显示面板及发光组件基板的检测方法技术

一种显示面板，包括发光组件基板、对向基板、共通电极以及至少一导通结构。发光组件基板包括基板、第一接垫、至少两个测试接垫以及至少两个微型发光二极管。第一接垫以及至少两个测试接垫位于基板上。至少两个微型发光二极管的每一者包括第一半导体层、第一电极、第二半导体层以及第二电极。第一电极电性连接至第一接垫。第二电极电性连接至至少两个测试接垫中对应的一者。对向基板与发光组件基板相隔一间距。至少一导通结构电性连接共通电极以及至少两个测试接垫。一种发光组件基板的检测方法亦被提出。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及发光组件基板的检测方法
本专利技术是有关于一种显示面板及发光组件基板的检测方法，且特别是有关于一种具有测试接垫的显示面板及发光组件基板的检测方法。
技术介绍
发光二极管(Light-EmittingDiode；LED)为一种自发光组件，其具低功耗、高亮度、高分辨率及高色彩饱和度等特性，因而适用于构建发光二极管显示面板的画素结构。然而，随着发光二极管的体积逐渐缩小，发光二极管显示面板在制造的过程中浮现了新的问题。当一个画素电路中包括多个藉由串联或并联方式连接的微型发光二极管时，即使测量出来的画素可以正常显示，但也不能确定该画素中是否每个微型发光二极管皆正常运作。因此，目前亟需一种能解决上述问题的方案。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板，能解决检测微型发光二极管是否故障的问题，以改善显示面板的质量。本专利技术提供一种发光组件基板的检测方法，能解决检测微型发光二极管是否故障的问题，以改善显示面板的质量。本专利技术的一种显示面板，包括发光组件基板、对向基板、共通电极以及至少一导通结构。发光组件基板包括基板、第一接垫、至少两个测试接垫以及至少两个微型发光二极管。第一接垫位于基板上。至少两个测试接垫位于基板上。至少两个微型发光二极管的每一者包括第一半导体层、第一电极、第二半导体层以及第二电极。第一电极电性连接至第一接垫以及第一半导体层。第二半导体层重叠于第一半导体层。第二电极电性连接至第二半导体层以及至少两个测试接垫中对应的一者。对向基板位于发光组件基板上，且与发光组件基板相隔一间距。共通电极位于对向基板上。至少一导通结构电性连接共通电极以及至少两个测试接垫。本专利技术的一种发光组件基板的检测方法，包括：提供一发光组件基板，发光组件基板包括基板、第一接垫、至少两个测试接垫、以及至少两个微型发光二极管；以至少两探针分别接触该至少两个测试接垫；以及分别对该至少两个微型发光二极管施加电压，以检测该至少两个微型发光二极管。第一接垫位于基板上。至少两个测试接垫位于基板上。至少两个微型发光二极管中的每一者包括第一半导体层、第一电极、第二半导体层以及第二电极。第一电极电性连接至第一接垫以及第一半导体层。第二半导体层重叠于第一半导体层。第二电极电性连接至第二半导体层以及至少两个测试接垫中对应的一者。基于上述，本专利技术的显示面板及发光组件基板的检测方法，透过显示面板包括发光组件基板、对向基板、共通电极以及至少一导通结构，其中发光组件基板包括基板、第一接垫、至少两个测试接垫以及至少两个微型发光二极管，能解决检测微型发光二极管是否故障的问题，以改善显示面板的质量。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明图1A是依照本专利技术一实施例的一种显示面板的立体示意图。图1B是图1A中剖面线A-A’的剖面示意图。图2A是依照本专利技术一实施例的微型发光二极管的剖面示意图。图2B是依照本专利技术另一实施例的微型发光二极管的剖面示意图。图3是依照本专利技术另一实施例的一种显示面板的立体示意图。图4A至图4C是依照本专利技术一实施例的一种发光组件基板的检测流程的电路示意图。其中，附图标记10、20、30：显示面板100：发光组件基板110：第一接垫120：挡墙结构132：第一半导体层134：发光层136：第二半导体层138：绝缘层140a、140b：测试接垫200：导通结构210：高分子柱220：导电层300：对向基板400a、400b：探针A-A’：剖面线CF：彩色滤光组件COM：共通电极D：汲极E1：第一电极E2：第二电极FL：平坦层G：闸极GI：闸绝缘层L：激光LED、LED1、LED2：微型发光二极管O、O1、O2：开口OC：奥姆接触层OVDD：系统高电压OVSS1、OVSS2：系统低电压PE：画素电路PX：画素区S：源极SB：基板SL1、SL2、SL3：讯号线SM：半导体图案层T：主动组件V1：通孔W1、W2：导线α：夹角具体实施方式在下文中将参照附图更全面地描述本专利技术，在附图中示出了本专利技术的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，可以以各种不同的方式修改所描述的实施例，而不脱离本专利技术的精神或范围。除非另有定义，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本专利技术所属领域的普通技术人员通常理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义，并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义，除非本文中明确地这样定义。