一种低翘曲度多晶片的制作装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及半导体器件技术领域，特别是指一种低翘曲度多晶片的制作装置，包括基座、支架、固定架、升降台，所述基座上设有两固定架，所述固定架内部设有加热器，所述固定架之间放置晶片，所述基座上左侧设有支架，所述支架为倒L型，所述支架上设有液压杆，所述液压杆下端设有按压板，所述按压板可推入两固定架中，所述基座的前后面上设有升降台，所述升降台上设有升降杆，所述升降杆顶部设有转轮，所述转轮上设有吸盘。与现有技术相比，本实用新型专利技术的有益效果是：本实用新型专利技术有效降低碳化硅晶片的翘曲度、弯曲度，特别是降低研磨抛光后碳化硅晶片的翘曲度、弯曲度，有效提高了晶片的性能，保证了晶片的后续生产质量。

A Fabrication Device for Low Warpage Polywafers

The utility model relates to the technical field of semiconductor devices, in particular to a low warpage multi-chip fabrication device, which comprises a base, a bracket, a fixing frame and a lifting platform. The base is provided with two fixing frames. The fixing frame is internally equipped with a heater, and a chip is placed between the fixing frames. The left side of the base is provided with a bracket, the bracket is inverted L-shaped, and the bracket is equipped with an inverted L-shaped bracket. The lower end of the hydraulic rod is provided with a pressing plate which can be pushed into two fixtures. A lifting platform is arranged at the front and back of the base. A lifting rod is arranged on the lifting platform. A runner is arranged at the top of the lifting rod, and a sucker is arranged on the runner. Compared with the prior art, the beneficial effect of the utility model is that the utility model effectively reduces the warpage and curvature of the silicon carbide wafer, especially the warpage and curvature of the silicon carbide wafer after grinding and polishing, effectively improves the performance of the wafer, and guarantees the subsequent production quality of the wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种低翘曲度多晶片的制作装置
本技术涉及半导体器件
，特别是指一种低翘曲度多晶片的制作装置。
技术介绍
碳化硅SiC被广泛应用于太阳能光伏产业、半导体产业、压电晶体产业工程性加工材料等。碳化硅的应用要求晶片表面超光滑、低翘曲度、低弯曲度。碳化硅晶片的表面质量和精度的优劣，直接影响到器件的性能。由于SiC的莫氏硬度为9.2，仅次于金刚石，晶体的切割和研磨抛光难度相当大。并且，加工完晶片较薄，厚度通常在250um-500um之间，其抗弯曲、翘曲变形的能力发生了极大地降低，因此，研磨抛光后晶片的面形很难保证。由于这些原因，常规的研磨、抛光后SiC晶片具有高的翘曲度、弯曲度。“翘曲度”(Warp)定义为从参考平面所测的晶片表面的最小值和最大值的差，差值包括凸凹的变化。“弯曲度”(Bow)是从晶片的中心所测的晶片凹凸或者变形，与厚度比变化无关。这种高的翘曲度、弯曲度给整个后续外延生长带来很大的不便；甚至在器件制作过程中，晶片在被吸在真空吸盘上时会产生很大应力，导致晶片破裂。因此，希望开发出一种方法用以降低碳化硅晶片的翘曲度、弯曲度，特别是降低研磨抛光后碳化硅晶片的翘曲度、弯曲度。
技术实现思路
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【技术保护点】
1.一种低翘曲度多晶片的制作装置，其特征在于：包括基座(1)、支架(2)、固定架(5)、升降台(10)，所述基座(1)上设有两固定架(5)，所述固定架(5)内部设有加热器(6)，所述固定架(5)之间放置晶片(7)，所述基座(1)上左侧设有支架(2)，所述支架(2)为倒L型，所述支架(2)上设有液压杆(3)，所述液压杆(3)下端设有按压板(4)，所述按压板(4)可推入两固定架(5)中，所述基座(1)的前后面上设有升降台(10)，所述升降台(10)上设有升降杆(9)，所述升降杆(9)顶部设有转轮(8)，所述转轮(8)上设有吸盘(11)。

【技术特征摘要】
1.一种低翘曲度多晶片的制作装置，其特征在于：包括基座(1)、支架(2)、固定架(5)、升降台(10)，所述基座(1)上设有两固定架(5)，所述固定架(5)内部设有加热器(6)，所述固定架(5)之间放置晶片(7)，所述基座(1)上左侧设有支架(2)，所述支架(2)为倒L型，所述支架(2)上设有液压杆(3)，所述液压杆(3)下端设有按压板(4)，所述按压板(4)可推入两固定架(5)中，所述基座(1)的前后面上设有升降台(10)，所述升降台(10)上设有升降杆(9)，所述升降杆(9...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱军，
申请(专利权)人：江苏弘德科技发展有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32