有机电致发光器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。包括：空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，第一掺杂层包括P‑型掺杂物；第二掺杂层包括P‑型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于空穴注入层上；以及电子阻挡层，形成于空穴传输层上；其中，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。第一掺杂层中的P‑型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P‑型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。

Organic electroluminescent devices and their preparation methods

The invention relates to an organic electroluminescent device and a preparation method thereof. Including: the hole injection layer, including the first doping layer and/or the second doping layer; where the first doping layer includes P type dopants; the second doping layer includes P type dopants and hole transport materials; the hole transport layer is formed on the hole injection layer; and the electronic barrier layer is formed on the hole transport layer; where the HOMO energy difference between the electron barrier layer and the hole transport layer is less than that of the hole transport layer. Or equal to 0.2eV. The P type dopants in the first doping layer can increase the injection volume of holes, thus increasing the lifetime of the mass-producing devices. In the second doping layer, the injection volume of holes can be controlled by adjusting the doping concentration of P type dopants, thus adjusting the balance of electrons and holes, thereby improving the lifetime of the mass-producing devices. At the same time, the difference of HOMO energy levels between the electron barrier layer and the hole transport layer is less than or equal to 0.2eV, which can reduce the power consumption of organic light-emitting devices, thereby improving the lifetime of mass-produced devices.

