光电薄膜晶体检测传感器制造技术

光电薄膜晶体检测传感器，它涉及传感器领域。它包含传感器壳体、面板、接线端、检测面、接收器、发送器、光电薄膜晶体检测电阻、检测电路、电源，所述传感器壳体前表面设置有面板，所述传感器壳体前端设置有检测面，所述传感器壳体后端设置有接线端，所述传感器壳体前端内部设置有接收器和发送器，所述传感器壳体中部内部设置有光电薄膜晶体检测电阻。本发明专利技术有益效果为：提高传感器检测的精确度，使得传感器可以快速、精确的进行检测，提高了操作人员的工作效率，保护了传感器不受到外力的冲击影响；结构简单，使用、安装方便，操作简单，成本低，精度高、反应快，检测参数多，适用范围广，使用寿命长，具有安全可靠的作用。

Photoelectric Thin Film Crystal Detection Sensor

The photoelectric thin film crystal detection sensor relates to the field of sensors. It comprises a sensor shell, a panel, a wiring end, a detection surface, a receiver, a transmitter, a photoelectric thin film crystal detection resistance, a detection circuit and a power supply. The front surface of the sensor shell is provided with a panel, the front end of the sensor shell is provided with a detection surface, the rear end of the sensor shell is provided with a wiring end, and the front end of the sensor shell is internally provided with a receiver and a transmitter. The middle part of the sensor housing is provided with a photoelectric thin film crystal detection resistance. The advantages of the present invention are as follows: improving the accuracy of sensor detection, enabling the sensor to detect quickly and accurately, improving the working efficiency of operators, and protecting the sensor from the impact of external forces; simple structure, convenient use and installation, simple operation, low cost, high accuracy, fast response, many detection parameters, wide application range and long service life. It has the function of safety and reliability.

【技术实现步骤摘要】
光电薄膜晶体检测传感器
本专利技术涉及传感器领域，具体涉及光电薄膜晶体检测传感器。
技术介绍
光电传感器是将光信号转换为电信号的一种器件。其工作原理基于光电效应。光电效应是指光照射在某些物质上时，物质的电子吸收光子的能量而发生了相应的电效应现象。根据光电效应现象的不同将光电效应分为三类：外光电效应、内光电效应及光生伏特效应。光电器件有光电管、光电倍增管、光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等。分析了光电器件的性能、特性曲线。光电传感器一般由处理通路和处理元件2部分组成。其基本原理是以光电效应为基础，把被测量的变化转换成光信号的变化，然后借助光电元件进一步将非电信号转换成电信号。光电效应是指用光照射某一物体，可以看作是一连串带有一定能量为的光子轰击在这个物体上，此时光子能量就传递给电子，并且是一个光子的全部能量一次性地被一个电子所吸收，电子得到光子传递的能量后其状态就会发生变化，从而使受光照射的物体产生相应的电效应。通常把光电效应分为3类：（1）在光线作用下能使电子逸出物体表面的现象称为外光电效应，如光电管、光电倍增管等；（2）在光线作用下能使物体的电阻率改变的现象称为内光电效应，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.光电薄膜晶体检测传感器，其特征在于：它包含传感器壳体(1)、面板(2)、接线端(3)、检测面(4)、接收器(5)、发送器(6)、光电薄膜晶体检测电阻(7)、检测电路(8)、电源(9)，所述传感器壳体(1)前表面设置有面板(2)，所述传感器壳体(1)前端设置有检测面(4)，所述传感器壳体(1)后端设置有接线端(3)，所述传感器壳体(1)前端内部设置有接收器(5)和发送器(6)，所述传感器壳体(1)中部内部设置有光电薄膜晶体检测电阻(7)，光电薄膜晶体检测电阻(7)上下端设置有喇叭簧片(71)，喇叭簧片(71)上设置有电极片(72)，光电薄膜晶体检测电阻(7)右侧设置有光弧形托板(73)，光弧...

【技术特征摘要】
1.光电薄膜晶体检测传感器，其特征在于：它包含传感器壳体(1)、面板(2)、接线端(3)、检测面(4)、接收器(5)、发送器(6)、光电薄膜晶体检测电阻(7)、检测电路(8)、电源(9)，所述传感器壳体(1)前表面设置有面板(2)，所述传感器壳体(1)前端设置有检测面(4)，所述传感器壳体(1)后端设置有接线端(3)，所述传感器壳体(1)前端内部设置有接收器(5)和发送器(6)，所述传感器壳体(1)中部内部设置有光电薄膜晶体检测电阻(7)，光电薄膜晶体检测电阻(7)上下端设置有喇叭簧片(71)，喇叭簧片(71)上设置有电极片(72)，光电薄膜晶体检测电阻(7)右侧设置有光弧形托板(73)，光弧形托板(73)右侧设置有弹簧片(74)，弹簧片(74)通过安装卡座(75)连接着螺纹安装孔(76)，所述光电薄膜晶体检测电阻(7)右边设置有检测电路(8)，检测电路(8)右边设置有电源(9)，所述接收器(5)包含光电薄膜晶体元件(51)、光电二极管(52)、光电三极管(53)、光电池(54)、透镜(55)，所述透镜(55)靠近检测面(4)，所述透镜(55)的右边依次设置有光电三极管(53)、光电二极管(52)、光电薄膜晶体元件(51)，所述发送器(6)左侧也设置有透镜(55)，所述发送器(6)内从右到左依次设置有发光二极管(61)、激光二极管(62)、红外发射二极管(63)、半导体光源...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱珠，
申请(专利权)人：淮阴师范学院，
类型：发明
国别省市：江苏,32