太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件技术

技术编号:20084036 阅读:27 留言:0更新日期:2019-01-15 03:43
一种太阳能电池片,包括导电连接件和从上至下依次排布的第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极。导电连接件的一端与第一电极电连接,导电连接件的另一端延伸至第二透明导电层邻近第二电极的一侧,所述导电连接件分别与所述第二透明导电层和所述第二电极相互绝缘。

Solar cell sheet and its preparation method, solar cell string and photovoltaic module

A solar cell sheet comprises a conductive connector and a first electrode arranged in sequence from top to bottom, a first transparent conductive layer, a first conductive doping layer, a first passivating layer, a single crystal silicon sheet, a second passivating layer, a second conductive doping layer, a second transparent conductive layer and a second electrode. One end of the conductive connector is electrically connected with the first electrode, and the other end of the conductive connector extends to the side of the second transparent conductive layer adjacent to the second electrode. The conductive connector is insulated from the second transparent conductive layer and the second electrode, respectively.

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件本申请要求于2017年12月5日提交中国专利局、申请号为201711268793.5、专利技术名称为“太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件”以及2017年12月5日提交中国专利局、申请号为201721672980.5、专利技术名称为“双面发电太阳能电池片、电池串及双面发电光伏组件”的中国专利申请的优先权,其全部内容通过引用结合在本申请中。
本公开涉及太阳能
,尤其涉及一种太阳能电池片及其制备方法、太阳能电池串以及光伏组件。
技术介绍
随着太阳能电池技术的发展,异质结太阳能电池以其高效和高稳定性的特点成为主流太阳能电池之一。根据不同的安装方式和安装环境,异质结太阳能电池的实际户外发电量比传统晶硅电池的实际户外发电量高出15%-30%。评价异质结太阳能电池性能优劣的一个重要指标为短路电流密度Jsc。短路电流密度Jsc越大,异质结太阳能电池效率越高。
技术实现思路
本公开第一方面提供了一种太阳能电池片,所述太阳能电池片包括:导电连接件和从上至下依次排布的第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极,所述导电连接件的一端与所述第一电极电连接,所述导电连接件的另一端延伸至所述第二透明导电层邻近所述第二电极的一侧,所述导电连接件分别与所述第二透明导电层和所述第二电极相互绝缘。在一些实施例中,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层形成pn结合。在一些实施例中,所述第一电极包括多条第一栅线,所述多条第一栅线交汇在一起,所述多条第一栅线的交汇部形成第一汇流点,所述导电连接件与所述第一汇流点电连接。在一些实施例中,所述多条第一栅线中的每条第一栅线的宽度为30μm-90μm。在一些实施例中,所述第二电极包括多条第二栅线,所述多条第二栅线交汇在一起,所述多条第二栅线的交汇部形成第二汇流点。在一些实施例中,所述多条第二栅线中的每个第二栅线的宽度为30μm-90μm。在一些实施例中,所述第一汇流点和所述第二汇流点的数量均为多个,所述导电连接件的数量为多个;所述多个导电连接件一一对应的与所述多个第一汇流点连接。