发光装置及发光装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供的发光装置(1)包括：基板(10)；在基板(10)上设置的半导体发光元件(2)；反射镜(12)，其形成在基板(10)上，对半导体发光元件(2)放射的光进行反射；第一树脂(5)，其与半导体发光元件(2)分隔地设置在光路上，且包含光扩散材料；以及第二树脂(6)，其作为低光扩散部，覆盖半导体发光元件(2)的光放射面中的至少光的密度最高的区域，且设置在半导体发光元件(2)与第一树脂(5)之间的光路上。第二树脂(6)的光扩散材料的浓度低于第一树脂(5)的光扩散材料(7)的浓度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光装置及发光装置的制造方法
本专利技术涉及发光装置及发光装置的制造方法。
技术介绍
包含半导体发光元件的发光装置能够通过使用化合物半导体并改变发光层的元素组成而放射符合多种用途的波长的光。例如，作为红外光的使用用途之一能够举出光通信。无线光通信中作为光源使用放射红外光的发光二极管(LED：LightEmittingDiode)。并且，近年来，伴随通信数据的大容量化而希望通信速度更快的高速化。因此，尝试将相对于LED能够实现通信高速化的半导体发光元件作为光通信的光源使用。但是，半导体发光元件由于向空间放出的光的点直径很小且相干性高，因此若直接使用对人的眼睛存在安全性问题。由此，需要使光扩散而降低相干性并使点直径扩大。关于这种发光装置的以往技术在专利文献1中公开。专利文献1中记载的以往的发光装置包括：形成有锪孔(Zaguryhole)的基板；在锪孔的底部设置的半导体激光元件；以及与在锪孔中设置的半导体激光元件相对的倾斜面。半导体激光元件放射的光由倾斜面反射，沿与基板表面垂直的方向经由锪孔的开口出射。由此，该发光装置在小型化这方面有利。另外，该发光装置由包含扩散材料的树脂包覆半导体激光元件，因此光的相干性低下，在提高对人的眼睛的安全性方面发挥效果。现有技术文献专利文件专利文献1：日本专利第4906545号公报
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题但是，专利文献1中记载的以往的发光装置由于在半导体激光元件端面的光放射部附近存在光扩散材料，因此存在光扩散材料可能会由于光吸收而发热，半导体激光元件的端面温度上升的问题。由此，半导体激光元件的端面的带隙能量减小而容易发生光吸收，可能会发生由发热导致的端面光学损坏(COD：CatastrophicOpticalDamage)。因此，可能无法充分地确保发光装置的可靠性。本专利技术是鉴于上述情况提出的，目的在于提供一种能够实现小型化及安全性提高、可靠性优异的发光装置及发光装置的制造方法。解决问题的手段为了解决上述技术问题，本专利技术的发光装置的特征在于，包括：基板；半导体发光元件，其设置在所述基板上；反射镜，其形成在所述基板上，并将所述半导体发光元件放射的光向与其放射方向交叉的方向反射；第一树脂，其包含光扩散材料，并与所述半导体发光元件分隔地设置在所述半导体发光元件的放射光的光路上；低光扩散部，其覆盖所述半导体发光元件的光放射面中的至少光的密度最高的区域，同时设置在所述半导体发光元件与所述第一树脂之间的光路上，所述低光扩散部的光扩散材料的浓度低于所述第一树脂的所述光扩散材料的浓度。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述低光扩散部由所述光扩散材料的浓度低于所述第一树脂的第二树脂构成。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述低光扩散部由空间构成。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述第一树脂包含1wt％以上的所述光扩散材料。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述第二树脂包含10wt％以下的所述光扩散材料。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，与所述半导体发光元件接触的所述第一树脂或所述第二树脂的弹性模量为50000MPa以下。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述反射镜具有光的反射面由平面或曲面构成的第一面。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述反射镜具有在所述第一面上形成的第二面，所述第二面由曲率与所述第一面不同的曲面构成。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述第一树脂覆盖所述反射镜的所述第二面而形成。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述第一树脂形成在除了所述半导体发光元件的上表面以外的区域。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述反射镜在光的反射面的至少一部分形成凹凸部。另外，在上述构造的发光装置中，其特征在于，所述半导体发光元件放射700nm至1600nm波长的光。