太阳能电池及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种太阳能电池及其制造方法，太阳能电池包括一N型半导体、一P型半导体、一顶部电极及一底部电极。其中，P型半导体紧密结合N型半导体，P型半导体及N型半导体之间形成一个PN接面，且P型半导体包括至少一个深沟槽。顶部电极是连接于N型半导体，而底部电极连接于该P型半导体，底部电极包括至少一微型电极柱，且微型电极柱嵌入于该深沟槽内，并与P型半导体形成导电连接。当该P型半导体的一扩散长度为T时，PN接面与该微型电极柱的上方端的距离不大于1/2T。本发明专利技术的有益效果是，能减少自由电子的消失与缩短自由电子所经过电阻路径。并且，该太阳能电池具有较高的光电转换效率。

Solar cell and its manufacturing method

The invention provides a solar cell and a manufacturing method thereof, which comprises a N-type semiconductor, a P-type semiconductor, a top electrode and a bottom electrode. Among them, the P-type semiconductor is closely combined with the N-type semiconductor, and a PN interface is formed between the P-type semiconductor and the N-type semiconductor, and the P-type semiconductor includes at least one deep groove. The top electrode is connected to the N-type semiconductor, while the bottom electrode is connected to the P-type semiconductor. The bottom electrode includes at least one micro-electrode column, which is embedded in the deep groove and forms a conductive connection with the P-type semiconductor. When the diffusion length of the P-type semiconductor is T, the distance between the PN interface and the upper end of the micro-electrode column is not more than 1/2T. The beneficial effect of the present invention is that the loss of free electrons can be reduced and the resistance path of free electrons can be shortened. Moreover, the solar cell has high photoelectric conversion efficiency.

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池及其制造方法
本专利技术为一种太阳能电池及其制造方法，特别是指一种具有微型电极柱的太阳能电池及其制造方法，该微型电极柱的顶端靠近该太阳能电池的P/N接面，且该微型电极柱的顶端距离P/N接面最多不超过扩散长度的一半。
技术介绍
请参阅图1及图2，图1所绘示为现今的太阳能电池10的立体图，图2所绘示为现今的太阳能电池10的剖视示意图。太阳电池(solarcell)是以半导体制程的制作方式而产生，其发电原理是将太阳光照射在太阳电池上，使太阳电池吸收太阳光能透过图1中的P型半导体11及N型半导体12使其产生电子(负极)及电洞(正极)，再经由跨越PN界面13的电场，把电子从P型半导体11吸到N型半导体12，然后经由导线14传输至负载。更详细来说，太阳能电池10吸收太阳光能后，P型半导体11中被太阳光所激活的自由电子8必须漂移到PN接面13且进入N型半导体。之后，自由电子8经由顶部电极12A传导至外部负载。之后，自由电子8被传送底部电极11A，再经由底部电极11A返回到P型半导体11。这样一来，便形成了电流。上述中，由于较厚的P型半导体11会导致自由电子8须通过高电阻的漫长路径，且自由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其特征在于，包括：一N型半导体；一P型半导体，该P型半导体紧密结合该N型半导体，该P型半导体及该N型半导体之间形成一个PN接面，且该P型半导体包括至少一个深沟槽；一顶部电极，该顶部电极连接于该N型半导体；一底部电极，该底部电极连接于该P型半导体，该底部电极包括至少一微型电极柱，且该微型电极柱嵌入于该深沟槽内；其中，当该P型半导体的一扩散长度为T时，该PN接面与该微型电极柱的上方端的距离不大于1/2T。

【技术特征摘要】
2017.08.29 TW 1061292921.一种太阳能电池，其特征在于，包括：一N型半导体；一P型半导体，该P型半导体紧密结合该N型半导体，该P型半导体及该N型半导体之间形成一个PN接面，且该P型半导体包括至少一个深沟槽；一顶部电极，该顶部电极连接于该N型半导体；一底部电极，该底部电极连接于该P型半导体，该底部电极包括至少一微型电极柱，且该微型电极柱嵌入于该深沟槽内；其中，当该P型半导体的一扩散长度为T时，该PN接面与该微型电极柱的上方端的距离不大于1/2T。2.一种太阳能电池，其特征在于，包括：一N型半导体；一P型半导体，该P型半导体紧密结合该N型半导体，该P型半导体及该N型半导体之间形成一个PN接面，且该N型半导体包括至少一个深沟槽；一顶部电极，该顶部电极连接于该N型半导体，该顶部电极包括至少一微型电极柱，且该微型电极柱嵌入于该深沟槽内；一底部电极，该底部电极连接于该P型半导体；其中，当该N型半导体的一扩散长度为T时，该PN接面与该微型电极柱的上方端的距离不大于1/2T。3.如权利要求1或权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该微型电极柱为一中空结构，且该微型电极柱的外部表面紧密贴合该深沟槽，并与该P型半导体形成导电连接。4.如权利要求1或权利要求2所述的太阳能电池，其特征在于，该深沟槽...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯作同，
申请(专利权)人：柯作同，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71