本文参考作为理想化实施例的示意图的截面图来描述示例性实施例。因此，可以预期到作为例如制造技术及/或(and/or)公差的结果的图示的形状变化。因此，本文所述的实施例不应被解释为限于如本文所示的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的形状偏差。例如，示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙及/或非线性特征。此外，所示的锐角可以是圆的。因此，图中所示的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不是旨在示出区域的精确形状，并且不是旨在限制权利要求的范围。图1A是依照本专利技术一实施例的一种显示面板的立体示意图。图1B是图1A中剖面线A-A’的剖面示意图。请参考图1A及图1B，显示面板10包括发光组件基板100、对向基板300、共通电极COM以及导通结构200。在本实施例中，显示面板10还包括彩色滤光组件CF，但本专利技术不以此为限。在本实施例中，图1A是以发光组件基板100包括基板SB、三个第一接垫110、三个测试接垫140a、三个测试接垫140b、三个微型发光二极管LED1以及三个微型发光二极管LED2为例，但本专利技术不以此为限。在一些实施例中，发光组件基板100包括基板SB、第一接垫110、测试接垫140a、测试接垫140b、微型发光二极管LED1以及微型发光二极管LED2。在本实施例中，发光组件基板100还包括主动组件T及挡墙结构120。基板SB的材质可为玻璃、石英、有机聚合物、金属、或是其它可适用的材料。主动组件T位于基板SB上。主动组件T包括闸极G、源极S、汲极D以及半导体图案层SM。闸极G位于基板SB上。闸极G电性连接至扫描线(未绘示)其中的一者。闸极G的材质可为单层或多层堆栈的导电材料。闸绝缘层GI覆盖基板SB以与门极G。闸极G位于基板SB与闸绝缘层GI之间。闸绝缘层GI可为单层结构或多层堆栈的复合结构。半导体图案层SM与闸极G重叠且藉由闸绝缘层GI彼此分隔而不接触。半导体图案层SM可为单层或多层结构，其包含非晶硅、多晶硅、微晶硅、单晶硅、有机半导体材料、氧化物半导体材料(例如：铟锌氧化物、铟镓锌氧化物、其它合适的材料或上述的组合)、其它合适的材料、含有掺杂物(dopant)于上述材料中或上述材料的组合。在本实施例中，半导体图案层SM表面具有奥姆接触层OC，但本专利技术不以此为限。奥姆接触层OC的材料例如是N型掺杂半导体或P型掺杂半导体。源极S及汲极D位于半导体图案层SM上，且与半导体图案层SM电性连接。源极S及汲极D与半导体图案层SM之间夹有奥姆接触层OC。源极S与数据线(未绘示)其中之一电性连接。汲极D电性连接至微型发光二极管LED1、LED2的一端，汲极D例如电性连接至微型发光二极管LED1、LED2的阴极或阳极。在本实施例中，源极S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：一发光组件基板，包括：一基板；一第一接垫，位于该基板上；至少两个测试接垫，位于该基板上；以及至少两个微型发光二极管，该至少两个微型发光二极管中的每一者包括：一第一半导体层；一第一电极，电性连接至该第一接垫以及该第一半导体层；一第二半导体层，重叠于该第一半导体层；以及一第二电极，电性连接至该第二半导体层以及该至少两个测试接垫中对应的一者；一对向基板，位于该发光组件基板上，且与该发光组件基板相隔一间距；一共通电极，位于该对向基板上；以及至少一导通结构，电性连接该共通电极以及该至少两个测试接垫。

【技术特征摘要】
2018.07.04 TW 1071231991.一种显示面板，其特征在于，包括：一发光组件基板，包括：一基板；一第一接垫，位于该基板上；至少两个测试接垫，位于该基板上；以及至少两个微型发光二极管，该至少两个微型发光二极管中的每一者包括：一第一半导体层；一第一电极，电性连接至该第一接垫以及该第一半导体层；一第二半导体层，重叠于该第一半导体层；以及一第二电极，电性连接至该第二半导体层以及该至少两个测试接垫中对应的一者；一对向基板，位于该发光组件基板上，且与该发光组件基板相隔一间距；一共通电极，位于该对向基板上；以及至少一导通结构，电性连接该共通电极以及该至少两个测试接垫。2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：一挡墙结构，位于该至少两个微型发光二极管周围，且该至少两个测试接垫位于该挡墙结构上。3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该至少两个测试接垫中的每一个的尺寸为10微米至50微米。4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，更包括：一彩色滤光组件，位于该对向基板上。5.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该至少一导通结构包括：至少一高分子柱；以及至少一导电层，位于该至少一高分子柱上。6.如权利要求1所述的显示面...

【专利技术属性】
技术研发人员：詹孟熙，林振祺，郭庭玮，洪嘉泽，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71