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一种陶瓷下料布粉机的电源装置制造方法及图纸

技术编号:20053619 阅读:56 留言:0更新日期:2019-01-09 08:19
本实用新型专利技术公开了一种陶瓷下料布粉机的电源装置,包括电源控制器、负载电机以及为电源控制器和负载电机提供工作电源的电源柜,电源控制器与负载电机电连接,电源控制器包括主控电路,主控电路的输入端连接有保护电路,输出端分别连接有驱动电路和三相逆变电路,电源装置具备过流、过压保护功能,能避免电源装置产生高温发热现象,延长使用寿命,相较于电机电磁铁动力源装置,能极大地降低极陶瓷下料的成本,工作频率更高,并能识别外输入的控制信号,驱动负载电机,完成电气周期换相,使负载电机按位置信号正常运行,相较于电机气动力源装置,本电源装置的能耗更低,为瓷砖布料的花纹始终能达到统一、稳定的效果,具备动力源刹车功能。

【技术实现步骤摘要】
一种陶瓷下料布粉机的电源装置
本技术涉及一种电机电源控制装置,特别是一种陶瓷下料布粉机的电源装置。
技术介绍
在瓷砖生产的过程中,需要使用陶瓷下料布粉机对瓷砖上印花纹,现有的布粉机通常采用气动力或电磁铁动力两种控制装置,然而气动力源装置能耗高,为瓷砖布料的花纹始终不能统一、稳定,并且不具备动力源刹车功能;若使用电磁铁动力源装置,布粉机在工作短时间后,电磁铁动力源装置会出现高温发热现象,造成自身使用寿命短暂,而布粉机需要每三个月更换一次控制装置,成本高昂,另外,电磁铁动力源装置会使得布粉机的工作频率低,不能对高质量瓷砖进行布料,性能欠佳。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足,本技术提供一种能耗低、寿命长、性能好的陶瓷下料布粉机的电源装置。本技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种陶瓷下料布粉机的电源装置,包括电源控制器、负载电机以及为所述电源控制器和负载电机提供工作电源的电源柜,所述电源控制器与所述负载电机电连接,所述电源控制器包括主控电路,所述主控电路的输入端连接有保护电路,输出端分别连接有驱动电路和三相逆变电路;所述电源控制器设置有用于接入控制信号以及电连接所述负载电机的外连接口。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷下料布粉机的电源装置,包括电源控制器、负载电机以及为所述电源控制器和负载电机提供工作电源的电源柜,所述电源控制器与所述负载电机电连接,其特征在于所述电源控制器包括主控电路,所述主控电路的输入端连接有保护电路,输出端分别连接有驱动电路和三相逆变电路;所述电源控制器设置有用于接入控制信号以及电连接所述负载电机的外连接口。

【技术特征摘要】
1.一种陶瓷下料布粉机的电源装置,包括电源控制器、负载电机以及为所述电源控制器和负载电机提供工作电源的电源柜,所述电源控制器与所述负载电机电连接,其特征在于所述电源控制器包括主控电路,所述主控电路的输入端连接有保护电路,输出端分别连接有驱动电路和三相逆变电路;所述电源控制器设置有用于接入控制信号以及电连接所述负载电机的外连接口。2.根据权利要求1所述的陶瓷下料布粉机的电源装置,其特征在于所述主控电路包括主控芯片U1和主控芯片U2,所述主控芯片U1的芯片型号为FT306,所述主控芯片U2的芯片型号为24C08。3.根据权利要求2所述的陶瓷下料布粉机的电源装置,其特征在于所述三相逆变电路包括MOS管M1、MOS管M2、MOS管M3、MOS管M4、MOS管M5、MOS管M6、电容C5、电容C6、电容C7、电容C8、电容C9、电容C15、电容C17、电阻R4、电阻R27、电阻R31、电阻R33、电阻R36、电阻R39、电阻R40、电阻R41、电阻R42、电阻R43、电阻R44、电阻R45和电阻R46;所述MOS管M1的D极接36V电压;所述MOS管M1的G极分三路,一路通过所述电阻R36接所述主控芯片U2的19引脚,第二路和第三路分别通过所述电阻R27和电容C5接所述外连接口的1引脚;所述MOS管M2的D极接所述电阻R27与所述电容C5的节点;所述MOS管M2的G极通过所述电阻R41接所述主控芯片U2的17引脚;所述MOS管M2的S极依次通过所述电阻R4和电容C17接36V电压;电阻R4与电容C17的节点接-36V电压;所述电阻R31与所述电容C6并联,一端接所述MOS管M2的G极与所述电阻R41的节点,另一端接所述MOS管M2的S极与所述电阻R4的节点;所述MOS管M3的D极接36V电压,所述MOS管M3的G极分三路,一路通过所述电阻R33接所述主控芯片U2的15引脚,第二路和第三路分别通过所述电阻R40和电容C7接所述外连接口的2引脚;所述MOS管M3的S极接所述外连接口的2引脚与所述电容C7的节点;所述MOS管M4的D极接所述外连接口的2引脚与所述电容C7的节点;所述MOS管M4的G极通过所述电阻R39接所述主控芯片U2的13引脚;所述MOS管M4的S极接所述MOS管M2的S极与所述电容C6的节点;所述电阻R42与所述电容C8并联后,一端接所述MOS管M4的G极与所述电阻R39的节点,另一端接所述MOS管M4的S极与所述MOS管M3的S极的节点;所述MOS管M5的D极接36V电压;所述MOS管M5的G极分三路,一路通过所述电阻R43接所述主控芯片U2的9引脚,第二路和第三路分别通过所...

【专利技术属性】
技术研发人员:魏平黄世平
申请(专利权)人:魏平黄世平
类型:新型
国别省市:四川,51

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