一种金属连线寄生电容的分离方法技术

本发明专利技术提出了一种金属层间层内电容的分离方法，以有效的分离金属层间、层内电容。该分离方法主要包括：测量平行金属板结构和combmeander结构的层间电容，测量金属结构combmeander的层内电容，测量平行金属板结构和金属结构comb之间的层间电容，测量平行金属板结构和金属结构meander之间的层间电容；combmeander的层内电容乘二再加上平行金属板结构各与结构comb、meander之间的层间电容，再减去平行金属板结构和combmeander结构之间的总电容，便分离出金属结构combmeander的层内电容。这种金属层间层内电容的分离方法能够更加精确有效的分离出层内电容。

【技术实现步骤摘要】
一种金属连线寄生电容的分离方法
本专利技术涉及集成电路领域，尤其涉及一种层间层内电容的分离方法。
技术介绍
随着集成电路技术的发展，集成电路内的晶体管数目迅速增加，互连线长度也急剧增加，因而互连线之间的寄生信息对于电路的时序逐渐起着主导性作用，对于寄生电容的分析变得尤为重要。通常而言，寄生电容都是通过寄生信息提取工具，如star-rcxt提取寄生电容、电阻，但是这些寄生信息提取工具都是基于foundry的工艺信息，一般而言，foundry提供的包含工艺参数的文档如ITF(interconnecttechnologyfile)文件，所述ITF文件描述了该foundry的工艺制作情况，如metal的厚度、宽度，介质的厚度、宽度等信息。ITF文件中的各种参数都是通过测试结构提取到的，所以ITF文件中参数的准确性完全取决于测试结构的设计以及从测试结构中提取电学参数的方法，通常，工艺参数的提取都是通过电容、电阻的计算和仿真来获取有效值，其中，准确的电容对于提取工艺信息更是至关重要的，通过层间电容可以提取介质的厚度，通过层间电容可以提取金属的厚度，所以，为了得到精确有效的金属厚度，就需要有效的分离出层间电容。现有的层间电容的测量方法是：直接在两层之间施加高频信号测量，并不考虑其他处于悬空状态电极的影响。
技术实现思路
本专利技术提供的金属层间层内电容的分离方法，以电学的方式有效的分离出combmeander结构(是一种由comb线和meander线组成的电容、电阻的测量结构，comb线即梳齿状线，meander线即蜿蜒状线)的层内电容。本专利技术提供的层间层内电容测量和分离的方法，包括步骤：测量上层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C1；测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C2；测量上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C3；测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C4；求和C3与C4，减去C1、C2，并除以2便得combmeander测试结构的层内电容；所述层间电容C1包括上层平行金属板分别与中间层combmeander的comb、meander结构的电容之和；所述层间电容C2包括下层平行金属板分别与中间层combmeander的comb、meander结构的电容之和；所述电容C3是上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之和，C3是通过施加一定测量信号测量得到；所述电容C4是下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之和，C4是通过施加一定的测量信号测量得到；所述的金属层间层内电容的分离方法同样适用于任意一层metal层内电容的分离。采用本专利技术实施例的方法，可以测量和分离出任意一层combmeander结构的层内电容，并且采用本专利技术实施例提供的方法，可以精确的提取到层内电容。附图说明图1A、图1B、图1C、图1D为本专利技术实施例中的电容示意图；图2为本专利技术实施例提出的金属层间层内电容分离方法流程图；图中，10为一种测试状态，11为上层平行金属板结构，12为combmeander测试结构，13为下层平行金属板结构，20为一种测试状态，21为上层平行金属板结构，22为combmeander测试结构，23为下层平行金属板结构，30为一种测试状态，31为上层平行金属板结构，32为combmeander测试结构，33为下层平行金属板结构，40为一种测试状态，41为上层平行金属板结构，42为combmeander测试结构，43为下层平行金属板结构；14为12、13之间的层间电容，24为21、22之间的层间电容，36为31与32的comb结构之间的层间电容，37为33与32之间comb结构之间的层间电容，35、36为combmeander结构32的层内电容，44、46为41与42的meander结构之间的层间电容，45、47为43与42的comb结构之间的层间电容。具体实施方式针对
技术介绍
提及的问题，本专利技术实施例提出下述金属层间层内电容的分离方法，以电学的方式分离层间层内电容，提高了combmeander结构层间电容测量的准确度。图2为本专利技术实施例提出的层间层内电容测量和分离方法的流程图，结合该图，本专利技术实施例提出的通孔电阻测量方法包括步骤：步骤1，测量10所对应的层间电容14，即测量上层平行金属板11和中间层金属combmeander测试结构12之间的层间电容14；步骤2，测量20所对应的层间电容24，即测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容24；步骤3，测量30所对应的层间层内电容34、35、36、37之和，即测量上层平行金属板31与中间层金属combmeander测试结构32的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容；步骤4，测量40所对应的层间层内电容44、45、46、47、48、49之和，测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容；步骤5，将34、35、36、37之和与44、45、46、47、48、49之和再求和，并从所述求和结果中减去14、24，再除以2，便得combmeander结构的层内电容。显然，本领域的技术人员可以对本专利技术进行各种改动和变型而不脱离本专利技术的精神和范围。这样，倘若本专利技术的这些修改和变型属于本专利技术权利要求及其等同技术的范围之内，则本专利技术也意图包含这些改动和变型在内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种金属层间层内电容的分离方法，其特征在于，包括：测量上层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C1；测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C2；测量上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C3；测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C4；求和C3与C4，减去C1、C2，并除以2便得combmeander测试结构的层内电容。

【技术特征摘要】
1.一种金属层间层内电容的分离方法，其特征在于，包括：测量上层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C1；测量下层平行金属板和中间层金属combmeander测试结构之间的层间电容C2；测量上层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的comb结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C3；测量下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、下层平行金属板与中间层金属combmeander测试结构的meander结构之间的层间电容、中间层金属combmeander测试结构的comb与meander之间的层内电容之总电容C4；求和C3与C4，减去C1、C2，并除以2便得combmeander测试结构的层内电容。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述层间电容C1包括上层平行金属板分别与中间层combmeander的comb...

【专利技术属性】
技术研发人员：沈立，
申请(专利权)人：上海卓弘微系统科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31