发光显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了发光显示装置。该发光显示装置包括：发光元件，其包括第一电极与第二电极之间的发光层；与发光元件交叠的波长转换层；以及不平坦层，其包括发光元件与波长转换层之间的多个沟槽，其中，多个沟槽的底表面与波长转换层分隔开一距离。

Luminescent Display Device

The invention discloses a luminous display device. The luminescent display device includes: a luminescent element comprising a luminescent layer between the first and second electrodes; a wavelength conversion layer overlapping the luminescent element; and an uneven layer comprising a plurality of grooves between the luminescent element and the wavelength conversion layer, in which the bottom surface of the plurality of grooves is separated from the wavelength conversion layer.

【技术实现步骤摘要】
发光显示装置相关申请的交叉引用本申请要求分别于2017年6月30日和2017年9月28日在韩国提交的韩国专利申请号为10-2017-0083798和10-2017-0126431的申请的优先权权益，出于所有目的，通过引用将这两个专利申请整体并入本文中，如同在此完全阐述一样。
本专利技术涉及发光显示装置。
技术介绍
发光显示装置具有高响应速度和低功耗，并且是自发光的，与液晶显示装置不同，因此发光显示装置在视角方面没有问题，并且作为下一代显示装置而具有吸引力。发光显示装置通过发光元件的发射来显示图像，该发光元件包括两个电极之间的发光层。然而，由于在发光层与电极之间的界面处或者在基板与空气之间的界面处发生全反射，所以在发光层处发射的光的一部分没有被输出到外部，因此发光显示装置的光提取效率降低。由于光提取效率低，发光显示装置存在亮度降低和功耗增加的问题。
技术实现思路
因此，本专利技术涉及一种基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的发光显示装置。本专利技术的目的是提供一种可以提高从发光元件发射的光的提取效率的发光显示装置。本公开内容的附加特征和优点将在下面的描述中阐述，并且部分地将从所述描述中显而易见，或者可以通过本公开内容的实践而被了解。将通过书面说明书和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现和获得本公开内容的优点。为了实现这些优点和其他优点，根据本专利技术的目的，如本文中体现和广泛描述的，一种发光显示装置包括：发光元件，其包括第一电极与第二电极之间的发光层；与所述发光元件交叠的波长转换层；以及不平坦层，其包括所述发光元件与所述波长转换层之间多个沟槽，其中，所述多个沟槽的底表面与所述波长转换层之间的最短距离为0.1μm或更大。应该理解，前面的一般性描述和下面的详细描述都是示例性和解释性的，并且意在提供对要求保护的本专利技术的进一步说明。附图说明附图被包括以提供对本公开内容的进一步理解，并且被并入并构成本说明书的一部分，附图示出了本公开内容的实施方式，并且与说明书一起用于说明本公开内容的原理。在附图中：图1是示出了根据本专利技术的第一实施方式的发光显示装置的像素区域的电路图；图2是示出了根据本专利技术的第一实施方式的像素区域的横截面视图；图3是放大图2的部分A的视图；图4是示出了图2的不平坦层的平面结构的平面视图；图5是放大图2的部分A的视图；图6是示出了图2的不平坦层处的发光亮度的平面视图；图7是示出了根据本专利技术的第一实施方式的像素区域的横截面视图；图8是示出了图7的部分B处的不平坦层的截面结构的视图；图9是放大图7的部分B的视图；图10是示出了根据本专利技术的第二实施方式的发光显示装置的像素区域的横截面视图；图11是放大图10的部分A的视图；图12是针对壁的各种纵横比示出了纵横比与电流效率提高之间的关系的图；以及图13是示出了根据半峰纵横比与以下比率之间的关系的亮度效率的图：壁的半峰纵横比与纵横比的比率。具体实施方式现在将详细参考实施方式，其示例在附图中示出。在附图中可以使用相同或相似的附图标记来指代相同或相似的部件。<第一实施方式>图1是示出了根据本专利技术的第一实施方式的发光显示装置的像素区域的电路图。参照图1，第一实施方式的发光显示装置的像素区域包括像素电路PC和发光元件ED。像素电路PC形成在由栅极线GL和数据线DL限定的像素区域内的电路区域中，并且连接至栅极线GL、数据线DL和第一驱动电源VDD。像素电路PC响应于来自栅极线GL的栅极导通信号GS，以根据来自数据线DL的数据电压Vdata来控制发光元件ED的发射。像素电路PC可以包括开关薄膜晶体管(TFT)ST、驱动TFTDT和电容器Cst。开关TFTST包括连接至栅极线GL的栅电极、连接至数据线DL的第一源电极/漏电极、以及连接至驱动TFTDT的栅电极的第二源电极/漏电极。开关TFTST根据来自栅极线GL的栅极导通信号GS将数据电压Vdata提供至驱动TFTDT的栅电极。驱动TFT包括连接至开关TFTST的第二源电极/漏电极的栅电极、连接至第一驱动电源VDD的漏电极、以及连接至发光元件ED的源电极。驱动TFTDT基于从开关TFTST提供的数据电压Vdata根据栅极-源极电压而导通，并且控制从第一驱动电源VDD提供至发光元件ED的数据信号idata。电容器Cst连接在驱动TFTDT的栅电极与源电极之间，以存储与提供至驱动TFTDT的栅电极的数据电压Vdata对应的电压，并且用所存储的电压使驱动TFTDT导通。电容器Cst保持驱动TFTDT的导通状态，直到在下一帧中通过开关TFTST提供数据电压Vdata。发光元件ED形成在像素区域内的发光区域中，并且根据从像素电路PC提供的数据信号idata而发射光。发光元件ED可以包括连接至驱动TFTDT的源电极的第一电极、连接至第二驱动电源VSS的第二电极、以及第一电极与第二电极之间的发光层。发光层可以包括有机发光层、无机发光层和量子点发光层中的一种，或者有机发光层(或无机发光层)和量子点发光层的层叠结构或混合结构。本实施方式的像素区域根据取决于数据电压Vdata的驱动TFTDT的栅极-源极电压来控制被提供至发光元件ED的数据信号idata，并且使发光元件ED发射以显示图像。图2是示出了根据本专利技术的第一实施方式的像素区域的横截面视图。参照图2，本实施方式的像素区域包括像素区域CA和限定在基板100上的发光区域(或开放区域)EA。基板100通常可以由玻璃材料形成，可替选地，可以由具有可弯曲或柔性特性的透明塑料材料(例如，聚酰亚胺材料)形成。在将塑料材料用于基板100的情况下，考虑到在高温下进行沉积，因此可以使用具有极好的耐热性的聚酰亚胺。基板100的整个表面可以被至少一个缓冲层110覆盖。缓冲层110用于防止包含在基板100中的材料在TFT的制造过程中的高温处理中扩散到晶体管层。此外，缓冲层110可以用于防止外部湿气渗透到发光元件ED。缓冲层110可以由氧化硅或氮化硅制成。可替选地，可以省略缓冲层110。电路区域CA包括晶体管层、第一绝缘层130和第二绝缘层170。晶体管层包括驱动TFTDT。驱动TFTDT可以包括有源层111、栅极绝缘层113、栅电极115、钝化层117、漏电极119d和源电极119s。有源层111包括形成在基板100或缓冲层110上所限定的电路区域CA的TFT区域处的沟道区域111c、漏极区域111d和源极区域111s。有源层111包括在栅极绝缘层113的蚀刻处理中通过蚀刻气体变得导电的漏极区域111d和源极区域111s，以及不导电的沟道区域111c。漏极区域111d和源极区域111s可以通过其间的沟道区域111c而彼此间隔开。有源层111可以由半导体材料制成，半导体材料包括但不限于非晶硅、多晶硅、氧化物和有机材料中的至少一种。例如，有源层111可以由氧化物(诸如氧化锌、氧化锡、Ga-In-Zn氧化物、In-Zn氧化物或In-Sn氧化物、或者掺杂有Al、Ni、Cu、Ta、Mo、Zr、V、Hf或Ti的离子的氧化物)形成。栅极绝缘层113形成在有源层111的沟道区域111c上。栅极绝缘层113可以不形成在基板100或缓冲层110的整个表面上，可以仅在沟道区域111c上形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光显示装置，包括：发光元件，所述发光元件包括在第一电极与第二电极之间的发光层；与所述发光元件交叠的波长转换层；以及不平坦层，所述不平坦层包括在所述发光元件与所述波长转换层之间的多个沟槽，其中，所述多个沟槽的底表面与所述波长转换层分隔开一距离。

