氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法技术方案

本发明专利技术公开了一种氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法，该系统包括：静态混合器，所述静态混合器具有氯硅烷残液入口、液氮入口和含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口；气液分离罐，所述气液分离罐内自上而下形成气相空间和液相空间，所述液相空间设有液体入口和含金属氯化悬浮物的溶液出口，所述液体入口与所述含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口相连，并且所述液相空间设有液位计，所述气相空间设有氮气出口；过滤器，所述过滤器具有含金属氯化悬浮物的溶液入口、金属氯化物出口、氯硅烷清液出口和滤芯，所述含金属氯化悬浮物的溶液入口与所述含金属氯化悬浮物的溶液出口相连。

【技术实现步骤摘要】
氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法
本专利技术属于多晶硅生产领域，具体而言，本专利技术涉及氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统和方法。
技术介绍
多晶硅生产的西门子工艺，其原理是在1100℃左右的高纯硅芯上用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上。改良西门子工艺是在传统的西门子工艺的基础上，同时具备节能、降耗、回收利用生产过程中伴随产生的大量H2、HCl、SiCl4等副产物以及大量副产热能的配套工艺。在改良西门子法生产多晶硅过程中，会产生大量的副产物四氯化硅。目前，90％以上的多晶硅企业均采用四氯化硅冷氢化技术处理副产物，将其转化为生产多晶硅的原料三氯氢硅。四氯化硅冷氢化技术是将冶金级硅粉、氢气、四氯化硅在一定的温度、压力条件下，在催化剂作用下反应，生成三氯氢硅。由于冶金级硅粉中含有金属杂质，因此氢化产品(氯硅烷)里引入了细微的硅粉和金属杂质。在急冷塔或淋洗塔以及后续的氯硅烷粗馏过程中，为防止堵塞设备和脱除金属杂质，这些细微硅粉和金属杂质将随四氯化硅液体由塔底排出，排出的这部分固液混合物即为残液。残液中含有硅粉和金属氯化物，容易堵塞设备和管道，其中硅粉可通过过滤器除去，但是金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统，其特征在于，包括：静态混合器，所述静态混合器具有氯硅烷残液入口、液氮入口和含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口；气液分离罐，所述气液分离罐内自上而下形成气相空间和液相空间，所述液相空间设有液体入口和含金属氯化悬浮物的溶液出口，所述液体入口与所述含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口相连，并且所述液相空间设有液位计，所述气相空间设有氮气出口；过滤器，所述过滤器具有含金属氯化悬浮物的溶液入口、金属氯化物出口、氯硅烷清液出口和滤芯，所述含金属氯化悬浮物的溶液入口与所述含金属氯化悬浮物的溶液出口相连。

【技术特征摘要】
1.一种氯硅烷残液急冷除金属氯化物的系统，其特征在于，包括：静态混合器，所述静态混合器具有氯硅烷残液入口、液氮入口和含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口；气液分离罐，所述气液分离罐内自上而下形成气相空间和液相空间，所述液相空间设有液体入口和含金属氯化悬浮物的溶液出口，所述液体入口与所述含金属氯化悬浮物及氮气的残液出口相连，并且所述液相空间设有液位计，所述气相空间设有氮气出口；过滤器，所述过滤器具有含金属氯化悬浮物的溶液入口、金属氯化物出口、氯硅烷清液出口和滤芯，所述含金属氯化悬浮物的溶液入口与所述含金属氯化悬浮物的溶液出口相连。2.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，进一步包括：提纯分离装置，所述提纯分离装置具有氯硅烷清液入口、杂质出口和提纯后氯硅烷清液出口，所述氯硅烷清液入口与所述氯硅烷清液出口相连。3.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述过滤器内含有多个所述滤芯。4.根据权利要求1所述的系统，其特征在于，所述液相空间的液位高度不高于所述气液分离罐高度的80％。5.一种采用...

【专利技术属性】
技术研发人员：万烨，曾晓国，严大洲，张升学，张伟，
申请(专利权)人：中国恩菲工程技术有限公司，洛阳中硅高科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11