在一些实施例中,所述单晶硅片上开设有第一通孔,所述第一钝化层上开设有第二通孔,所述第一掺杂层上开设有第三通孔,所述第二钝化层上开设有第四通孔,所述第二掺杂层上开设有第五通孔,所述第一透明导电层上开设有第六通孔,所述第二透明导电层上开设有第七通孔,所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔、所述第六通孔和所述第七通孔构成贯通孔,所述导电连接件设置在所述贯通孔中。在一些实施例中,所述第二透明导电层用于接触所述导电连接件的表面以及所述贯通孔的内壁和均设置有绝缘膜,或所述第二透明导电层上开设有环状结构的绝缘孔,所述绝缘孔在所述单晶硅片的其中一个面所在平面形成的正投影为环状正投影,所述贯通孔在所述其中一个面所在平面的正投影和所述导电连接件在所述其中一个面所在平面的正投影均位于所述环状正投影所围成的区域内,所述第二汇流点在所述其中一个面所在平面的正投影位于所述环状正投影所围成的区域外。在一些实施例中,所述贯通孔的数量均为多个,所述导电连接件的数量为多个;多个导电连接件一一对应的设在多个贯通孔内;所述多个贯通孔按照n×n阵列排布,n为大于等于3的整数。在一些实施例中,所述导电连接件为银浆灌制而成的连接件,和/或所述第一掺杂层为N型非晶硅基掺杂层,所述第二掺杂层为P型非晶硅基掺杂层,和/或所述第一掺杂层为P型非晶硅基掺杂层,所述第二掺杂层为N型非晶硅基掺杂层,和/或所述第一钝化层和所述第二钝化层均为非晶硅基本征钝化层。本公开第二方面还提供了一种太阳能电池片的制备方法,所述太阳能电池片的制备方法包括:在单晶硅片上开设第一通孔;所述单晶硅片包括相对的第一面和第二面;对所述第一面和所述第二面均进行制绒操作和清洗操作;在所述第一面依次形成第一钝化层和第一掺杂层;在所述第二面依次形成第二钝化层和第二掺杂层;在所述第一掺杂层远离所述第一钝化层的表面形成第一透明导电层;在所述第二掺杂层远离所述第二钝化层叠的表面形成第二透明导电层;在所述第一透明导电层远离所述第一掺杂层的表面制备第一电极;在所述第二透明导电层远离所述第二掺杂层的表面制备第二电极;在所述制备第一电极时或所述制备第二电极时制备位于所述第一通孔内的导电连接件,使得所述导电连接件的一端与所述第一电极连接,所述导电连接件的另一端与延伸至所述第二透明导电层邻近所述第二电极的一侧。在一些实施例中,所述在所述第一面依次形成第一钝化层和第一掺杂层包括:在所述第一面依次沉积第一钝化层和第一掺杂层,使得所述第一钝化层包含第二通孔,所述第一掺杂层包含第三通孔,所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔在所述第一面所在平面的正投影重叠;所述在所述第二面依次形成第二钝化层和第二掺杂层包括:在所述第二面依次沉积第二钝化层和第二掺杂层,使得所述第二钝化层包含第四通孔,所述第二掺杂层包含第五通孔,所述第一通孔、所述第四通孔和所述第五通孔在所述第二面所在平面的正投影重叠;所述在所述第一掺杂层远离所述第一钝化层的表面形成第一透明导电层包括:在所述第一掺杂层远离所述第一钝化层的表面沉积第一透明导电层,使得所述第一透明导电层包含第六通孔,所述第一通孔和所述第六通孔在所述第一面所在平面的正投影重叠;所述在所述第二掺杂层远离所述第二钝化层叠的表面形成第二透明导电层包括:在所述第二掺杂层远离所述第二钝化层的表面沉积第二透明导电层,使得所述第二透明导电层包含第七通孔,所述第一通孔和所述第七通孔在所述第二面所在平面的正投影重叠;所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔、所述第六通孔和所述第七通孔形成贯通孔;所述在所述第一透明导电层远离所述第一掺杂层的表面制备第一电极和所述在所述第二透明导电层远离所述第二掺杂层的表面制备第二电极逐次进行。所述在制备所述第一电极时或制备所述第二电极时制备位于所述第一通孔内的导电连接件包括:在制备所述第一电极时或制备所述第二电极时制备位于贯通孔内的导电连接件;在一些实施例中,在形成第二透明导电层之后,在制备所述第一电极和所述第二电极之前,所述太阳能电池片的制备方法还包括:采用腐蚀工艺或者激光刻蚀工艺将所述贯通孔的内壁所形成的第一透明导电层和第二透明导电层去除;或,在所述贯通孔的内壁和所述第二透明导电层用于接触导电连接件的表面制备绝缘膜,和/或在在形成第二透明导电层之后,在制备所述第一电极和所述第二电极之前,所述太阳能电池片的制备方法还包括:在所述第二透明导电层上开设环状结构的绝缘孔,使所述绝缘孔在第二面所在平面形成的正投影为环状正投影,所述贯通孔所包括的第七通孔在所述第二面所在平面形成的正投影位于所述环状正投影所围成的区域内,所述贯通孔所包括的第七通孔在所述第二面所在平面的正投影和所述导电连接件在所述第二面所在平面的正投影均位于所述环状正投影所围成的区域内。在一些实施例中,所述贯通孔和所述绝缘孔的数量均为多个;多个贯通孔在所述第二面所在平面形成的正投影一一对应的位于所述多个绝缘孔在所述第二面所在平面形成的环状正投本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池片,其特征在于,包括:导电连接件和从上至下依次排布的第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极,其中,所述导电连接件的一端与所述第一电极电连接,所述导电连接件的另一端延伸至所述第二透明导电层邻近所述第二电极的一侧,所述导电连接件分别与所述第二透明导电层和所述第二电极相互绝缘。