【技术实现步骤摘要】
一种金属连线寄生电容的分离方法
本专利技术涉及集成电路领域,尤其涉及一种层间层内电容的分离方法。
技术介绍
随着集成电路技术的发展,集成电路内的晶体管数目迅速增加,互连线长度也急剧增加,因而互连线之间的寄生信息对于电路的时序逐渐起着主导性作用,对于寄生电容的分析变得尤为重要。通常而言,寄生电容都是通过寄生信息提取工具,如star-rcxt提取寄生电容、电阻,但是这些寄生信息提取工具都是基于foundry的工艺信息,一般而言,foundry提供的包含工艺参数的文档如ITF(interconnecttechnologyfile)文件,所述ITF文件描述了该foundry的工艺制作情况,如metal的厚度、宽度,介质的厚度、宽度等信息。ITF文件中的各种参数都是通过测试结构提取到的,所以ITF文件中参数的准确性完全取决于测试结构的设计以及从测试结构中提取电学参数的方法,通常,工艺参数的提取都是通过电容、电阻的计算和仿真来获取有效值,其中,准确的电容对于提取工艺信息更是至关重要的,通过层间电容可以提取介质的厚度,通过层间电容可以提取金属的厚度,所以,为了得到精确有效的金属 ...
【技术保护点】
1.一种金属层间层内电容的分离方法,其特征在于,包括:测量上层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C1;测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C2;测量上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C3;测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、 ...
【技术特征摘要】
1.一种金属层间层内电容的分离方法,其特征在于,包括:测量上层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C1;测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C2;测量上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C3;测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C4;求和C3与C4,减去C1、C2,并除以2便得combmeander测试结构的层内电容。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述层间电容C1包括上层平行金属板分别与中间层combmeander的comb...
【专利技术属性】
技术研发人员:沈立,
申请(专利权)人:上海卓弘微系统科技有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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