一种功耗控制方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种功耗控制方法及装置，该方法包括：获取所述内存的第一功耗参数；若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。本发明专利技术实施例监控内存的功耗情况，使得即使CPU的功耗较小，只要内存的功耗较大，也能进行对应于CPU的功耗抑制处理，从而有效降低移动终端的功耗。

【技术实现步骤摘要】
一种功耗控制方法及装置
本专利技术涉及移动终端
，特别是涉及一种功耗控制方法及装置。
技术介绍
随着移动终端技术的发展，人们对移动终端的依赖性日渐提高。人们在使用移动终端时，移动终端需要通过运算等方式处理各项事务，移动终端在进行计算或其他事务时，通常会造成功耗。现有技术中，通常只监控CPU的功耗情况，只有CPU功耗较大时，才通过抑制CPU部分性能的方式，降低功耗。申请人发现上述技术方案存在如下缺点：CPU的功耗只是造成移动终端功耗的一部分，现有技术只有CPU功耗较大时，才抑制CPU部分性能，然而移动终端中还会有其他模块带来较大功耗，现有技术中不能及时进行功耗抑制，使得降低移动终端功耗所起到的效果不明显。
技术实现思路
本专利技术实施例提供一种功耗控制方法及装置，以解决移动终端功耗较大时，现有的方式难以有效降低功耗的问题。为了解决上述技术问题，本专利技术提供了一种功耗控制方法，应用于移动终端，所述移动终端包括内存、CPU；所述方法包括：获取所述内存的第一功耗参数；若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。本专利技术实施例还提供了一种功耗控制装置，应用于移动终端，所述移动终端包括内存、CPU；所述装置包括：第一获取模块，用于获取所述内存的第一功耗参数；第一执行模块，用于若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。本专利技术实施例另外还提供了一种移动终端，包括处理器、存储器及存储在所述存储器上并可在所述处理器上运行的计算机程序，所述计算机程序被所述处理器执行时实现前述的功耗控制方法的步骤。本专利技术实施例另外还提供了一种计算机可读存储介质，所述计算机可读存储介质上存储计算机程序，所述计算机程序被处理器执行时实现前述的功耗控制方法的步骤。本专利技术实施例中，获取了内存的第一功耗参数，且在第一功耗参数满足第一预设条件时，对CPU进行功耗抑制处理。即本专利技术实施例监控内存的功耗情况，使得即使CPU的功耗较小，只要内存的功耗较大，也能进行对应于CPU的功耗抑制处理，从而有效降低移动终端的功耗。附图说明图1是本专利技术实施例一的一种功耗控制方法的步骤流程图；图2是本专利技术实施例二的一种功耗控制方法的具体步骤流程图；图3是本专利技术实施例二的一种内存温度功耗关系示意图；图4是本专利技术实施例二的一种内存寄存器参数示意图；图5是本专利技术装置实施例三的一种功耗控制装置的结构框图；图6是本专利技术装置实施例三的一种功耗控制装置的具体结构框图；图7是本专利技术实施例的一种移动终端的结构框图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。【方法实施例一】参照图1，示出了本专利技术实施例中的一种功耗控制方法的步骤流程图。该方法应用于移动终端，移动终端包括内存和CPU，具体步骤包括：步骤101：获取所述内存的第一功耗参数。在本专利技术实施例中，移动终端包括但不限于手机、平板电脑、笔记本电脑、掌上电脑、车载终端、可穿戴设备、以及计步器等。具体应用中，内存可以是DRAM(DynamicRandomAccessMemory，动态随机存取存储器)，DRAM上的MOS管(metaloxidesemiconductor，场效应晶体管)的温度在运行中会逐渐上升，MOS管的温度上升后会增加功耗，因此，第一功耗参数可以为内存的当前温度值，也可以为其他可以用于反映内存功耗的参数，本专利技术实施例对第一功耗参数不做具体限定。步骤102：若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。本专利技术实施例中，第一预设条件可以根据第一功耗参数的具体内容进行确定，以步骤101中第一功耗参数为内存的当前温度值为例，第一功耗参数满足第一预设条件可以为：内存的当前温度值大于预设内存温度值；可以理解，本领域技术人员可以根据实际情况，确定第一预设条件的具体内容，使得若第一功耗参数满足第一预设条件，可以认为内存的功耗过大，执行对CPU的功耗抑制操作。具体应用中，对CPU进行功耗抑制处理具体可以是，关闭CPU中不进行运算的运算单元，或者将CPU的工作频率调整为CPU最低工作频率，或者将CPU的工作电压调整为CPU最低工作电压，或者将上述三种情况任意组合抑制CPU功耗，本领域技术人员也可以根据实际应用场景，确定对CPU进行功耗抑制的具体操作，本专利技术实施例对此不做具体限制。