反相器及GOA电路制造技术

一种反相器，包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；以及第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二遮光层上；以及第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分。所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。还提供一种GOA电路。

【技术实现步骤摘要】
反相器及GOA电路
本揭示涉及显示装置，特别是涉及一种用于显示装置的反相器及GOA电路。
技术介绍
阵列栅极驱动(GatedriverOnArray，GOA)电路是利用显示面板的制程将控制扫描线的薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)组件制作在显示面板的显示区周边。GOA电路包括反相器、(inverter，INV)、传输门(transfergate，TG)、与非门(NANDgate)、或非门(NORgate)等基本逻辑电路。请参阅图1，图1显示现有技术中利用反相器输出扫描信号至扫描线G的示意图。所述反相器包括P型薄膜晶体管P以及N型薄膜晶体管N。所述P型薄膜晶体管P的栅极及所述N型薄膜晶体管N的栅极电性连接至输入端点IN。所述P型薄膜晶体管P的源极电性连接至直流电压源VGH(高电平)。所述N型薄膜晶体管N的源极电性连接至直流电压源VGL(低电平)。所述P型薄膜晶体管P的漏极及所述N型薄膜晶体管N的漏极电性连接至所述扫描线G。当一高电平讯号输入至所述输入端点IN时，所述P型薄膜晶体管P不导通，所述N型薄膜晶体管N导通，所述扫描线G为低电平(电性连接至直流电压源VGL本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种反相器，用于GOA电路，其特征在于，所述反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上，其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至...

【技术特征摘要】
1.一种反相器，用于GOA电路，其特征在于，所述反相器包括：第一薄膜晶体管，包括：第一基板；至少一第一缓冲层，形成于所述第一基板上；第一多晶硅层，形成于所述至少一第一缓冲层上的一部分；第一栅极绝缘层，形成于所述至少一第一缓冲层上以及所述第一多晶硅层上；以及第一栅极，形成于所述第一栅极绝缘层上；以及第二薄膜晶体管，包括：第二基板；至少一第二缓冲层，形成于所述第二基板上；第二多晶硅层，形成于所述至少一第二缓冲层上的一部分；第二栅极绝缘层，形成于所述至少一第二缓冲层上以及所述第二多晶硅层上；以及第二栅极，形成于所述第二栅极绝缘层上，其中所述第一薄膜晶体管进一步包括第一遮光层形成于所述第一基板及所述至少一第一缓冲层之间，及/或所述第二薄膜晶体管进一步包括第二遮光层形成于所述第二基板及所述至少一第二缓冲层之间。2.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一栅极电性连接至一输入端点，且所述第二栅极电性连接至所述输入端点。3.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管进一步包括一第一源极以及一第一漏极，所述第一源极电性连接至一第一直流电压源，所述第一漏极电性连接至一输出端点，所述第二薄膜晶体管进一步包括一第二源极以及一第二漏极，所述第二源极电性连接至一第二直流电压源，所述第二漏极电性连接至所述输出端点。4.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第一薄膜晶体管为P型薄膜晶体管。5.根据权利要求1所述的反相器，其特征在于，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管。6.一种G...

【专利技术属性】
技术研发人员：余华伦，
申请(专利权)人：武汉华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42