N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法技术

本发明专利技术公开了一种N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法，形成的正面银栅线电极透过减反射层与铝栅线电极接触，以通过正面银栅线电极导出铝栅线电极上的电流，其中，形成多个铝栅线电极与P型扩散层直接接触，由于铝材料具有良好接触特性，能够使正面银栅线电极与P型扩散层之间形成良好的欧姆接触；同时，正面银栅线电极与铝栅线电极结合还能够降低接触电阻，提高了N型双面太阳能电池的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法
本专利技术涉及太阳能电池
，更为具体的说，涉及一种N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法。
技术介绍
常规的化石燃料日益消耗殆尽，在现有的可持续能源中，太阳能无疑是一种清洁、普遍和潜力高的替代能源。太阳能电池，也称光伏电池，是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且太阳能是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池是一种有广阔发展前途的新型能源，并受到了广泛的关注。在太阳能电池所使用的衬底材料中，N型硅衬底比P型硅衬底具有更长的少子寿命，N型硅衬底的光衰减性能则更为稳定，因此，在N型硅衬底上进行电池制作形成的N型太阳能电池片的相比P型太阳能电池片优势较大。但是，现有的N型双面太阳能的光电转换效率有待提高。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供了一种N型双面太阳能电池的制作方法及其正面结构的制作方法，以解决现有N型双面太阳能电池存在的问题。为实现上述目的，本专利技术提供的技术方案如下：一种N型双面太阳能电池的正面结构制作方法，包括：提供一基底，所述基底包括N型衬底本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种N型双面太阳能电池的正面结构制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括N型衬底，且所述N型衬底的正面形成有P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型衬底一侧形成正面电极层，所述正面电极层包括多个铝栅线电极；在所述正面电极层背离所述N型衬底一侧形成减反射层；在所述减反射层背离所述N型衬底一侧形成多个正面银栅线电极，且所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极的图案相同且位置相对应；采用烧结工艺使所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极相接触。

【技术特征摘要】
1.一种N型双面太阳能电池的正面结构制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括N型衬底，且所述N型衬底的正面形成有P型扩散层；在所述P型扩散层背离所述N型衬底一侧形成正面电极层，所述正面电极层包括多个铝栅线电极；在所述正面电极层背离所述N型衬底一侧形成减反射层；在所述减反射层背离所述N型衬底一侧形成多个正面银栅线电极，且所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极的图案相同且位置相对应；采用烧结工艺使所述正面银栅线电极与所述铝栅线电极相接触。2.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的正面结构制作方法，其特征在于，所述N型衬底的正面为制绒面。3.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的正面结构制作方法，其特征在于，所述铝栅线电极的宽度范围为47μm-53μm，包括端点值，所述铝栅线电极的厚度范围为45μm-50μm，包括端点值。4.根据权利要求1所述的N型双面太阳能电池的正面结构制作方法，其特征在于，所述正面银栅线电极的宽度范围为25μm-35μm，包括端点值，所述正面银栅线电极的厚度范围为32μm-35μm，包括端点值。5.一种N型双面太阳能电池的制作方法，其特征在于，包括：提供一基底，所述基底包括N型衬底，且所述N型衬底的正面形成有P型扩散层，所述N型衬底的背面形成有钝化层；在所述P型扩散层背离所述N型衬底一侧形成正面电极层，所述正面电极层包括多个铝栅线电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭瑶，郑霈霆，张昕宇，金浩，杨洁，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33