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2017.12.05 CN 20171126879351.一种太阳能电池片,其特征在于,包括:导电连接件和从上至下依次排布的第一电极、第一透明导电层、第一导电型的第一掺杂层、第一钝化层、单晶硅片、第二钝化层、第二导电型的第二掺杂层、第二透明导电层和第二电极,其中,所述导电连接件的一端与所述第一电极电连接,所述导电连接件的另一端延伸至所述第二透明导电层邻近所述第二电极的一侧,所述导电连接件分别与所述第二透明导电层和所述第二电极相互绝缘。2.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一掺杂层和所述第二掺杂层形成pn结合。3.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第一电极包括多条第一栅线,所述多条第一栅线交汇在一起,所述多条第一栅线的交汇部形成第一汇流点,所述导电连接件与所述第一汇流点电连接。4.根据权利要求3所述的太阳能电池片,其特征在于,所述多条第一栅线中的每个第一栅线的宽度为30μm-90μm。5.根据权利要求1所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第二电极包括多条第二栅线,所述多条第二栅线交汇在一起,所述多条第二栅线的交汇部形成第二汇流点。6.根据权利要求5所述的太阳能电池片,其特征在于,所述多条第二栅线中的每个第二栅线的宽度为30μm-90μm。7.根据权利要求5所述的太阳能电池片,其特征在于,所述单晶硅片上开设有第一通孔,所述第一钝化层上开设有第二通孔,所述第一掺杂层上开设有第三通孔,所述第二钝化层上开设有第四通孔,所述第二掺杂层上开设有第五通孔,所述第一透明导电层上开设有第六通孔,所述第二透明导电层上开设有第七通孔,所述第一通孔、所述第二通孔、所述第三通孔、所述第四通孔、所述第五通孔、所述第六通孔和所述第七通孔构成贯通孔,所述导电连接件设置在所述贯通孔中。8.根据权利要求7所述的太阳能电池片,其特征在于,所述第二透明导电层用于接触所述导电连接件的表面以及所述贯通孔的内壁均设置有绝缘膜;或所述第二透明导电层上开设有环状结构的绝缘孔;所述绝缘孔在所述单晶硅片的其中一个面所在平面形成的正投影为环状正投影,所述贯通孔在所述其中一个面所在平面的正投影和所述导电连接件在所述其中一个面所在平面的正投影均位于所述环状正投影所围成的区域内;所述第二汇流点在所述其中一个面所在平面的正投影位于所述环状正投影所围成的区域外。9.根据权利要求7所述的太阳能电池片,其特征在于,所述贯通孔的数量为多个,所述导电连接件的数量为多个;多个导电连接件一一对应的设在多个贯通孔内;所述多个贯通孔按照n×n阵列排列,n为大于等于3的整数。10.根据权利要求1-9任一项所述的太阳能电池片,其特征在于,所述导电连接件为银浆灌制而成的连接件,和/或所述第一掺杂层为N型非晶硅基掺杂层,所述第二掺杂层为P型非晶硅基掺杂层,和/或所述第一掺杂层为P型非晶硅基掺杂层,所述第二掺杂层为N型非晶硅基掺杂层,和/或所述第一钝化层和所述第二钝化层均为非晶硅基本征钝化层。11.一种太阳能电池片的制备方法,其特征在于,包括:在单晶硅片上开设第一通孔,所述单晶硅片包括相对的第一面和第二面;对所述第一面和所述第二面均进行制绒操作和清洗操作;在所述第一面依次形成第一钝化层和第一掺杂层,在所述第二面依次形成第二钝化层和第二掺杂层;在所述第一掺杂层远离所述第一钝化层的表面形成第一透明导电层;在所述第二掺杂层远离所述第二钝化层的表面形成第二透明导电层;在所述第一透明导电层远离所述第一掺杂层的表面制备第一电极;在所述第二透明导电层远离所述第二掺杂层的表面制备第二电极;在制备所述第一电极时或制备所述第二电极时制备位于所述第一通孔内的导电连接件,使得所述导电连接件的一端与所述第一电极连接,所述导电连接件的另一端延伸至所述第二透明导电层邻近所述第二电极的一侧。12.根据权利要求11所述的太阳能电池片的制备方法,其特征在于,所述在所述第一面依次形成第一钝化层和第一掺杂层包括:在所述第一面依次沉积第一钝化层和第一掺杂层,使得所述第一钝化层包含第二通孔,所述第一掺杂层包含第三通孔,所述第一通孔、所述第二通孔和所述第三通孔在所述第一面所在平面的正投影重叠;所述在所述第二面依次形成第二钝化层和第二掺杂层包括:在所述第二面依次沉积第二钝化层和第二掺杂层,使得所述第二钝化层包含第四通孔,所述第二掺杂层包含第五通孔,所述第一通孔、所述第四通孔和所述第五通孔在所述第二面所在平面的正投影重叠;所述在所述第一掺杂...

【专利技术属性】
技术研发人员:郁操杨苗徐希翔
申请(专利权)人:君泰创新北京科技有限公司
类型:发明
国别省市:北京,11

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