在垂直方向上调节传输线阻抗的结构及方法技术

技术编号:19971396 阅读:21 留言:0更新日期:2019-01-03 16:50
本发明专利技术提供一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构及方法,包括:位于两个平行平面的第一金属层、第二金属层,以及连接于第一金属层及第二金属层之间的第一过孔;其中,第一过孔包括至少两个并联设置的过孔;且第一金属层及第二金属层的面积均大于与之连接的各过孔的截面积之和。调节金属层的面积以实现对过孔区域容抗的控制,调节过孔的数量及连接关系以实现对过孔区域感抗的控制,使得过孔的特性阻抗与信号传输线的特性阻抗匹配。本发明专利技术采用精确的阻抗控制方式,使得信号在更宽频的范围内都能保持阻抗的一致性,对于超高速更高阶的信号传输有更小的反射,插入损耗更均匀,能满足光通信200G,400G以及800G的芯片封装和信号传输的设计要求。

Structure and Method of Adjusting Transmission Line Impedance in Vertical Direction

The invention provides a structure and method for adjusting transmission line impedance in a vertical direction, including: a first metal layer, a second metal layer located in two parallel planes, and a first through hole connected between the first metal layer and the second metal layer; wherein the first through hole includes at least two parallel through holes; and the area of the first metal layer and the second metal layer are larger than those with the first through hole. The sum of the cross-sectional areas of the connected holes. The area of the metal layer is adjusted to control the reactance of the through-hole area, and the number and connection of the through-hole area are adjusted to control the inductance of the through-hole area, so that the characteristic impedance of the through-hole matches the characteristic impedance of the signal transmission line. The present invention adopts an accurate impedance control method, which enables the signal to maintain impedance consistency in a wider range of frequencies, has less reflection for ultra-high-speed and higher-order signal transmission, and has more uniform insertion loss, and can meet the design requirements of chip packaging and signal transmission of optical communication 200G, 400G and 800G.

