制备真空绝缘玻璃窗单元的方法技术

本申请涉及制备真空绝缘玻璃窗单元的方法。在所述方法中，最终边缘密封高度变化优选是等于或小于0.20mm，更优选是等于或小于约0.15mm。控制最终边缘密封高度变化，可在真空泵送玻璃基片之间的腔时减少VIG窗组件的玻璃基片的破损。边缘密封高度变化可被控制，例如通过控制绿色熔块材料的初始分配、控制烧制期间的温度变化、和/或控制烧制期间的周期时间。

【技术实现步骤摘要】
制备真空绝缘玻璃窗单元的方法本申请是申请日为2013年5月20日的题为“密封高度变化被减少的真空绝缘玻璃(VIG)窗单元以及制备其的方法”的中国专利申请No.201380040888.5的分案申请
本专利技术涉及一种制备真空绝缘玻璃(VIG)窗单元配置及制备VIG窗单元的方法。特别是，本专利技术涉及一种用于VIG窗单元边缘密封的配置和应用边缘密封材料的方法，来减少最终边缘密封高度的变化，以及减少在真空泵送过程期间可能发生的边缘密封周围VIG窗单元的破损，所述真空泵送过程是用来排空基片之间所形成的腔，其由VIG窗单元的边缘密封的周长定义。本专利技术还涉及一种结构安排和单元的尺寸化，减少在排空所述腔之前的边缘密封高度的变化幅度(例如，公差)。
技术介绍
真空绝缘玻璃(VIG)单元通常包括至少两个分离的玻璃基片，其中附有排空或低压空间/腔。上述基片由外边缘密封互相连接并通常包括隔离片，位于玻璃基片之间，来保持玻璃基片之间的间距，防止由于基片之间的低压环境而造成的玻璃基片损毁。一些示例性VIG配置在类似美国专利Nos.5,657,607,5,664,395,5,657,607,5,902,6本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备真空绝缘玻璃窗单元的方法，所述方法包括以下步骤：将熔块密封材料沉积在第一玻璃基片上，所述熔块密封材料具有周长，所述熔块密封材料通过机器被沉积并具有未燃烧高度，范围为0.6mm‑0.9mm；以及烧制含有所述第一玻璃基片、第二玻璃基片、和夹在所述第一玻璃基片和第二玻璃基片之间的所述熔块密封材料的子组件，来制备真空绝缘玻璃窗单元，其燃烧的熔块密封材料高度变化小于0.20mm；其中，所述烧制的步骤，包括：对所述子组件应用对流循环一段时间，至少为20‑30分钟；其中，所述对流循环期间的温度变化低于或等于2℃；其中，所述熔块密封材料是基于钒的并且包括钒、钡和锌的氧化物，以及其中，所述熔块密封材...

【技术特征摘要】
2012.05.31 US 13/484,5971.一种制备真空绝缘玻璃窗单元的方法，所述方法包括以下步骤：将熔块密封材料沉积在第一玻璃基片上，所述熔块密封材料具有周长，所述熔块密封材料通过机器被沉积并具有未燃烧高度，范围为0.6mm-0.9mm；以及烧制含有所述第一玻璃基片、第二玻璃基片、和夹在所述第一玻璃基片和第二玻璃基片之间的所述熔块密封材料的子组件，来制备真空绝缘玻璃窗单元，其燃烧的熔块密封材料高度变化小于0.20mm；其中，所述烧制的步骤，包括：对所述子组件应用对流循环一段时间，至少为20-30分钟；其中，所述对流循环期间的温度变化低于或等于2℃；其中，所述熔块密封材料是基于钒的并且包括钒、钡和锌的氧化物，以及其中，所述熔块密封材料具有小于250℃的烧...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒂莫西·A·丹尼斯，安德鲁·W·潘特克，
申请(专利权)人：佳殿工业公司，
类型：发明
国别省市：美国,US