The invention discloses a manufacturing method of flexible panel. First, the carrier plate is provided, and then a subsequent layer is formed on the carrier plate, a flexible thin film substrate is formed on the subsequent layer, and a component layer is formed on the flexible thin film substrate, which includes a conductive layer and an insulating layer. Then, the carrier plate separation process is carried out, and the flexible thin film substrate and the component layer are separated from the carrier plate. The manufacturing method of flexible panel is based on the relationship between the thermal expansion coefficient of flexible thin film substrate and the thermal expansion coefficient of the carrier plate. The film pattern of the next layer and the setting of the buffer layer are selected. The film pattern of the next layer includes the frame-following structure or the plane-following structure. The buffer layer is formed on the flexible thin film substrate before forming the component layer. The buffer layer is located between the flexible thin film substrate and the component layer.
【技术实现步骤摘要】
可挠式面板以及可挠式面板的制造方法
本专利技术涉及一种可挠式面板以及可挠式面板的制造方法，特别是涉及一种可改善可挠式薄膜基板破裂或掀起问题以及可调整面板颜色的可挠式面板以及可挠式面板的制造方法。
技术介绍
在现今显示技术中，可挠式显示面板由于具有高轻巧性、耐冲击性、可挠曲性、可穿戴性与易携带性等优异特性，目前已俨然成为新一代前瞻显示技术。由于可挠式薄膜基板的刚性不足，因此已知可挠式显示面板的制造方法是利用接着层将可挠式薄膜基板在适当的附着力之下固定在刚性较优的载板上，等制作好电子组件后，再通过剥离工艺使可挠式面板与载板分离。然而，由于可挠式薄膜基板与其接触的载板与导电材料的热膨胀系数并不一致(例如差异大于或等于10ppm/℃)，因此，温度变化会使得膜层之间的热膨胀与收缩互相影响，故在制造工艺中，会因为材料间的热膨胀系数不匹配而导致可挠式薄膜基板在温度变化下产生破裂或掀起，进而造成生产良率的降低，因此产业界须提供更佳且可靠的制造方法。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是提供一种可挠式面板的制造方法，其依据可挠式薄膜基板、载板以及元件层中最靠近可挠式薄膜基板的导...
【技术保护点】
1.一种可挠式面板的制造方法，其特征在于，包括：提供一载板；在所述载板上形成一接着层；在所述接着层上形成一可挠式薄膜基板；在所述可挠式薄膜基板上形成一元件层，所述元件层包括至少一导电层与至少一绝缘层；以及进行一载板分离工艺，将所述可挠式薄膜基板与所述元件层从所述载板分离，其中所述可挠式面板的制造方法依据所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及所述载板的热膨胀系数的关系，进行以下制造工艺的选择，包括：当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差小于10ppm/℃时，则选择使所形成的所述接着层包括一框形接着结构，所述框形接着结构包括一开口，且所述可挠式薄膜基板接触所述框...
【技术特征摘要】
1.一种可挠式面板的制造方法，其特征在于，包括：提供一载板；在所述载板上形成一接着层；在所述接着层上形成一可挠式薄膜基板；在所述可挠式薄膜基板上形成一元件层，所述元件层包括至少一导电层与至少一绝缘层；以及进行一载板分离工艺，将所述可挠式薄膜基板与所述元件层从所述载板分离，其中所述可挠式面板的制造方法依据所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数以及所述载板的热膨胀系数的关系，进行以下制造工艺的选择，包括：当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差小于10ppm/℃时，则选择使所形成的所述接着层包括一框形接着结构，所述框形接着结构包括一开口，且所述可挠式薄膜基板接触所述框形接着结构并且透过所述开口而与所述载板接触；以及当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，则对以下工艺选择其中一者：使所述接着层包括一平面形接着结构，其中所述可挠式薄膜基板接触所述接着层，或是使所述接着层包括所述框形接着结构，所述框形接着结构包括所述开口，且所述可挠式薄膜基板接触所述框形接着结构并且透过所述开口而与所述载板接触，并且在形成所述元件层之前，先于所述可挠式薄膜基板上形成一缓冲层，使得所述缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述元件层之间。2.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，在当所述接着层包括所述框形接着结构时，所述接着层还包括多个条状接着结构，设置在所述框形接着结构内，并使所述框形接着结构与所述条状接着结构构成多个网格图案。3.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，在当所述接着层包括所述平面形接着结构时，所述平面形接着结构的面积大于或相等于所述可挠式薄膜基板的面积，并且所述可挠式薄膜基板不接触所述触载板。4.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，在当所述接着层包括所述平面形接着结构时，所述接着层在所述载板的正投影是位在所述可挠式薄膜基板在所述载板的正投影内，并且所述可挠式薄膜基板的周围部分接触所述载板，而所述可挠式薄膜基板的其余部分与所述接着层接触。5.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：当所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述元件层中最靠近所述可挠式薄膜基板的所述导电层及/或所述绝缘层的热膨胀系数的差大于或等于10ppm/℃时，那么不论所述可挠式薄膜基板的热膨胀系数与所述载板的热膨胀系数的差的大小，在形成所述元件层之前，都先于所述可挠式薄膜基板上形成所述缓冲层，使得所述缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述元件层之间。6.如权利要求5所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，当所述缓冲层位于所述可挠式薄膜基板与所述元件层之间时，所述可挠式薄膜基板不与所述元件层直接接触。7.如权利要求5所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层为单层或多层的缓冲层。8.如权利要求5所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述缓冲层包括氧化硅、氮化硅、氧化铌、氧化铝、有机材料或上述材料的组合或叠层。9.如权利要求1所述的可挠式面板的制造方法，其特征在于，所述载板的材料包括玻璃，所述可挠式薄膜基板的材料包括聚亚酰胺，且所述导电层的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌、银、铜、金属复合材料或上述材料的组合。10.一种可挠式面板，其特征在于，包括：一可挠式薄膜基板；一图案化导电层，设置在所述可挠式薄膜基板上，且所述图案化导电层的厚度小于或等于20奈米或为90奈米至110奈米；以及一保护层，设置在所述图案化导电层上，其中，所述图案化导电层的材料包括氧化铟锡。11.如权利要求10所述的可挠式面板，其特征在于，所述可挠式面板为可挠式触控面板，所述图案化导电层接触所述可挠式薄膜基板且包括多个触控电极。12.一种可挠式面板，其特征在于，包括：一可挠式薄膜基板；一缓冲层，设置在所述可挠式薄膜基板上；以及一元件层，设置在所述缓冲层上。13.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述缓冲层的材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铌、氧化铝或有机材料或上述材料的组合或叠层。14.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述可挠式薄膜基板的材料包括聚亚酰胺，并且所述元件层包括至少一导电层与至少一绝缘层。15.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述缓冲层为单层结构并且所述缓冲层的材料为氧化硅，所述缓冲层的厚度大于或等于20奈米并且小于或等于100奈米。16.如权利要求12所述的可挠式面板，其特征在于，所述缓冲层包括一第一子缓冲层与一第二子缓冲层，且所述第二子缓冲层的折射率不同于所述第一子缓冲层...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈谚宗，徐维志，苏振豪，
申请(专利权)人：南京瀚宇彩欣科技有限责任公司，瀚宇彩晶股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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