一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法技术

本发明专利技术涉及光电子技术领域，提供了一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，包括S1‑S6六个步骤。本发明专利技术的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法采用部分区域设置光栅光刻版，一方面能够改善小发散角DFB激光器的光谱特性，提高良率，另一方面能够有效提高光输出功率；且通过采用反应离子刻蚀技术和非选择性湿法腐蚀形成渐变式波导结构，一方面，结合普通的异质结掩埋工艺，无需对接无源波导，可实现远场发散角为圆形，进一步提高光输出功率，提高器件耦合效率高，从而有效降低光器件TO的封装成本；另一方面，制作工艺与常规异质结掩埋工艺相同，未增加新的工艺，适合批量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法
本专利技术涉及光电子
，具体为一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法。
技术介绍
DFB激光器主要有两种结构：1.脊形波导RWG结构；2.掩埋异质结BH结构。与传统的RWG结构相比，BH结构一方面能够通过掩埋低折射率InP材料对有源区进行光限制，同时掩埋PN反向电流阻挡层对有源区进行载流子限制，远场发散角有一定的优势，但其远场光斑仍然为一个椭圆，垂直方向角度比水平方向角度大8-10度。由于DFB激光器的远场发散角大小直接与TO器件封装后光输出功率相关，远场发散角越小，光输出功率越大，TO器件封装成本越低。因此，为了进一步降低DFB激光器的远场发散角，国内外技术人员开始尝试各种技术方案，主要包括：1.对接无源波导；2.选区生长。然而对于第一种方案，在BH工艺基础增加对接生长工艺，工艺制程增加，不利于批量生产，对于第二种方案，选区生长控制工艺要求高，难度大，不利于批量生产。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，至少可以解决现有技术中的部分缺陷。为实现上述目的，本专利技术实施例提供如下技术本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，制备外延片，且所述外延片的最上层为InP光栅层；S2，于所述InP光栅层上涂覆光刻胶且于部分区域所述光刻胶上通过光栅光刻版形成布拉格光栅区域，其它部分区域为布拉格非光栅区域，且于所述布拉格光栅区域形成光栅图形；S3，将形成有光栅图形的所述光刻胶上依次生长光栅掩埋P型InP层及本征InGaAsP层；S4，于所述本征InGaAsP层上通过一次生长进行脊形掩膜光刻，形成脊条，对所述脊条下方各层结构的两侧均依次进行脊形腐蚀，以使所述脊条下方的各层结构沿腐蚀方向整体呈渐扩状结构；S5，在所述渐扩状结构的两个渐扩的边沿上均进...

【技术特征摘要】
1.一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：S1，制备外延片，且所述外延片的最上层为InP光栅层；S2，于所述InP光栅层上涂覆光刻胶且于部分区域所述光刻胶上通过光栅光刻版形成布拉格光栅区域，其它部分区域为布拉格非光栅区域，且于所述布拉格光栅区域形成光栅图形；S3，将形成有光栅图形的所述光刻胶上依次生长光栅掩埋P型InP层及本征InGaAsP层；S4，于所述本征InGaAsP层上通过一次生长进行脊形掩膜光刻，形成脊条，对所述脊条下方各层结构的两侧均依次进行脊形腐蚀，以使所述脊条下方的各层结构沿腐蚀方向整体呈渐扩状结构；S5，在所述渐扩状结构的两个渐扩的边沿上均进行高温热处理，且在高温热处理后的所述渐扩的边沿上依次生长第一电流阻挡层和第二电流阻挡层，所述第一电流阻挡层为P型InP层，所述第二电流阻挡层为N型InP层；S6，对所述S5步骤后成型的整体结构进行后续工艺，以获得激光器。2.如权利要求1所述的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，其特征在于：所述S4步骤中，两个渐扩的边沿均为平滑的曲面，且所述曲面的斜率逐渐变小。3.如权利要求1所述的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，其特征在于，所述S4步骤中，所述脊条的形成具体为：S40，先将所述第一掩膜层制作为三段式结构，所述三段式结构包括依次连接的第一段、第二段以及第三段，其中，所述第二段的首端和尾端分别与所述第一段和所述第三段连接，所述第二段的首端的尺寸小于所述第二段的尾端的尺寸，且沿所述首端至所述尾端方向所述第二段的尺寸渐扩；S41，然后采用该第一掩膜层进行脊形掩膜光刻，以获得具有渐变结构的脊形。4.如权利要求3所述的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，其特征在于：将渐扩的差值控制在-1.2～-1.4μm之间。5.如权利要求3所述的一种小发散角掩埋异质结DFB激光器的制作方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张恩，李紫谦，刘建军，许海明，
申请(专利权)人：湖北光安伦科技有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42