另外，本专利技术的发光装置的制造方法的特征在于，包括：在基板上形成反射镜的工序；以使所述反射镜位于放射光的行进方向下游侧的方式，在所述基板上配置半导体发光元件的工序；与所述半导体发光元件分隔地在所述半导体发光元件的放射光的光路上设置包含光扩散材料的第一树脂的工序；以及以覆盖所述半导体发光元件的光放射面中的至少光的密度最高的区域的方式，在所述半导体发光元件与所述第一树脂之间的光路上设置低光扩散部的工序，所述低光扩散部的光扩散材料的浓度低于所述第一树脂的所述光扩散材料的浓度。专利技术效果根据本专利技术的构造，能够在共振器长方向上抑制发光装置的大型化，即，能够实现发光装置的小型化。而且，能够抑制半导体发光元件的光的放射面上的温度上升而防止发生COD。由此，能够获得可靠性优异的发光装置。附图说明图1本专利技术第一实施方式的发光装置的剖视图。图2是本专利技术第二实施方式的发光装置的剖视图。图3是本专利技术第二实施方式的发光装置的立体图。图4是本专利技术第三实施方式的发光装置的剖视图。具体实施方式以下基于附图对本专利技术的实施方式进行说明。＜第一实施方式＞首先使用图1，对本专利技术第一实施方式的发光装置的构造进行说明。图1是发光装置的剖视图。发光装置1如图1所示，具有搭载于基板10的半导体发光元件2。半导体发光元件2是例如半导体激光元件。半导体发光元件2放射例如700nm至1600nm波长的激光L。在半导体激光元件的共振器反射镜，即，与激光L的放射方向(共振器长方向)垂直的端面2a上实施端面保护膜(未图示)。通常，在作为激光放射面的端面(输出反射镜)上实施例如5％左右的低反射端面保护膜，在其相反侧的端面(后反射镜)上实施例如95％高反射的端面保护膜。为了使半导体激光元件的光输出达到上限，在本实施方式中，在激光L放射方向的两个端面2a上实施了反射率为5％左右的端面保护膜。基板10的外形呈大致长方体形状，例如对Cu合金实施镀Ag而构成。在基板10上形成凹部11。凹部11在图1中的沿激光L的放射方向的截面形成为上下倒置的梯形形状。凹部11具有以从基板10的内部朝向图1中的基板10的上表面方向成为广口的方式倾斜的侧面11a，在基板10的上表面形成开口11b。凹部11的侧面11a与内底面11c相邻，且由相对于内底面11c具有大约45度倾斜的平面构成。半导体发光元件2设置于在基板10的凹部11的内底面11c上配置的散热台3的上表面。散热台3由例如AlN陶瓷材料构成。半导体发光元件2以凹部11的侧面11a位于激光L的行进方向下游侧的方式配置。半导体发光元件2借助线材4与基板10电连接。线材4由例如Au、Ag、Cu这样的材料构成。并且，在基板10上设置与外部电连接的端子部(未图示)。在凹部11内部的侧面11a形成反射镜12。由于侧面11a相对于内底面11c具有大约45度的倾斜，因此反射镜12将半导体发光元件2放射的激光L向与其放射方向交叉的方向反射。反射镜12由平面构成，在其表面应用例如多层反射膜(DBR：DistributedBraggReflector)等。另外，为了容易执行激光L的反射光的放射角的控制和配光控制，反射镜12使用凹凸被抑制了的构造。另一方面，为了即使在光为高输出时也能够确保对人的眼睛的安全性，反射镜12也可以在光的反射面的至少一部分有意地形成凹凸部(未图示)。半导体发光元件2的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光装置，其特征在于，包括：基板；半导体发光元件，其设置在所述基板上；反射镜，其形成在所述基板上，并将所述半导体发光元件放射的光向与其放射方向交叉的方向反射；第一树脂，其包含光扩散材料，并与所述半导体发光元件分隔地设置在所述半导体发光元件的放射光的光路上；以及低光扩散部，其覆盖所述半导体发光元件的光放射面中的至少光的密度最高的区域，同时设置在所述半导体发光元件与所述第一树脂之间的光路上，所述低光扩散部的光扩散材料的浓度低于所述第一树脂的所述光扩散材料的浓度。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.25 JP 2016-1041581.一种发光装置，其特征在于，包括：基板；半导体发光元件，其设置在所述基板上；反射镜，其形成在所述基板上，并将所述半导体发光元件放射的光向与其放射方向交叉的方向反射；第一树脂，其包含光扩散材料，并与所述半导体发光元件分隔地设置在所述半导体发光元件的放射光的光路上；以及低光扩散部，其覆盖所述半导体发光元件的光放射面中的至少光的密度最高的区域，同时设置在所述半导体发光元件与所述第一树脂之间的光路上，所述低光扩散部的光扩散材料的浓度低于所述第一树脂的所述光扩散材料的浓度。2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述低光扩散部由所述光扩散材料的浓度低于所述第一树脂的第二树脂构成。3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，所述低光扩散部由空间构成。4.根据权利要求1至3中任一项所述的发光装置，其特征在于，所述第一树脂包含1wt％以上的所述光扩散材料。5.根据权利要求2所述的发光装置，其特征在于，所述第二树脂包含10wt％以下的所述光扩散材料。6.根据权利要求1至5中任一项所述的发光装置，其特征在于，与所述半导体发光元件接触的所述第一树脂或所述第二树脂的弹性模量为50000MPa以下。7.根据权利要求1至6中...

【专利技术属性】
技术研发人员：德田克彦，
申请(专利权)人：夏普株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP