用于制造绝缘层和多层印刷电路板的方法技术

本发明专利技术涉及用于制造绝缘层的方法，其可以以更快且更简单的方式制造，可以改善工艺效率，可以防止对绝缘层的物理损坏，并且可以容易地调节层厚度；以及使用由所述制造绝缘层的方法获得的绝缘层来制造多层印刷电路板的方法。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于制造绝缘层和多层印刷电路板的方法
相关申请的交叉引用本申请要求向韩国知识产权局于2016年10月24日提交的韩国专利申请第10-2016-0138673号和于2017年10月20日提交的韩国专利申请第10-2017-0136513号的优先权和权益，其公开内容通过引用整体并入本文。本专利技术涉及用于制造绝缘层的方法和用于制造多层印刷电路板的方法。更具体地，本专利技术涉及用于制造绝缘层的方法，其可以以更快且更简单的方式制造，可以改善工艺效率，可以防止对绝缘层的物理损坏，并且可以容易地调节层厚度；以及使用由所述制造绝缘层的方法获得的绝缘层来制造多层印刷电路板的方法。
技术介绍
最近的电子器件越来越小型化、轻量化和高功能化。为此，随着积层PCB(built-upprintedcircuitboard，积层印刷电路板)的应用领域主要在小型器件中迅速扩展，多层印刷电路板的使用正在迅速增加。多层印刷电路板可以由平面布线进行三维布线。尤其是在工业电子领域中，多层印刷电路板改善了功能元件如集成电路(IC)和大规模集成电路(LSI)的集成度，并且还有利于电子器件的小型化、轻量化、高功能化、结构电功能件的集成、装配时间缩短、成本降低等的产品。在这些应用领域中使用的积层PCB必然需要各层之间的连接。为此目的，已经使用形成与多层印刷电路板的层间电连接路径对应的通孔的方法，但是在减小通孔的直径方面存在限制，并且难以实现高密度。因此，提出了利用直径小于通孔直径的细小突出物作为多层印刷电路板的层之间的电连接路径。然而，现有技术中使用的方法大多通过以下过程来进行：在单个电路上形成金属部件的细小突出物，用绝缘层覆盖细小突出物，然后物理地除去绝缘层直到细小突出物暴露在表面上。存在的限制在于，绝缘层在物理除去过程中容易破裂，并且难以容易地匹配期望的厚度。
技术实现思路
技术问题本专利技术的一个目的是提供用于制造绝缘层的方法，其可以以更快且更简单的方式制造，可以改善工艺效率，可以防止对绝缘层的物理损坏，并且可以容易地调整层厚度。本专利技术的另一个目的是提供使用由制造绝缘层的方法获得的绝缘层来制造多层印刷电路板的方法。技术方案本专利技术的一个实施方案提供了用于制造绝缘层的方法，其包括以下步骤：将具有形成在其表面上的金属突出物的导体布线用包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂的聚合物树脂层密封；使聚合物树脂层一次固化；用碱性水溶液蚀刻经固化的聚合物树脂层的表面以暴露金属突出物；以及在金属突出物暴露的状态下使聚合物树脂层二次固化。本专利技术的另一个实施方案提供了用于制造多层印刷电路板的方法，其包括在由制造绝缘层的方法获得的绝缘层上形成金属图案层的步骤。下面将更详细地描述根据本专利技术的具体实施方案的用于制造绝缘层的方法和用于制造多层印刷电路板的方法。根据本专利技术的一个实施方案，可以提供用于制造绝缘层的方法，其包括以下步骤：将具有形成在其表面上的金属突出物的导体布线用包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂的聚合物树脂层密封；使聚合物树脂层一次固化；用碱性水溶液蚀刻经固化的聚合物树脂层的表面以暴露金属突出物；以及在金属突出物暴露的状态下使聚合物树脂层二次固化。本专利技术人通过实验发现，当使用本实施方案的制造绝缘层的方法时，通过使用碱性水溶液的化学蚀刻使由聚合物树脂层密封的金属突出物暴露，从而防止对绝缘层的物理损坏，容易将层厚度调节到期望的范围，并且由于可以在更短的时间内通过更容易的过程制造绝缘层而进一步改善工艺效率。基于这样的发现完成了本专利技术。特别地，在根据一个实施方案的制造绝缘层的方法中，通过应用可以用特定的碱性水溶液以适当的水平稳定地蚀刻的新组分的聚合物树脂，可以容易地使金属突出物暴露在绝缘层的表面上。因此，该方法的优点是，可以通过暴露的金属突出物容易地制造多层印刷电路板。更具体地，根据一个实施方案的用于制造绝缘层的方法可以包括以下步骤：将具有形成在其表面上的金属突出物的导体布线用包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂的聚合物树脂层密封；使聚合物树脂层一次固化；用碱性水溶液蚀刻经固化的聚合物树脂层的表面以暴露金属突出物；以及在金属突出物暴露的状态下使聚合物树脂层二次固化。首先，在将具有形成在其表面上的金属突出物的导体布线用包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂的聚合物树脂层密封的步骤中，导体布线可以具有形成在其表面上的金属突出物。在导体布线的表面上形成金属突出物的方法的实例没有特别限制，并且例如，可以使用用于光敏树脂层图案的开口部分的镀覆法或使用粘合剂的粘合法。作为用于光敏树脂层图案的开口部分的镀覆法的具体实例，可以使用包括以下步骤的形成金属突出物的方法：将光敏树脂层层合在导体布线上，在光敏树脂层上形成图案，以及进行电镀。更具体地，光敏树脂层可以表现出光敏性和碱溶性。因此，分子结构可以通过将光照射到光敏树脂层上的曝光步骤而变形，并且可以通过接触碱性显影溶液的显影步骤蚀刻或除去树脂层。