一种校准外延腔温度的方法技术

本发明专利技术提供一种校准外延腔温度的方法，所述方法包括:提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。根据本发明专利技术提供的校准外延腔温度的方法，可以简单、准确、直接地校准外延腔温度，从而提高外延产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种校准外延腔温度的方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种校准外延腔温度的方法。
技术介绍
外延是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶薄膜的工艺。硅外延片是制作半导体分立器件的主要材料，因为它既能保证PN结的高击穿电压，又能降低器件的正向压降。硅外延片能让双极性电路(IC)的器件做在有重掺埋层的轻掺外延层上，形成生长的PN结，解决IC的隔离问题，因此它也是IC器件的主要原材料。对于半导体器件来说，需要外延层具有完美的晶体结构，然而在实际的外延生长过程中，由于外延腔内温度发生变化，产品的滑移、厚度等参数均会发生变化，进而影响外延产品的品质。例如，若外延腔体内发生变化，则长外延时的温度与设定温度会产生偏差，实际生长温度会高于设定温度，故影响外延产品的质量。因此，校准沉积过程中各个外延腔体内的温度对于外延片的生产具有非常重要作用。在现有技术中，通过监控外延层的厚度来间接监控外延腔的温度变化，但由于外延层的厚度对外延腔的温度变化不敏感，无法及时发现温度的变化，因此，有必要提出一种新的校准外延腔温度的方法，以解决上述问题。
技术实现思路
在专利技术内容部分中引入了一系列本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校准外延腔温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。

【技术特征摘要】
1.一种校准外延腔温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：基于所述第一外延腔的所述不同温度和相应的第一雾状表面的值进行线性分析，以形成第一曲线；基于所述第二外延腔的所述不同温度和相应的第二雾状表面的值进行线性分析，以形成第二曲线；对比所述第一曲线与所述第二曲线，以计算所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度的差值。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：选取所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：董晨华，林志鑫，季文明，刘源，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31