【技术实现步骤摘要】
基于SIW结构的三频带滤波器
本专利技术属于电子信息
,具体为一种基片集成波导(SIW)多模腔和单模腔连接形成的三频带滤波器,是一种合理利用腔体模式、具有良好带外抑制的新型三频带射频滤波器。
技术介绍
随着现代无线通信系统的快速发展,迫切需要高度紧凑且易于集成的高性能微波和毫米波带通滤波器(BPF)。在过去十年中,新兴的基板集成波导(SIW)技术,由于具有低损耗,低成本,高功率处理能力和高密度集成的优点,在复杂BPF的设计中占据了显着的位置。SIW多频带BPF在先进的收发器小型化和集成中发挥着不可或缺的作用,对于实现先进双频带或多频带BPF,已经进行了多种技术的研究和开发。一般来说,所有这些设计方法可以分为以下四种类型:(1)耦合两个多模谐振器来构建多频带滤波器;(2)构想一个多模滤波器,它可以产生多频带滤波器所需的所有模式,并为每个频带添加适当的输入-输出耦合强度来构建滤波器;(3)将几组不同的滤波器并联连接到输入输出端口,构成多频带滤波器。最简单的方法是连接多个不同频率的单频滤波器,以构建多频带滤波器;(4)通过耦合矩阵合成多频带响应。从另一方面来看,这 ...
【技术保护点】
1.基于SIW结构的三频带滤波器,其特征在于将单个四模矩形SIW腔和两个单模方形SIW腔通过上下叠加连接形成三频带滤波器;位于上层的矩形SIW腔产生四模双频带,位于下层的方形SIW腔产生单模单频带;矩形SIW腔中的TE101模和TE201模形成第一频带,TE301模和TE401模形成第三频带,两个单模方形SIW腔形成第二频带;具体主要由上下叠加的两层介质板构成,上层介质板的上表面铺设有第一金属层及输入输出馈线,下层介质板的下表面铺设有第二金属层,上下介质板间设有中间金属层;所述的上层介质板的设有贯穿介质板、第一金属层、中间金属层的若干周期性分布第一金属柱,这些第一金属柱围合 ...
【技术特征摘要】
1.基于SIW结构的三频带滤波器,其特征在于将单个四模矩形SIW腔和两个单模方形SIW腔通过上下叠加连接形成三频带滤波器;位于上层的矩形SIW腔产生四模双频带,位于下层的方形SIW腔产生单模单频带;矩形SIW腔中的TE101模和TE201模形成第一频带,TE301模和TE401模形成第三频带,两个单模方形SIW腔形成第二频带;具体主要由上下叠加的两层介质板构成,上层介质板的上表面铺设有第一金属层及输入输出馈线,下层介质板的下表面铺设有第二金属层,上下介质板间设有中间金属层;所述的上层介质板的设有贯穿介质板、第一金属层、中间金属层的若干周期性分布第一金属柱,这些第一金属柱围合成矩形SIW谐振器结构;上层介质板中还设有贯穿介质板、第一金属层、中间金属层的若干周期性分布第二金属柱以及两个第三金属柱,这些金属柱被用构成滤波器的金属扰动通孔;上述这些第二金属柱呈“十字型”结构,其中心为TE101模和TE301模的电场最强点;两个第三金属柱中心对称设置,其中心为TE101模和TE301模的电场最强点;所述的下层介质板的设有贯穿介质板、第二金属层、中间金属层的若干周期性分布第四金属柱,这些第四金属柱围合成两个关于中线轴对称的方形SIW谐振器结构;所述的输入和输出馈线位于上层介质板的上表面,馈电位置中心对称设置,其中心为矩形腔TE101模和TE301模的电场最强点,而馈电位置在离矩形SIW谐振器中线的适当距离Ts,可以产生多个传输零点,实现滤波器响应的良好带外衰减;上述TE101模和TE301模的电场最强点位于中线上。2.如权利要求1所述的基于SIW结构...
【专利技术属性】
技术研发人员:杨增,游彬,郭君,
申请(专利权)人:杭州电子科技大学,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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