有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术涉及化工领域，公开了一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：

【技术实现步骤摘要】
有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法
本专利技术涉及介电薄膜制备
，特别涉及一种有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法。
技术介绍
超低介电常数（κ）薄膜是微电子产业发展迫切需要攻克的关键新材料。由于空气的介电常数（κ=1.01）非常低，大量不同的多孔超低介电薄膜被合成报道。但是，孔的引入，导致材料力学性能降低，膜机械强度下降，散热性能变差，而难以满足实际要求。有机硅介孔分子筛不但具有较好的机械强度，而且具有超低的介电常数而备受关注。但是有机硅介孔分子筛从微观角度看，其孔壁结构依然是完全无序的。这种结构将降低材料的机械性能和热稳定性，而且其容易吸湿，导致其在湿度较高的环境中介电能力的显著下降，将严重阻碍其作为低κ材料的发展应用。此外，对于有机硅介孔分子筛薄膜的制备，目前普遍采用的方法是溶剂挥发诱导自组装法（EISA）。该法将传统的溶胶凝胶法和分子模板自组装相结合，在非水溶剂中制备介孔材料。该方法操作方便且易于控制，尤其是对介孔材料的宏观形貌的控制有着得天独厚的优势。但是该法在制备过程中需要价格昂贵的模板剂，且可选的模板剂数量有限；在脱除模板剂的过程中易造成孔洞塌陷。薄膜制备条件、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机硅介微孔超低介电薄膜，其特征在于，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：

【技术特征摘要】
1.一种有机硅介微孔超低介电薄膜，其特征在于，该薄膜中POSS类有机硅烷前躯体的结构式如下：，其中，n为12、16、18、20或22，X为CH3或CH2CH3。2.一种如权利要求1所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：室温下，将POSS类前驱体溶解于有机溶剂中，加入适量光产酸剂，搅拌均匀后，在基底上喷涂成膜；待有机溶剂完全挥发后，置于发光二极管灯下照射预设时间，然后置于N、N二甲基甲酰胺中与短链氟代烷基醇进行酯交换反应24-72h，洗涤干燥后得到所述有机硅介微孔超低介电薄膜。3.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述POSS类前驱体与光产酸剂的质量比为10：0.05~1。4.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜的制备方法，其特征在于，所述短链氟代烷基醇的摩尔浓度为0.01~0.05mol/L。5.根据权利要求2所述的有机硅介微孔超低介电薄膜及其制备方法，其特征在于，所述的发光二极管...

【专利技术属性】
技术研发人员：倪伶俐，刘永涛，谢涛，徐敏华，程至天，蔡鹏，高晓燕，冯良东，张世忠，
申请(专利权)人：淮阴工学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32