【技术实现步骤摘要】
在垂直方向上调节传输线阻抗的结构及方法
本专利技术涉及通信领域,特别是涉及一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构及方法。
技术介绍
从微带或者带状传输线理论可以知道,传输线从微观来看,可以等效成电感L、电阻R,电容C和电导G的集合,如图1所示。对于无耗传输线,忽略R和G,直接近似成L和C,该传输线的特性阻抗近似为:即特性阻抗由无限小的线段的等效电感L和等效电容C决定。在PCB(PrintedCircuitBoard,印制电路板或印刷线路板)电路板上走信号线不可避免地会遇到需要过孔实现不同信号层之间的连接,如图2所示,第一信号线11通过过孔15依次穿过第一基板12及第二基板13与第二信号线14连接,其中,第一基板12及第二基板13接地。而每一个过孔都是一个阻抗不连续的点,对于高速数字信号,尤其是高阶调制(如PAM4)的信号,阻抗不连续造成的信号反射会直接影响接收端信号的正确识别。一般的处理方式是通过反过孔和在过孔旁加地过孔的方式,调节信号过孔的阻抗。如图3所示,于过孔15旁边增加地过孔16,所述第一基板12上表面及所述第二基板13下表面的回流电流通过过地孔16流入参考地,对于一个信号过孔15和一个地过孔16的结构来说,过孔电感等效于:其中,μ为磁导率,h为第一基板12与第二基板13的距离,s为信号过孔15和地过孔16的轴线距离,r为过孔的半径(即d/2)。通过增加地过孔的个数,可以减小信号过孔的电感,如图4所示,当地过孔增加到极限时,也就形成了同轴结构,过孔电感等效于:即电感为原来的1/2,这是该技术对电感调节的极限。对于低阻抗走线要求,例如激光器驱动器这种需要25Ohm传输线这种情况,可能还需要过孔电感的进一步减小,且随着数字信号的速率越来越高,要在更宽的频段里面实现信号阻抗的连续,对传统技术来讲,存在很大的挑战采用此传统技术方案。因此,如何减小元器件焊盘以及过孔带来的阻抗不连续的影响,进而减小高阶调制高速信号(例如56GbpsPAM4)传输过程中失真,已成为本领域技术人员亟待解决的问题之一。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点,本专利技术的目的在于提供一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构及方法,用于解决现有技术中在更宽的频段时间信号阻抗连续的问题。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术提供一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构,所述在垂直方向上调节传输线阻抗的结构至少包括:位于两个平行平面的第一金属层、第二金属层,以及连接于所述第一金属层及所述第二金属层之间的第一过孔;其中,所述第一过孔包括至少两个并联设置的过孔;且所述第一金属层及所述第二金属层的面积均大于与之连接的各过孔的截面积之和。优选地,所述第一金属层及所述第二金属层分别连接第一信号传输线及第二信号传输线。优选地,还包括位于所述第一金属层及所述第二金属层的上层或下层的至少一层第三金属层,所述第三金属层与所述第一金属层及所述第二金属层平行,各金属层之间通过过孔连接,各过孔为单个过孔或至少两个过孔的并联结构。更优选地,连接同一金属层的上下两层过孔交错分布。更优选地,顶层金属层及底层金属层分别连接第一信号传输线及第二信号传输线。更优选地,各金属层与其所在平面的参考地平面电气隔离。为实现上述目的及其他相关目的,本专利技术还提供一种在垂直方向上调节传输线阻抗的方法,所述在垂直方向上调节传输线阻抗的方法至少包括:调节上述在垂直方向上调节传输线阻抗的结构中金属层的面积以实现对过孔区域容抗的控制;调节上述在垂直方向上调节传输线阻抗的结构中过孔的数量及连接关系以实现对过孔区域感抗的控制;通过调节所述过孔区域的容抗及感抗,使得过孔的特性阻抗与连接所述过孔的信号传输线的特性阻抗匹配。优选地,金属层的面积越大,所述过孔区域的容抗越大,进而阻抗越小。优选地,电感的并联数量越多,所述过孔区域的感抗越小,进而阻抗越小。如上所述,本专利技术的在垂直方向上调节传输线阻抗的结构及方法,具有以下有益效果:本专利技术采用精确的阻抗控制方式,使得信号在更宽频的范围内都能保持阻抗的一致性,对于超高速更高阶的信号传输有更小的反射,插入损耗更均匀,能满足光通信200G,400G以及800G的芯片封装和信号传输的设计要求。附图说明图1显示为现有技术中的微带理论的传输线等效电路图。图2显示为现有技术中的传输线及过孔结构示意图。图3显示为现有技术中的增加一个过地孔的结构示意图。图4显示为现有技术中的过地孔形成同轴结构的示意图。图5显示为本专利技术的在垂直方向上调节传输线阻抗的结构的一种实施方式。图6显示为本专利技术的在垂直方向上调节传输线阻抗的结构的另一种实施方式。图7显示为本专利技术与传统方法的阻抗曲线实部仿真图。图8显示为本专利技术与传统方法的阻抗曲线虚部仿真图。图9显示为本专利技术与传统方法的回波损耗仿真图。图10显示为本专利技术与传统方法的插入损耗仿真图。元件标号说明11~12第一信号线12第一基板13第二基板14第二信号线15过孔16地过孔2在垂直方向上调节传输线阻抗的结构211~215第一~第五金属层221~224第一~第四过孔231~232第一~第二信号线具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式,本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用,本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用,在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图5~图10。需要说明的是,本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本专利技术的基本构想,遂图式中仅显示与本专利技术中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制,其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变,且其组件布局型态也可能更为复杂。实施例一如图5所示,本实施例提供一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构2,所述在垂直方向上调节传输线阻抗的结构2包括:位于两个平行平面的第一金属层211、第二金属层212,以及连接于所述第一金属层211及所述第二金属层212之间的第一过孔221;其中,所述第一过孔221包括至少两个并联设置的过孔;且所述第一金属层211及所述第二金属层212的面积均大于与其连接的各过孔的截面积之和。如图5所示,所述第一金属层211与第一信号传输线231连接,用于传递信号。具体地,在本实施例中,所述第一金属层211为矩形结构,在实际使用中,所述第一金属层211的形状可根据需要(面积需要,空间排布需要)进行设定,不以本实施例为限。所述第一金属层211的面积大于所述第一过孔221的横截面积。所述第一金属层211的面积越大,其本身的电容越大,进而阻抗越小,可根据需要设定所述第一金属层211的面积。如图5所示,所述第二金属层212与所述第一金属层211平行,且所述第二金属层212位于所述第一金属层211的下方,所述第二金属层212与第二信号传输线232连接,用于传递信号。具体地,在本实施例中,所述第二金属层212为矩形结构,且与所述第一金属层211的面积相等,在实际使用中,所述第二金属层212的形状可根据需要进行设定,不以本实施例为限。所述第二金属层212的面积大于所述第一过孔221的横截面积。所述第二金属层212的面积越大,其本身的电容越大,进而阻抗越小,可根据需要设定所本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构,其特征在于,所述在垂直方向上调节传输线阻抗的结构至少包括:位于两个平行平面的第一金属层、第二金属层,以及连接于所述第一金属层及所述第二金属层之间的第一过孔;其中,所述第一过孔包括至少两个并联设置的过孔;且所述第一金属层及所述第二金属层的面积均大于与之连接的各过孔的截面积之和。

【技术特征摘要】
1.一种在垂直方向上调节传输线阻抗的结构,其特征在于,所述在垂直方向上调节传输线阻抗的结构至少包括:位于两个平行平面的第一金属层、第二金属层,以及连接于所述第一金属层及所述第二金属层之间的第一过孔;其中,所述第一过孔包括至少两个并联设置的过孔;且所述第一金属层及所述第二金属层的面积均大于与之连接的各过孔的截面积之和。2.根据权利要求1所述的在垂直方向上调节传输线阻抗的结构,其特征在于:所述第一金属层及所述第二金属层分别连接第一信号传输线及第二信号传输线。3.根据权利要求1所述的在垂直方向上调节传输线阻抗的结构,其特征在于:还包括位于所述第一金属层及所述第二金属层的上层或下层的至少一层第三金属层,所述第三金属层与所述第一金属层及所述第二金属层平行,各金属层之间通过过孔连接,各过孔为单个过孔或至少两个过孔的并联结构。4.根据权利要求3所述的在垂直方向上调节传输线阻抗的结构,其特征在于:连接同一金属层的上下两层过孔交错分布。5.根据权利要求3所述的在垂直方向上调节传输线阻...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙全辉商俊强马建旭
申请(专利权)人:光梓信息科技上海有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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