一种校准外延腔温度的方法技术

本发明专利技术提供一种校准外延腔温度的方法，所述方法包括:提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。根据本发明专利技术提供的校准外延腔温度的方法，可以简单、准确、直接地校准外延腔温度，从而提高外延产品的质量。

【技术实现步骤摘要】
一种校准外延腔温度的方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种校准外延腔温度的方法。
技术介绍
外延是指在单晶衬底上生长一层跟衬底具有相同晶格排列的单晶薄膜的工艺。硅外延片是制作半导体分立器件的主要材料，因为它既能保证PN结的高击穿电压，又能降低器件的正向压降。硅外延片能让双极性电路(IC)的器件做在有重掺埋层的轻掺外延层上，形成生长的PN结，解决IC的隔离问题，因此它也是IC器件的主要原材料。对于半导体器件来说，需要外延层具有完美的晶体结构，然而在实际的外延生长过程中，由于外延腔内温度发生变化，产品的滑移、厚度等参数均会发生变化，进而影响外延产品的品质。例如，若外延腔体内发生变化，则长外延时的温度与设定温度会产生偏差，实际生长温度会高于设定温度，故影响外延产品的质量。因此，校准沉积过程中各个外延腔体内的温度对于外延片的生产具有非常重要作用。在现有技术中，通过监控外延层的厚度来间接监控外延腔的温度变化，但由于外延层的厚度对外延腔的温度变化不敏感，无法及时发现温度的变化，因此，有必要提出一种新的校准外延腔温度的方法，以解决上述问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。本专利技术提供一种校准外延腔温度的方法，包括以下步骤：提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。进一步，所述方法还包括：基于所述第一外延腔的所述不同温度和相应的第一雾状表面的值进行线性分析，以形成第一曲线；基于所述第二外延腔的所述不同温度和相应的第二雾状表面的值进行线性分析，以形成第二曲线；对比所述第一曲线与所述第二曲线，以计算所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度的差值。进一步，所述方法还包括：选取所述第一外延腔温度作为标准温度；通过所述标准温度和所述第二外延腔的温度的差值校准所述第二外延腔温度。进一步，所述晶圆上形成有氧化层。进一步，所述处理包括对所述晶圆进行氢气处理。进一步，所述氢气处理的时间为100s-150s。进一步，所述不同温度包括至少2个不同温度，所述不同温度的范围为1000℃～1300℃。进一步，所述晶圆为尺寸、厚度、加工及预处理过程均相同的晶圆。进一步，所述第一外延腔和所述第二外延腔分别为不同的外延炉或者多腔体外延炉的不同腔体。进一步，采光散射测量装置测量暗场窄法线通道中所述雾状表面的值。根据本专利技术提供的校准外延腔温度的方法，通过分别在第一外延腔和第二外延腔中在不同温度下处理晶圆以形成雾状表面，并测量雾状表面的值，基于不同外延温度下DNN通道的Haze值具有线形关系，以将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平，通过上述方法可以简单、准确、直接地校准外延腔温度，从而提高外延产品的质量。附图说明通过结合附图对本专利技术实施例进行更详细的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显。附图用来提供对本专利技术实施例的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本专利技术实施例一起用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的限制。在附图中，相同的参考标号通常代表相同部件或步骤。附图中：图1示出了根据本专利技术示例性实施例的一种校准外延腔温度的方法的示意性流程图。图2示出了本专利技术的一个示例性实施例的曲线图。图3示出了本专利技术的一个示例性实施例的曲线图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复数形式，除非上下文清楚指出另外的方式。还应明白术语“组成”和/或“包括”，当在该说明书中使用时，确定所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但不排除一个或更多其它的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或组的存在或添加。在此使用时，术语“和/或”包括相关所列项目的任何及所有组合。为了彻底理解本专利技术，将在下列的描述中提出详细的步骤以及详细的结构，以便阐释本专利技术提出的技术方案。本专利技术的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本专利技术还可以具有其他实施方式。在实际的外延生长过程中，由于外延腔内温度发生变化，产品的滑移、厚度等参数均会发生变化，进而影响外延产品的品质。例如，若外延腔体内发生变化，则长外延时的温度与设定温度会产生偏差，实际生长温度会高于设定温度，故影响外延产品的质量。而在现有技术中，可以通过监控外延层的厚度来间接监控外延腔的温度变化，但由于外延层的厚度对外延腔的温度变化不敏感，无法及时发现温度的变化，因此，有必要提出一种新的校准外延腔温度的方法，以解决上述问题。本专利技术提出了一种校准外延腔温度的方法，所述方法包括以下步骤：S101：提供若干晶圆；S102：提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种校准外延腔温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。

【技术特征摘要】
1.一种校准外延腔温度的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供若干晶圆；提供第一外延腔，在所述第一外延腔中处理所述晶圆以形成第一雾状表面，分别测量所述第一外延腔的不同温度下相应的第一雾状表面的值；提供第二外延腔，在所述第二外延腔中处理所述晶圆以形成第二雾状表面，分别测量所述第二外延腔的不同温度下相应的第二雾状表面的值；将所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度校准在同一水平。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：基于所述第一外延腔的所述不同温度和相应的第一雾状表面的值进行线性分析，以形成第一曲线；基于所述第二外延腔的所述不同温度和相应的第二雾状表面的值进行线性分析，以形成第二曲线；对比所述第一曲线与所述第二曲线，以计算所述第一外延腔与所述第二外延腔的温度的差值。3.如权利要求2所述的方法，其特征在于，还包括：选取所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：董晨华，林志鑫，季文明，刘源，
申请(专利权)人：上海新昇半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31