本专利技术实施例中，获取了内存的第一功耗参数，且在第一功耗参数满足第一预设条件时，对CPU进行功耗抑制处理。即本专利技术实施例监控内存的功耗情况，使得即使CPU的功耗较小，只要内存的功耗较大，也能进行对应于CPU的功耗抑制操作，从而有效降低移动终端的功耗。【方法实施例二】参照图2，示出了本专利技术实施例中的一种功耗控制方法的具体步骤流程图。应用于移动终端，移动终端包括内存和CPU，具体步骤包括：步骤201：获取所述内存的自刷新频率。本专利技术实施例中，第一功耗参数为自刷新频率。将自刷新频率作为内存的第一功耗参数是因为，申请人经过大量的研究和实验发现，作为资料存储元器件，DRAM具有资料挥发性，因此需要以一定频率进行自刷新以维护资料完整性，其自刷新频率取决于温度，当温度越高，DRAM自刷新频率与DRAM漏电流会大幅增高，功耗也会大幅增高。具体可以如图3所示，DRAM的温度与功耗呈正相关的特性，图3中阶梯状的剧烈功耗提升是为了在高温条件下继续保持DRAM中的0/1讯号不随时间消逝，因而提高了DRAM自刷新频率以维持DRAM中资料完整性，具体应用中，自刷新频率可以在初始自刷新频率的基础上提升0.25/0.5/1/2/4倍等，自刷新频率提高会造成耗电几乎成倍率成长。因此，本专利技术实施例中，选择将内存的自刷新频率作为第一功耗参数，自刷新频率越高，可以表示功耗越大。具体应用中，可以首先通过移动终端所搭载的底层作业系统读取内存的自刷新频率，如通过linuxkernel(linux内核)读取内存的自刷新频率，然后，移动终端中的控制模块可以通过与底层作业系统通信，获取该自刷新频率。可以理解，本领域技术人员也可以根据实际应用场景，获取内存的自刷新频率，本专利技术实施例对此不做具体限定。优选地，所述内存包括寄存器，所述寄存器设置有寄存器参数，所述获取所述内存的自刷新频率的步骤，包括：根据所述寄存器参数，获取所述自刷新频率。具体应用中，如图4所示，DRAM自刷新频率来自于DRAM内部的寄存器，如图4所示，寄存器中设置有较多的寄存参数，标号20的位置为记录自刷新频率的位置，由于该位置对应于DRAM的编号4寄存器，因此可以MR4代称之。利用移动终端所搭载的底层作业系统linuxkernel获取MR4的实时数值，就可以进一步确定出内存的自刷新频率。步骤202：若所述自刷新频率大于预设频率，对所述CPU进行功耗抑制处理。步骤203：若所述第一功耗参数不满足所述第一预设条件，获取所述CPU的第二功耗参数；其中，所述第二功耗参数包括：温度参数。本专利技术实施例中，第一功耗参数不满足第一预设条件可以具体为，内存的自刷新频率不大于预设频率。CPU的第本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种功耗控制方法，应用于移动终端，其特征在于，所述移动终端包括内存、CPU；所述方法包括：获取所述内存的第一功耗参数；若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。

【技术特征摘要】
1.一种功耗控制方法，应用于移动终端，其特征在于，所述移动终端包括内存、CPU；所述方法包括：获取所述内存的第一功耗参数；若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一功耗参数包括：自刷新频率；所述获取所述内存的第一功耗参数的步骤，包括：获取所述内存的自刷新频率；所述若所述第一功耗参数满足第一预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理的步骤，包括：若所述自刷新频率大于预设频率，对所述CPU进行功耗抑制处理。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述内存包括寄存器，所述寄存器设置有寄存器参数，所述获取所述内存的自刷新频率的步骤，包括：根据所述寄存器参数，获取所述自刷新频率。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：若所述第一功耗参数不满足所述第一预设条件，获取所述CPU的第二功耗参数；其中，所述第二功耗参数包括：温度参数；若所述第二功耗参数满足第二预设条件，对所述CPU进行功耗抑制处理。5.根据权利要求1至4任一所述的方法，其特征在于，所述对所述CPU进行功耗抑制处理的步骤，包括：降低所述CPU的工作频率，和/或，降低所述CPU的工作电压。6....

【专利技术属性】
技术研发人员：李佳缙，
申请(专利权)人：维沃移动通信有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44