The waveguide fibers disclosed in this paper include: (I) the core, which includes the outer radius r1, the maximum refractive index 1, and the core alpha, alpha greater than 5; and (II) the cladding around the core, which includes: (i) the inner cladding area, which has the outer radius R2 and the refractive index 2, in which the maximum value of 1 > 2; (i i) the groove area surrounding the inner cladding area, with the groove area. There is an external radius r3, where R3 is greater than 10 microns, and the refractive index 3; and (iii) the outer layer area around the groove area, which has chlorine concentration of more than 1.2 wt% and includes the refractive index 4, where the maximum value of 1 > 4 and 2 > 3 and 4 > 3, and in which the difference between 4 and 3 is more than 0.12%.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】低弯曲损耗光纤本申请根据35U.S.C.§119,要求2016年03月29日提交的美国临时申请系列第62/314,607号的优先权,本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。
本专利技术涉及具有低弯曲损耗的光纤。
技术介绍
存在对于低弯曲损耗的光纤的需求,特别是用于所谓的接入“(acces)”的光纤以及前体(FTTx)光学网络的光纤。可以在此类网络中以诱发传输通过光纤的光信号中的弯曲损耗的方式配置光纤。一些施加诱发弯曲损耗的物理需求(例如紧弯曲半径、光纤的压缩等)的应用包括光纤在光学下降电缆组件中的配置,具有工厂安装终端系统(FITS)和膨胀圈的分布电缆,位于连接馈电线和分布电缆的机柜内的小弯曲半径多端口,以及分配器和下降电缆之间的网络接入点中的跳线。
技术实现思路
根据至少一些实施方式,本文揭示的光波导光纤包括:(I)纤芯,其包括外半径r1、折射率Δ百分比Δ1最大值、和纤芯α,α>5;以及(II)围绕纤芯的包层,所述包层包含:(i)内包层区域,其具有外半径r2和折射率Δ百分比Δ2,其中,Δ1最大值>Δ2;(ii)围绕内包层区域的凹槽区 ...
【技术保护点】
1.一种单模光纤,其包括:(I)纤芯,其具有外半径r1,最大折射率Δ百分比Δ1最大值,和纤芯α>5;(II)围绕所述纤芯的包层,所述包层包括:(i)内包层区域,其具有外半径r2和折射率Δ百分比Δ2,其中,Δ1最大值>Δ2;和(ii)围绕所述内包层区域的凹槽区域,所述凹槽区域具有外半径r3>10微米和折射率Δ百分比Δ3;和(iii)围绕所述凹槽区域的外包层区域,所述外包层区域具有氯浓度大于1.2重量%且包括折射率Δ百分比Δ4;其中,Δ1最大值>Δ4和Δ2>Δ3和Δ4>Δ3,以及其中,Δ4‑Δ3≥0.12%,并且所述光纤展现出:在1310nm波长处的模场直径MFD>9微米,小于 ...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.29 US 62/314,6071.一种单模光纤,其包括:(I)纤芯,其具有外半径r1,最大折射率Δ百分比Δ1最大值,和纤芯α>5;(II)围绕所述纤芯的包层,所述包层包括:(i)内包层区域,其具有外半径r2和折射率Δ百分比Δ2,其中,Δ1最大值>Δ2;和(ii)围绕所述内包层区域的凹槽区域,所述凹槽区域具有外半径r3>10微米和折射率Δ百分比Δ3;和(iii)围绕所述凹槽区域的外包层区域,所述外包层区域具有氯浓度大于1.2重量%且包括折射率Δ百分比Δ4;其中,Δ1最大值>Δ4和Δ2>Δ3和Δ4>Δ3,以及其中,Δ4-Δ3≥0.12%,并且所述光纤展现出:在1310nm波长处的模场直径MFD>9微米,小于1260nm的光缆截止,以及对于15mm直径心轴在1550nm处小于0.5dB/圈的弯曲损耗,以及1300nm≤λ0≤1324nm,其中,λ0是零色散波长。2.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,所述凹槽区域的分布体积|V3|至少是30%Δ微米2。3.如权利要求2所述的光纤,其特征在于,所述凹槽区域的分布体积|V3|至少是45%Δ微米2。4.如权利要求1或2所述的光纤,其特征在于,Δ4-Δ3≥0.15%。5.如前述任一项权利要求所述的光纤,其特征在于,Δ1最大值-Δ2≥0.25%,和Δ1最大值-Δ3≥0.35,和Δ2-Δ3≥0.08%。6.如权利要求5所述的光纤,其特征在于,0.15%≤Δ4-Δ3≤0.4%Δ。7.如前述任一项权利要求所述的光纤,其特征在于,所述纤芯具有小于10重量%的氧化锗。8.如前述权利要求中任一项所述的光纤,其特征在于,所述凹槽区域含有0至2重量%的氟。9.如前述权利要求中任一项所述的光纤,其特征在于,所述外包层区域包括Cl浓度≥1.5重量%。10.如前述权利要求中任一项所述的光纤,其特征在于,纤芯半径与内包层半径之比是1.2<r2/r1<2.5。11.如前述权利要求中任一项所述的光纤,所述光纤还展现出1550nm处小于或等于0.05dB/km的丝网覆盖鼓微弯曲损耗。12.如前述权利要求中任一项所述的光纤,所述光纤还展现出1550nm处小于或等于0.01dB/km的丝网覆盖鼓微弯曲损耗。13.如前述权利要求中任一项所述的光纤,其特征在于,所述凹槽区域基本不含氟和氧化锗。14.如权利要求1所述的光纤,其特征在于,对于从r3延伸到至少30微米半径的径向位置,Δ4≥Δ2。1...
【专利技术属性】
技术研发人员:D·C·布克班德,李明军,S·K·米什拉,P·坦登,
申请(专利权)人:康宁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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