一种QLED器件的制备方法技术

本发明专利技术公开一种QLED器件的制备方法。通过对量子点发光层进行高压处理，使其形成致密的薄膜，所述纳米材料在高压作用下产生一定的结晶化作用，继而提高量子点发光层的载流子传输速率。进一步的，通过对功能传输层进行高压处理，使QLED器件中的各功能层之间，功能传输层与量子点发光层之间结合的更紧密，减少了界面之间的缺陷，降低了非辐射复合，进一步的提高了载流子的注入效率和复合发光的效率。

A Fabrication Method of QLED Device

The invention discloses a preparation method of a QLED device. A dense thin film is formed by high pressure treatment of the quantum dot luminescent layer. The nano-material has a certain crystallization effect under high pressure, and then improves the carrier transport rate of the quantum dot luminescent layer. Furthermore, by high-voltage processing of the functional transport layer, the combination of the functional transport layer and the quantum dot luminescence layer in QLED devices is closer, which reduces the defects between the interfaces, reduces the non-radiative recombination, and further improves the carrier injection efficiency and the recombination luminescence efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种QLED器件的制备方法
本专利技术涉及量子点
，尤其涉及一种QLED器件的制备方法。
技术介绍
半导体量子点（Quantumdot,QDs）具有荧光量子效率高、可见光波段发光可调、色域覆盖度宽广等特点。以量子点为发光材料的发光二极管被称为量子点发光二极管（Quantumdotlight-emittingdiode,QLED），具有色彩饱和、能效更高、色温更佳、寿命长等优点，有望成为下一代固态照明和平板显示的主流技术。为了提高QLED器件的效率和性能，研究者对QLED器件结构做了各个方面的研究，尤其是对量子点发光层材料的研究。现有技术主要是通过化学的方法对QLED器件发光层材料进行修饰以提高器件的效率，主要围绕量子点的合成和量子点表面配体修饰两方面。其中，常用的修饰方法是对量子点的表面进行配体交换，将其表面的长链配体替换成短链配体，减少量子点之间的距离，可以提高载流子的注入效率，从而提高QLED器件的发光效率。然而，在器件制备过程中，采用物理的方法对QLED器件的功能层进行修饰，以提高器件薄膜质量和载流子传输效率的研究却鲜有报道。因此，现有技术还有待于改进和发展。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括当量子点发光层完成沉积后，在惰性环境下，对所述量子点发光层进行高压处理的步骤。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件的制备方法，其特征在于，包括当量子点发光层完成沉积后，在惰性环境下，对所述量子点发光层进行高压处理的步骤。2.根据权利要求1所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，还包括当功能传输层完成沉积后，在惰性环境下，对所述功能传输层进行高压处理的步骤。3.根据权利要求2所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述功能传输层为空穴传输层和/或电子传输层。4.根据权利要求1-3任意一项所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述高压处理的压力为1-10MPa，时间为5-120min。5.根据权利要求4所述的QLED器件的制备方法，其特征在于，所述高压处理的过程包括如下步骤：（1）当量子点发光层或功能传输层在器件上完成沉积后，将器件固定在一高压处理装置的密闭容器中，高压处理装置还包括进气阀和出气阀，通过打开进气阀和出气阀，将惰性气体通入密闭容器并将密闭容器内的空气清除；（2...

【专利技术属性】
技术研发人员：王宇，曹蔚然，钱磊，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44