【技术特征摘要】
2017.06.30 KR 10-2017-0083798;2017.09.28 KR 10-2011.一种发光显示装置，包括：发光元件，所述发光元件包括在第一电极与第二电极之间的发光层；与所述发光元件交叠的波长转换层；以及不平坦层，所述不平坦层包括在所述发光元件与所述波长转换层之间的多个沟槽，其中，所述多个沟槽的底表面与所述波长转换层分隔开一距离。2.根据权利要求1所述的发光显示装置，其中，所述多个沟槽的底表面与所述波长转换层之间的最短距离在0.1μm至3μm的范围内。3.根据权利要求1所述的发光显示装置，还包括：电路区域，所述电路区域包括连接至所述第一电极的薄膜晶体管；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述电路区域并且支承所述波长转换层；以及第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述第一绝缘层和所述波长转换层，其中，所述不平坦层形成在与所述波长转换层交叠的第二绝缘层处。4.根据权利要求3所述的发光显示装置，其中，在所述多个沟槽的底表面与所述波长转换层之间的第二绝缘层具有0.1μm至3μm的厚度。5.一种发光显示装置，包括：包括发光层的发光元件；与所述发光元件竖直交叠的波长转换层；覆盖所述波长转换层的阻挡层；覆盖所述阻挡层的第二绝缘层；不平坦层，所述不平坦层包括设置在所述发光元件与所述波长转换层之间的多个沟槽，其中，所述不平坦层形成在与所述波长转换层交叠的第二绝缘层处，其中，所述阻挡层具有与所述多个沟槽的底表面和所述波长转换层之间的分隔距离对应的厚度。6.根据权利要求5所述的发光显示装置，其中，所述阻挡层具有0.1μm至3μm的厚度。7.根据权利要求5所述的发光显示装置，还包括：电路区域，所述电路区域包括连接至所述第一电极的薄膜晶体管；以及；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述电路区域并且支承所述波长转换层，其中，所述阻挡层覆盖所述电路区域上的所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：金秀刚，具沅会，张志向，赵昭英，
申请(专利权)人：乐金显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR