用于锂电池保护的衬底切换电路制造技术

本实用新型专利技术提供的用于锂电池保护的衬底切换电路，包括一锂电池保护芯片、NMOS管M0、衬底控制电路和栅极控制电路；所述锂电池保护芯片通过所述衬底控制电路连接NMOS管M0的衬底；锂电池保护芯片还通过所述栅极控制电路连接NMOS管M0的栅极；NMOS管M0的漏极接地，NMOS管M0的源极输出至电池包的负极。该电路只需要一个NMOS管M0实现，相对于现有技术中需要两个外置NMOS管的方案，降低成本。本申请还可以根据具体情况自行选择NMOS管M0的大小，相对于现有技术中采用全集成芯片的方案，灵活度更高。

【技术实现步骤摘要】
用于锂电池保护的衬底切换电路
本技术属于电子信息
，具体涉及用于锂电池保护的衬底切换电路。
技术介绍
现有的锂电池保护电路的电路图，如图1、图2所示。图1是在锂电池保护芯片外围加上两个外置NMOS管，图2是采用了全集成的芯片，即将MOS管集成到了芯片内部。图1的锂电池保护电路，可以灵活的选择外部NMOS管的大小，灵活度高，但是由于采用两个外置NMOS管，成本较高。图2的锂电池保护电路，通过集成NMOS的方式，可以有效的降低成本，但是其不能选择外部NMOS管的大小，灵活度较差。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本技术提供用于锂电池保护的衬底切换电路，既能有效地降低成本，又可以灵活配置各种NMOS管。一种用于锂电池保护的衬底切换电路，包括一锂电池保护芯片、NMOS管M0、衬底控制电路和栅极控制电路；所述锂电池保护芯片通过所述衬底控制电路连接NMOS管M0的衬底；锂电池保护芯片还通过所述栅极控制电路连接NMOS管M0的栅极；NMOS管M0的漏极接地，NMOS管M0的源极输出至电池包的负极。进一步地，所述衬底控制电路包括NMOS管M1和NMOS管M2；NMOS管M1的源极输出至电池包的负极本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于锂电池保护的衬底切换电路，其特征在于，包括一锂电池保护芯片、NMOS管M0、衬底控制电路和栅极控制电路；所述锂电池保护芯片通过所述衬底控制电路连接NMOS管M0的衬底；锂电池保护芯片还通过所述栅极控制电路连接NMOS管M0的栅极；NMOS管M0的漏极接地，NMOS管M0的源极输出至电池包的负极。

【技术特征摘要】
1.一种用于锂电池保护的衬底切换电路，其特征在于，包括一锂电池保护芯片、NMOS管M0、衬底控制电路和栅极控制电路；所述锂电池保护芯片通过所述衬底控制电路连接NMOS管M0的衬底；锂电池保护芯片还通过所述栅极控制电路连接NMOS管M0的栅极；NMOS管M0的漏极接地，NMOS管M0的源极输出至电池包的负极。2.根据权利要求1所述用于锂电池保护的衬底切换电路，其特征在于，所述衬底控制电路包括NMOS管M1和NMOS管M2；NMOS管M1的源极输出至电池包的负极，NMOS管M1的栅极接锂电池保护芯片的DO口，NMOS管M1的衬底接NMOS管M1的漏极，NMOS管M1的漏极接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的衬底接NMOS管M2的漏极，NMOS管M2的栅极接锂电池保护芯片的CO口，NMOS管M2的源极接地，NMO...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴孝嘉，林剑辉，
申请(专利权)人：深圳市富满电子集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44