芯片制造过程中的缺陷检测方法技术

本发明专利技术公开了一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，包括：步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记；步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一工艺层完成之后需进行缺陷检测；包括分步骤：步骤21、确定当前工艺层的原点坐标；步骤22、进行缺陷检测得到当前工艺层的第一缺陷分布图；步骤23、判断当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以第一缺陷分布图作为当前工艺层的最终缺陷分布图；如果具有前一层工艺层，则以第一缺陷分布图扣除前层工艺层的最终缺陷分布图得到当前工艺层的最终缺陷分布图。本发明专利技术能将排除当前工艺层中的前层工艺层的缺陷，能降低当前工艺层的缺陷分析成本。

Defect Detection Method in Chip Manufacturing

The invention discloses a defect detection method in the process of chip manufacturing, which includes: step 1, designing the origin alignment mark of each process layer in the process of chip manufacturing at the stage of layout design; step 2, making the chip and forming each process layer in turn, which needs defect detection after each process layer is completed; step 21, determining the origin of the current process layer. Coordinates; Step 22, Defect detection to obtain the first defect distribution map of the current process layer; Step 23, to determine whether the current process layer has the previous layer; If there is no previous layer, the first defect distribution map is used as the final defect distribution map of the current process layer; If there is the former layer, the first defect distribution map is used to deduct the final defect distribution map of the former layer. The final defect distribution map of the current process layer is obtained from the defect distribution map. The invention can eliminate the defects of the front process layer in the current process layer and reduce the defect analysis cost of the current process layer.

【技术实现步骤摘要】
芯片制造过程中的缺陷检测方法
本专利技术涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种芯片制造过程中的缺陷检测方法。
技术介绍
在芯片制造过程中，在各工艺层次完成之后都需要进行缺陷检测。在半导体集成电路制造领域中，通常采用厂商名为KLA-Tencor公司提供的设备即KLA缺陷检测设备进行缺陷检测。由于KLA缺陷检测是穿插在不同工艺阶段进行，前层工艺层的缺陷由于透光或者被膜质覆盖会导致之后一层的当前工艺层在检测时仍会被筛出，也即在当前工艺层所测试的缺陷中会包括有来自前层工艺层中的缺陷。为了不干扰当前工艺层的缺陷分析，现有方法是通过对前后工艺层的缺陷在芯片的位置坐标进行计算并通过设置容差(tolrence)来过滤掉，也即，通过位置坐标来讲来自于前层工艺层的缺陷在当前工艺层的测试结果中过滤掉。这就要求每一层检测文件设定的坐标原点尽可能一致。然而接触孔(CT)和通孔(VIA)等孔工艺中，通常会形成TiN层，由于被TIN层覆盖后下层即前层工艺层几乎不透光，无法找到并利用下层坐标原点的位置，导致该当前工艺层的原点坐标通常偏离前层工艺层，这样的测试结果非常容易把前层工艺层的缺陷重复检出并误以为是当本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记，所述原点对准标记的在芯片中的位置相同，所述原点对准标记用于在对应的工艺层的缺陷检测过程中定义出原点坐标；步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一所述工艺层完成之后需进行缺陷检测；缺陷检测的分步骤包括：步骤21、令所述缺陷检测对于的工艺层为当前工艺层；根据所述当前工艺层的原点对准标记确定所述当前工艺层的原点坐标；步骤22、进行所述缺陷检测得到所述当前工艺层的第一缺陷分布图；步骤23、判断所述当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以步骤22得到的第...

【技术特征摘要】
1.一种芯片制造过程中的缺陷检测方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在版图设计阶段设计出芯片制造过程中各工艺层的原点对准标记，所述原点对准标记的在芯片中的位置相同，所述原点对准标记用于在对应的工艺层的缺陷检测过程中定义出原点坐标；步骤二、进行芯片制造并依次形成各工艺层，每一所述工艺层完成之后需进行缺陷检测；缺陷检测的分步骤包括：步骤21、令所述缺陷检测对于的工艺层为当前工艺层；根据所述当前工艺层的原点对准标记确定所述当前工艺层的原点坐标；步骤22、进行所述缺陷检测得到所述当前工艺层的第一缺陷分布图；步骤23、判断所述当前工艺层是否具有前一层工艺层；如果没有前一层工艺层，则以步骤22得到的第一缺陷分布图作为所述当前工艺层的最终缺陷分布图；如果具有前一层工艺层，则令所述当前工艺层的前一层工艺层为前层工艺层，则以步骤22得到的所述第一缺陷分布图扣除所述前层工艺层的最终缺陷分布图得到所述当前工艺层的最终缺陷分布图；以所述当前工艺层的最终缺陷分布图作为所述当前工...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴苑，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31