TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用技术

本发明专利技术实施例公开一种TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用，涉及量子点材料技术领域，用于提升量子点材料的电致发光效率。所述TADF聚合物配体，包括聚合物主链以及分别枝接在聚合物主链上的TADF活性基团和量子点配位基团；所述TADF活性基团包括给电子基团以及与所述给电子基团连接的吸电子基团；所述给电子基团包括芳香类基团。所述量子点材料包括量子点以及结合在量子点表面如上所述的TADF聚合物配体。本发明专利技术实施例提供的TADF聚合物配体及量子点材料用于QLED的量子点发光层。

【技术实现步骤摘要】
TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用
本专利技术涉及量子点材料
，尤其涉及一种TADF聚合物配体、量子点材料和其制备方法及应用。
技术介绍
随着显示技术的发展，量子点电致发光器件(QuantumDotLightEmittingDiodes，简称QLED)因其不需要额外光源的自发光特性，以及发光峰窄、发光颜色可调、发光效率高等优势，逐渐成为显示技术未来的主流发展方向之一。目前，QLED的发光主要通过两种方式实现，一种方式为载流子直接注入式发光，即空穴从QLED空穴传输层注入到QLED量子点发光层，电子从QLED电子传输层注入到QLED量子点发光层，由空穴和电子在QLED量子点发光层内复合成激子发光；另一种方式为能量传递式发光，即由空穴和电子复合形成的激子将能量直接传递给QLED量子点发光层的量子点而发光。相关技术中，QLED多使用镉系量子点材料来制作QLED量子点发光层。然而，镉系量子点材料的细胞毒性较大，使得镉系量子点材料的使用存在有严格限制，很难被商业化使用。但如果使用磷化铟(InP)、铜铟硫(CuInS2)等无镉量子点材料来制作QLED量子点发光层，又容易出现空本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TADF聚合物配体，其特征在于，包括聚合物主链，以及分别枝接在所述聚合物主链上的TADF活性基团和量子点配位基团。

【技术特征摘要】
1.一种TADF聚合物配体，其特征在于，包括聚合物主链，以及分别枝接在所述聚合物主链上的TADF活性基团和量子点配位基团。2.根据权利要求1所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述TADF活性基团包括给电子基团以及与所述给电子基团连接的吸电子基团；所述给电子基团包括芳香类基团。3.根据权利要求2所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述芳香类基团包括咔唑、二苯胺、三苯胺、吩噻嗪中的一种或多种；所述吸电子基团包括三嗪基、砜基、氰基、苯基多氰基中的一种或多种。4.根据权利要求2所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述聚合物主链包括芳香类基团；所述TADF活性基团和所述聚合物主链共用至少一个所述芳香类基团。5.根据权利要求1所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述量子点配位基团包括至少一个氨基、至少一个羟基、至少一个羧基、至少一个巯基、至少一个硫醚、膦、氧膦中的一种或多种。6.根据权利要求1所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述TADF聚合物配体还包括枝接在所述聚合物主链上的增溶基团。7.根据权利要求6所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述TADF聚合物配体的化学结构式为：其中，p为枝接在所述聚合物主链上的TADF活性基团的单元数，n为枝接在所述聚合物主链上的量子点配位基团的单元数，m为枝接在所述聚合物主链上的增溶基团的单元数。8.根据权利要求6所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述TADF聚合物配体的化学结构式为：其中，p为枝接在所述聚合物主链上的TADF活性基团的单元数，m为枝接在所述聚合物主链上的量子点配位基团的单元数，n为枝接在所述聚合物主链上的增溶基团的单元数。9.根据权利要求1所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述聚合物主链包括由酯、醚、酰胺、烃类、芳香类中的一种或多种聚合组成的主链。10.根据权利要求9所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述烃类包括烷烃碳链、烯烃碳链、炔烃碳链中的一种或多种；所述芳香类包括苯环、呋喃、噻吩、咔唑、三苯胺、芴、螺芴中的一种或多种。11.根据权利要求1所述的TADF聚合物配体，其特征在于，所述聚合物主链包括均聚物、交替共聚物、无归共聚物、嵌段共聚物或枝接共聚物中的一种。12.一种TADF聚合物配体的制备方法，其特征在于，包括：分别制备主链化合物、TADF化合物和量子点配位化合物；将所述主链化合物、所述TADF化合物和所述量子点配位化合物混合反应；获取所述主链化合物、所述TADF化合物和所述量子点配位化合物的反应生成物，作为TADF聚合物；或，分别制备主链化合物和TADF化合...

【专利技术属性】
技术研发人员：张振琦，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11