一种半导体红外探测器制造技术

本实用新型专利技术公开一种半导体红外探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种半导体红外光探测器，包括包括红外测试芯片、透镜、阳极引线、阴极引线、绝缘层、散热基底、阳极引脚、阴极引脚、支架。其中红外测试芯片包括直流电源、一级电极、二级电极、三级电极、阳极导线、阴极导线、重掺杂吸收层、过渡层、轻掺杂吸收层、有源层、缓冲层、半绝缘基底。在探测过程中，该红外探测器可根据红外光子的波段选择不同探测电路以提高探测效率，通过调控掺杂浓度及薄膜厚度进一步提高探测精度，具有暗电流小、分辨率高、探测温度高的优点。

A Semiconductor Infrared Detector

The utility model discloses a semiconductor infrared detector and its fabrication method, belonging to the field of optoelectronic information, and relates to a semiconductor infrared photodetector, which comprises an infrared test chip, a lens, an anode lead, a cathode lead, an insulating layer, a heat dissipation base, an anode pin, a cathode pin and a support. The infrared test chip includes DC power supply, primary electrode, secondary electrode, tertiary electrode, anode wire, cathode wire, heavily doped absorption layer, transition layer, lightly doped absorption layer, active layer, buffer layer and semi-insulated substrate. In the detection process, the infrared detector can select different detection circuits according to the band of infrared photons to improve detection efficiency, and further improve detection accuracy by adjusting doping concentration and film thickness. It has the advantages of low dark current, high resolution and high detection temperature.

【技术实现步骤摘要】
一种半导体红外探测器
本技术属于光电子信息领域，涉及一种半导体红外光探测器。
技术介绍
红外线是一种电磁波，其波长(0.75μm-1000μm)介于可见光和微波之间，通常把红外辐射按波长分为近红外、中红外、远红外、甚远红外四个波段。红外光探测器是许多应用领域的关键元件，广泛应用于火警探测、火焰传感、天文学观测与研究、航空及航天跟踪与控制、气象环境监测与预报、医疗卫生与生物工程、通信等领域。自上世纪70年代开始，半导体材料成为红外探测器的本征材料，常用材料包括InAs/GaSb、InAs/Ga1-xInxSb、InGaAs/AlGaAs、GaAs/AlGaAs、HgCdTe等半导体复合材料，半导体红外探测器具有成本低、寿命长、驱动电压低、体积小、重量轻、功率密度大、携带方便等优点。然而，现有半导体材料在制备过程中产生的晶格缺陷破坏了材料的均匀性使探测精度下降。此外对于超晶格结构的半导体红外探测材料，在界面处产生的晶格失配造成电子能带窄化影响红外光子吸收率。此外，红外探测器在探测短波红外与中波红外时对环境温度具有较高的敏感度，因而对不同基体材料的红外探测器有严格的测试温度范围要求。同时，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体红外探测器，其特征在于包括：红外测试芯片、透镜、阳极引脚、阴极引脚、绝缘层、散热基底、导线、支架，透镜通过硅胶固定在支架的卡槽内，阳极引脚与阴极引脚通过支架卡槽固定，红外测试芯片与绝缘层通过钎焊工艺连接，绝缘层与散热基底之间采用导热硅胶连接，散热基底采用导热硅胶固定在支架内。

【技术特征摘要】
1.一种半导体红外探测器，其特征在于包括：红外测试芯片、透镜、阳极引脚、阴极引脚、绝缘层、散热基底、导线、支架，透镜通过硅胶固定在支架的卡槽内，阳极引脚与阴极引脚通过支架卡槽固定，红外测试芯片与绝缘层通过钎焊工艺连接，绝缘层与散热基底之间采用导热硅胶连接，散热基底采用导热硅胶固定在支架内。2.根据权利要求1所述的一种半导体红外探测器，其特征在于所述的红外测试芯片包括直流电源、直流电源、直流电源、一级电极、二级电极、三级电极、阳极导线、阴极导线、重掺杂吸收层、过渡层、轻掺杂吸收层、有源层、缓冲层、半绝缘基底。3.根据权利要求2所述的一种半导体红外探测器，其特征在于所述的半绝缘基底采用GaAs半导体晶片，采用激光切割将晶片切割为40um×20um的矩形块体，厚度为150nm～200nm。4.根据权利要求2所述的一种半导体红外探测器，其特征在于所述的缓冲层采用n型重掺杂GaAs层，掺杂元素为As,掺杂浓度为2～4×1018cm-3，通过采用MOCVD工艺在半绝缘基底表面生长出n-GaAs缓冲层,缓冲层为10um×20um的矩形块体，厚度为100～200nm。5.根据权利要求2所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋欢，
申请(专利权)人：宋欢，
类型：新型
国别省市：河南,41