米周期结构ITO电极的OLED及其制备方法
本专利技术属于OLED生产制造
，涉及一种OLED芯片结构及其工艺，具体的说是涉及一种微米周期结构ITO电极的OLED及其制备方法。
技术介绍
有机发光二极管(OLED)具有优异画面感，在消费电子类产品市场快速扩张，有机发光二极管被认为是显示器和照明的理想光源，但OLED的出光效率却落后于III-V族化合物半导体LED。随着磷光发光体或基于热激活延迟荧光的发光体的引入，OLED的内部量子效率已经有大幅度提升，为OLED成为超高效发光二极管打下基础。由于组成OLED材料折射率不同，有机界面处发生吸收和金属表面等离子体激发模式损耗使得OLED的出光效率大约在30%以内；为了提升OLED的出光效率，行业内和高校研究所提出了许多用于增加OLED出光效率的方案，从材料类型分，大致可以分类为内部层(有机有源层)和外部层(无机衬底表面层)两类，传统的内部层改善方案的工艺技术路线难度相对大且容易引起短路，局部退化等问题，而外部层的加工工艺存在电子空穴注入效率和发光效率低等不足，急需对其进行改进。
技术实现思路
本专利技术的目的就是针对上述现有技术的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种微米周期结构ITO电极的OLED，包括玻璃基板(100)；其特征在于：所述玻璃基板(100)的正面依次设有ITO层(101)、微米周期结构层(102)、空穴注入层(103)、空穴传输层(104)、电子阻档层(105)、发光层(106)、空穴阻档层(107)、电子传输层(108)、电子注入层(109)和金属电极层(110)；所述玻璃基板(100)的背面依次设有散射层(200)和固化层(201)。

【技术特征摘要】
1.一种微米周期结构ITO电极的OLED，包括玻璃基板(100)；其特征在于：所述玻璃基板(100)的正面依次设有ITO层(101)、微米周期结构层(102)、空穴注入层(103)、空穴传输层(104)、电子阻档层(105)、发光层(106)、空穴阻档层(107)、电子传输层(108)、电子注入层(109)和金属电极层(110)；所述玻璃基板(100)的背面依次设有散射层(200)和固化层(201)。2.根据权利要求1所述的一种微米周期结构ITO电极的OLED，其特征在于：所述ITO层(101)的厚度为150～300nm。3.根据权利要求1所述的一种微米周期结构ITO电极的OLED，其特征在于：所述空穴注入层(103)、空穴传输层(104)、电子阻档层(105)、发光层(106)、空穴阻档层(107)、电子传输层(108)、电子注入层(109)、金属电极层(110)的厚度为均为10～500nm。4.根据权利要求1所述的一种微米周期结构ITO电极的OLED，其特征在于：所述发光层为单色光R、G、B中的一种或是单色光R、G、B的组合构成的发光层。5.根据权利要求1所述的一种微米周期结构ITO电极的OLED，其特征在于：所述金属电极层(110)是Al层或LiF与Al的组合。6.根据权利要求1所述的一种微米周期结构ITO电极的OLED，其特征在于：所述微米周期结构层(102)是将具有SiO2小球铺排的ITO基板进行干蚀刻制程，其参数为上电极功率500W、下电极功率200W、氯气流量10sccm、三氯化...

【专利技术属性】
技术研发人员：肖和平，
申请(专利权)人：肖和平，
类型：发明
国别省市：江苏,32