一种高温稳定介质陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种高温稳定介质陶瓷材料及其制备方法，所述高温稳定介质陶瓷材料具有榍石结构，其组成化学式为CaTi1‑xM10.5xM20.5xSiO5，其中M1和M2为金属离子，0＜x≤10%，优选3≤x≤5%。

【技术实现步骤摘要】
一种高温稳定介质陶瓷材料及其制备方法
本专利技术涉及一种高温稳定介质陶瓷材料及其制备方法，特别涉及一种高温稳定的榍石结构多层陶瓷电容器电介质陶瓷材料及其制备方法，属于功能陶瓷材料

技术介绍
多层陶瓷电容器(MultilayerCeramicCapacitor，MLCC)作为隔直、耦合、旁路、滤波、调谐回路等的重要元件，大量应用于消费电子产品、无线通讯、汽车电子、武器装备等诸多领域。尤其是航空航天、石油钻探等领域都要求电子系统能够在极端苛刻的环境下正常稳定工作，这要求MLCC能够在200℃及以上的高温下工作。所以，探索开发高介电温度稳定的陶瓷电介质材料具有重要意义。研究最多的高温电容器介质材料是基于两种或两种以上铁电体或弛豫铁电体复合的介质材料。对于应用于200℃及以上的铁电体或弛豫铁电体陶瓷，以钙钛矿结构高介电常数材料为主要特征，虽然可以满足200℃的温度使用情况，但在当温度超过复合介质中的一种材料的居里温度以后，由于居里-外斯效应，介电常数会随着温度升降会有显著波动，这对于材料在高温下的长期稳定性有很大影响。线性介质的介电常数通常不受外加电场的影响。所以，虽然线性电介质通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高温稳定介质陶瓷材料，其特征在于，所述高温稳定介质陶瓷材料具有榍石结构，其组成化学式为CaTi1‑xM10.5xM20.5xSiO5，其中M1和M2为金属离子，0＜x≤10%，优选3≤x≤5%。

【技术特征摘要】
1.一种高温稳定介质陶瓷材料，其特征在于，所述高温稳定介质陶瓷材料具有榍石结构，其组成化学式为CaTi1-xM10.5xM20.5xSiO5，其中M1和M2为金属离子，0＜x≤10%，优选3≤x≤5%。2.根据权利要求1所述的高温稳定介质陶瓷材料，其特征在于，采用两种金属离子M1和M2共同取代Ti离子，M1和M2两种金属离子平均电价之和为+4。3.根据权利要求2所述的高温稳定介质陶瓷材料，其特征在于，M1为Al、Ga、In三族金属元素中的至少一种，M2为Nb、Ta五族元素中的至少一种。4.根据权利要求1-3中任一项所述的高温稳定介质陶瓷材料，其特征在于，所述高温稳定介质陶瓷材料在25～300℃下的介电常数为38～57，优选为47～53。5.根据权利要求1-4中任一项所述的高温稳定介质陶瓷材料，其特征在于，所述高温稳定介质陶瓷材料的耐压强度大于900kV/cm，优选为＞100...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘志甫，彭笑笑，李永祥，
申请(专利权)人：中国科学院上海硅酸盐研究所，
类型：发明
国别省市：上海,31