因此，当使光敏树脂层的一部分选择性地暴露于光然后进行碱显影时，曝光部分不被显影，并且只有未曝光部分可以被选择性地蚀刻和除去。如上所述，光敏树脂层的未通过曝光碱显影而保持完整的部分被称为光敏树脂图案。即，作为使光敏树脂层曝光的方法的实例，可以通过以下方法选择性地进行曝光：使具有预定图案的光掩模与光敏树脂层接触然后照射紫外线的方法，通过投影物镜使包括在掩模中的预定图案成像然后选择性地照射紫外线的方法，使用激光二极管作为光源使图案直接成像然后照射紫外线的方法等。此时，紫外线照射条件的实例可以包括照射5mJ/cm2至600mJ/cm2的光量。此外，在曝光之后对光敏树脂层进行碱显影的方法的实例可以包括用碱性显影剂处理的方法。碱性显影剂的实例没有特别限制，但是例如，可以通过调节碱性水溶液的浓度和温度使用碱性水溶液，例如氢氧化钾、氢氧化钠、碳酸钠、碳酸钾、磷酸钠、硅酸钠、氨、氢氧化四甲铵、胺等，并且还可以使用作为产品销售的碱性显影剂。碱性显影剂的具体用量没有特别限制，但需要将浓度和温度调节至不损害光敏树脂图案的浓度和温度。例如，可以使用25℃至35℃的0.5％至3％的碳酸钠水溶液。同时，在电镀步骤中，镀覆法的实例包括干式沉积法和湿式沉积法。干式沉积法的具体实例包括真空气相沉积、离子镀、溅射等。另一方面，具体的湿式沉积法的实例包括各种金属的无电镀等，并且无电镀铜是常见的，并且在气相沉积之前或之后可以进一步包括粗糙化处理过程。粗糙化处理过程可以根据条件为干法和湿法。干法的实例包括真空、大气压、气体等离子体处理、气体受激准分子UV处理等。湿法的实例包括去胶渣(desmear)处理。通过这些粗糙化处理过程，可以增加金属薄膜的表面粗糙度，并因此改善与沉积在金属薄膜上的金属的粘合性。此外，为了仅留下金属突出物，其还可以包括在电镀步骤之后除去光敏树脂层的步骤。当除去光敏树脂图案时，优选使用可以仅除去光敏树脂层而尽可能不除去下部的导体布线和金属突出物的方法。作为光敏树脂图案的剥离方法的具体实例，可以使用光致抗蚀剂剥离液处理、去胶渣法、等离子体蚀刻等，并且可以使用这些方法的任何组合。另一方面，作为使用粘合剂的粘合法的具体实例，可以使用这样的方法：在诸如MICC的无源元件或诸如半导体芯片的有源元件的表面上形成金属突出物，然后通过使用绝缘粘合剂等将形成的金本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制造绝缘层的方法，包括以下步骤：将具有形成在其表面上的金属突出物的导体布线用包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂的聚合物树脂层密封；使所述聚合物树脂层一次固化；用碱性水溶液蚀刻经固化的聚合物树脂层的表面以暴露所述金属突出物；以及在所述金属突出物暴露的状态下使所述聚合物树脂层二次固化。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.10.24 KR 10-2016-0138673;2017.10.20 KR 10-2011.一种用于制造绝缘层的方法，包括以下步骤：将具有形成在其表面上的金属突出物的导体布线用包含碱溶性树脂和可热固化粘结剂的聚合物树脂层密封；使所述聚合物树脂层一次固化；用碱性水溶液蚀刻经固化的聚合物树脂层的表面以暴露所述金属突出物；以及在所述金属突出物暴露的状态下使所述聚合物树脂层二次固化。2.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法，其中所述碱溶性树脂包含至少两个酸官能团和至少两个经氨基取代的环状酰亚胺官能团。3.根据权利要求2所述的用于制造绝缘层的方法，其中所述经氨基取代的环状酰亚胺官能团包含由以下化学式1表示的官能团：[化学式1]其中，在化学式1中，R1为具有1至10个碳原子的亚烷基或烯基，并且“*”意指键合点。4.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法，其中通过KOH滴定确定，所述碱溶性树脂的酸值为50mgKOH/g至250mgKOH/g。5.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法，其中所述碱溶性树脂通过环状不饱和酰亚胺化合物和胺化合物的反应来产生，并且所述环状不饱和酰亚胺化合物和所述胺化合物中的至少一者包含在其末端取代的酸官能团。6.根据权利要求5所述的用于制造绝缘层的方法，其中所述胺化合物包括选自以下的至少一者：经氨基取代的羧酸化合物和包含两个或更多个氨基的多官能胺化合物。7.根据权利要求1所述的用于制造绝缘层的方法，其中所述碱溶性树脂包含至少一个由以下化学式3表示的重复单元和至少一个由以下化学式4表示的重复单元：[化学式3]其中，在化学式3中，R2为直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的烯基或具有6至20个碳原子的亚芳基，并且“*”意指键合点；[化学式4]其中，在化学式4中，R3为直接键、具有1至20个碳原子的亚烷基、具有1至20个碳原子的烯基或具有6至20个碳原子的亚芳基，R4为-H、-OH、-NR5R6、卤素或具有1至20个碳原子的烷基，R5和R6可以各自独立地为氢、具有1至20个碳原子的烷基或具有6至20个碳原子的芳基，并且“*”意指键合点。8.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑遇载，庆有真，崔炳柱，崔宝允，李光珠，郑珉寿，
申请(专利权)人：株式会社LG化学，
类型：发明
国别省市：韩国,KR