存储器存储装置及其测试方法制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种存储器存储装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个存储器晶胞。存储器晶胞阵列用以存储数据。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流。存储器控制电路接收目标存储器晶胞的读取电流。存储器控制电路比较读取电流与参考电流。存储器控制电路依据比较结果来判断目标存储器晶胞是否失败。另外，一种存储器存储装置的测试方法也被提出。

Memory Storage Device and Its Testing Method

The invention provides a memory storage device, including a memory cell array and a memory control circuit. The memory cell array includes a plurality of memory cells. Memory cell arrays are used to store data. The memory control circuit is coupled to the memory cell array. The memory control circuit is used to apply a setting signal and a reset signal to the target memory cell in the memory cell to generate a reading current. The memory control circuit receives the read current of the target memory cell. The memory control circuit compares the read current with the reference current. The memory control circuit judges whether the target memory cell fails or not according to the comparison results. In addition, a test method for memory storage devices is also proposed.

【技术实现步骤摘要】
存储器存储装置及其测试方法
本专利技术涉及一种电子装置及其测试方法，尤其涉及一种存储器存储装置及其测试方法。
技术介绍
目前，电阻式随机存取存储器(resistiverandomaccessmemory，RRAM)是业界积极发展的一种非易失性存储器，其具有写入操作电压低、写入抹除时间短、存储时间长、非破坏性读取、多状态存储、结构简单以及所需面积小等优点。一般来说，电阻式存储器可根据所施加的脉冲电压大小及极性来改变丝状导电路径(filamentpath)的宽度。藉此将电阻值可逆且非挥发地设定为低电阻状态(lowresistancestate，LRS)或高电阻状态(highresistancestate，HRS)，以分别表示不同逻辑准位的存储数据。举例来说，在写入数据逻辑1时，可通过施加重置脉冲(RESETpulse)来窄化丝状导电路径的宽度以形成高电阻状态。在写入数据逻辑0时，可通过施加极性相反的设定脉冲(SETpulse)来增加丝状导电路径的宽度以形成低电阻状态。藉此，在读取数据时，可依据不同电阻状态下产生的不同大小范围的读取电流，来读取逻辑1或逻辑0的数据。然而，由于处理上的差异，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据；以及存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流，接收所述目标存储器晶胞的所述读取电流，比较所述读取电流与参考电流，并且依据比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。

【技术特征摘要】
1.一种存储器存储装置，其特征在于，包括：存储器晶胞阵列，包括多个存储器晶胞，用以存储数据；以及存储器控制电路，耦接至所述存储器晶胞阵列，用以对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流，接收所述目标存储器晶胞的所述读取电流，比较所述读取电流与参考电流，并且依据比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。2.根据权利要求1所述的存储器存储装置，其特征在于，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞的状态是第一状态还是第二状态。3.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第一状态，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，其中所述读取电流具有第一读取电流值，所述参考电流具有第一参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值小于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败。4.根据权利要求3所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。5.根据权利要求3所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第一读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，其中所述读取电流具有第二读取电流值，所述参考电流具有第二参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。6.根据权利要求2所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述目标存储器晶胞的状态是所述第二状态，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述重置信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第二状态转变为所述第一状态，其中所述读取电流具有第二读取电流值，所述参考电流具有第二参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第二读取电流值与所述第二参考电流值的大小，若所述第二读取电流值大于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败。7.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。8.根据权利要求6所述的存储器存储装置，其特征在于，若所述第二读取电流值小于或等于所述第二参考电流值，所述存储器控制电路对所述目标存储器晶胞施加所述设定信号，并且所述目标存储器晶胞从所述第一状态转变为所述第二状态，其中所述读取电流具有第一读取电流值，其中所述参考电流具有第一参考电流值，所述存储器控制电路比较所述第一读取电流值与所述第一参考电流值的大小，若所述第一读取电流值大于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为失败，若所述第二读取电流值大于或等于所述第一参考电流值，所述存储器控制电路判断所述目标存储器晶胞为不失败。9.一种存储器存储装置的测试方法，其特征在于，所述存储器存储装置多个存储器晶胞，用以存储数据，所述测试方法包括：对所述多个存储器晶胞当中的目标存储器晶胞施加设定信号以及重置信号两者其中之一以产生读取电流；接收所述目标存储器晶胞的所述读取电流，并且比较所述读取电流与参考电流；以及依据比较结果来判断所述目标存储器晶胞是否失败。10.根据权利要求9所述的存储器存储装置的测试方法，其特征在于，还包括：判断所述目标存储器...

【专利技术属性】
技术研发人员：周诠胜，林孟弘，吴伯伦，何家骅，
申请(专利权)人：华邦电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71