【技术实现步骤摘要】
有机电致发光器件及其制备方法
本专利技术涉及发光器件
，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光是指有机发光材料在电流或者电场的激发作用下发光的现象。有机电致发光器件(OLED，OrganicLight-EmittingDiode)具有主动发光、发光效率高、反应时间快(1μs量级)、工作电压低(3v～10v)、广视角(＞175°以上)、面板厚度薄(＜1mm)、功耗低、工作温度范围广(﹣40℃～﹢85℃)以及可以实现柔性显示等诸多优点，因此引起了广泛的关注。传统的有机电致发光器件导入量产后，寿命下降严重，LT97的寿命往往低于180小时，不利于应用。
技术实现思路
基于此，有必要针对传统的有机电致发光器件的寿命下降严重问题，提供一种能够提升寿命的有机电致发光器件及其制备方法。一种有机电致发光器件，包括：空穴注入层，包括第一掺杂层或者第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物；所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。上述有机电致发光器件中，第一掺杂层中的P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。在其中一个实施例中，所述第二掺杂层中，所述P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％～8wt％。在其中一个实施例中，所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和形成于所述第一掺杂层上的所述第二掺杂层，所述第二掺杂层靠近所述空穴传输层。在其中一个实施例中，所述空穴注入层包括所述第二掺杂层和形成于所述第二掺杂层上的所述第一掺杂层，所述第一掺杂层靠近所述空穴传输层。在其中一个实施例中，当所述空穴注入层由所述第一掺杂层组成时，所述第一掺杂层的厚度为5nm～20nm；当所述空穴注入层由所述第二掺杂层组成时，所述第二掺杂层的厚度为10nm～30nm；当所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和所述第二掺杂层时，所述第一掺杂层的厚度为1nm～10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm～20nm。在其中一个实施例中，所述P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。在其中一个实施例中，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(1)或式(2)所示结构中的至少一种：其中，式(1)中A和B独立选自苯基、萘基或苯胺基；R1、R2、R3、R4、R5、R6、R7、R8、R15、R16、R17和R18独立选自氢元素、卤族元素、CN、NO2、氨基、C6-C30亚稠环芳基、C6～C30的亚稠杂环芳基、C6～C20的烷基和C6～C30的醇基中的一种；R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；式(2)中A1和A2独立选自C6～C30芳基和C6～C30杂环芳基中的一种，R1’选自氢、烷基、烷氧基和盐基中的一种；并且，式(2)同时满足以下条件：A1和A2中的至少一个具有缩环构造。在其中一个实施例中，所述电子阻挡层的材料选自式(3)、式(4)、式(5)或式(6)所示结构的茚并芴衍生物中的至少一种：其中，A和B独立选自苯基、萘基和苯胺基中的一种；R9、R10、R11和R12独立选自C6～C30的芳基中的一种；R13选自C1～C6烷基和羟基中的一种。在其中一个实施例中，所述有机电致发光器件为共用蓝光电子阻挡层的有机电致发光器件。此外，还提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：形成空穴注入层，所述空穴注入层包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物，所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；在所述空穴注入层上形成空穴传输层；以及在所述空穴传输层上形成电子阻挡层；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。采用上述有机电致发光器件的制备方法得到的有机电致发光器件中，第一掺杂层中的P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命；第二掺杂层中，通过调节P-型掺杂物的掺杂浓度，能够控制空穴的注入量，从而调节电子和空穴的平衡性，进而提升量产器件的寿命。同时，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV，能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。附图说明图1为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；图2为实施例1的有机电致发光器件的示意图；图3为实施例2的有机电致发光器件的示意图；图4为实施例5的有机电致发光器件的示意图；图5为实施例6的有机电致发光器件的示意图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似改进，因此本专利技术不受下面公开的具体实施例的限制。本专利技术的一种有机电致发光器件，其包括：空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，第一掺杂层包括P-型掺杂物；第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于空穴注入层上；以及电子阻挡层，形成于空穴传输层上；其中，电子阻挡层与空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。实施方式一的有机电致发光器件包括阳极和依序形成在阳极上的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、有机发光层、电子传输层以及阴极。其中，空穴注入层包括第一掺杂层。第一掺杂层包括P-型掺杂物。P-型掺杂物可以提高空穴注入量，从而提升量产器件的寿命。在前述实施方式的基础上，空穴注入层由第一掺杂层组成。第一掺杂层由P-型掺杂物组成。此时，第一掺杂层中只含有P-型掺杂物，更有利于提高空穴的注入量，从而提升量产器件的寿命。需要说明的是，该实施方式中的P-型掺杂物中可包含少量化学计量范围内的杂质，这些杂质可忽略不计。在前述实施方式的基础上，P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。这类掺杂材料能够注入大量的空穴，从而减小阳极与空穴传输层之间的能级差，从而有利于空穴传递至空穴传输层。当然，P-型掺杂物并不限于上述实施方式，亦可选自其它能够起到减小阳极与空穴传输层之间能级差的材料。在前述实施方式的基础上，第一掺杂层的厚度为5nm～20nm。当第一掺杂层的厚度为5nm～20nm时，一方面，能够有效覆盖阳极表面，从而消除阳极表面粗糙引起的缺陷；另一方面，能够调控空穴的注入量，更有利于空穴传递至有机发光层，与电子进行复合发光。需要说明的是，当空穴注入层包括第一掺杂层时，第一掺杂层可以为一层P-型掺杂物，亦可以为两层或者两层以上的不同的P-型掺杂物的叠加。空穴传输层形成于空穴注入层上。电子阻挡层形成于空穴传输层上。其中，空穴传输层与电子阻挡层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。能够降低有机电致发光器件的功耗，从而提升量产器件的寿命。在前述实施方式的基础上，空穴传本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P‑型掺杂物；所述第二掺杂层包括P‑型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括：空穴注入层，包括第一掺杂层和/或第二掺杂层；其中，所述第一掺杂层包括P-型掺杂物；所述第二掺杂层包括P-型掺杂物和空穴传输材料；空穴传输层，形成于所述空穴注入层上；以及电子阻挡层，形成于所述空穴传输层上；其中，所述电子阻挡层与所述空穴传输层的HOMO能级差小于或者等于0.2eV。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述第二掺杂层中，所述P-型掺杂物的掺杂浓度为3wt％～8wt％。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和形成于所述第一掺杂层上的所述第二掺杂层，所述第二掺杂层靠近所述空穴传输层。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层包括所述第二掺杂层和形成于所述第二掺杂层上的所述第一掺杂层，所述第一掺杂层靠近所述空穴传输层。5.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，当所述空穴注入层由所述第一掺杂层组成时，所述第一掺杂层的厚度为5nm～20nm；当所述空穴注入层由所述第二掺杂层组成时，所述第二掺杂层的厚度为10nm～30nm；当所述空穴注入层包括所述第一掺杂层和所述第二掺杂层时，所述第一掺杂层的厚度为1nm～10nm，所述第二掺杂层的厚度为10nm～20nm。6.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述P-型掺杂物选自NDP-2和NDP-9中的至少一种。7.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴传输材料和所述空穴传输层的材料独立选自式(...

【专利技术属性】
技术研发人员：李维维，刘胜芳，闵超，徐磊，高孝裕，黄秀颀，
申请(专利权)人：昆山国显光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32