一种双T型栅及制作方法和应用技术

本发明专利技术公开了一种双T型栅及制作方法和应用，双T型栅包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。本发明专利技术能降低栅极电阻，其制作方法不仅可以有效实现小线宽栅极，降低栅极寄生电容,也可以提高栅极制作的效率。

【技术实现步骤摘要】
一种双T型栅及制作方法和应用
本专利技术属于微电子器件制造领域,尤其涉及一种双T型栅及制作方法和应用。
技术介绍
在砷化镓/氮化镓射频毫米波单片集成电路上，栅长是影响微波器件性能的一个重要参数，在一定条件下，栅长与器件频率直接相关，减小栅长能够大幅提高器件的频率和增益性能。T型栅是为了减小栅电阻而普遍采用的一种栅形状，如中国专利CN201611237056.4中揭示的T型栅，从其附图可以看出，T型栅包括栅足和栅帽，栅足生长在AlGaN/GaN外延层上，栅帽直接覆盖在介质钝化层上。又如中国专利CN201410005454中揭示的T型栅，从其附图中可以看出，T型栅包括栅足和栅帽，栅足穿过介质钝化层,栅足生长在AlGaN/GaN外延层上，栅帽悬空，不与介质钝化层接触。缩小栅长是提升性能的最直接办法，但是随着栅长尺寸的不断减小，栅极金属易脱落，T型栅的成品质量不断下降，因此，采用何种工艺方法制作T型栅是十分重要的。在T型栅制备的工艺上，常用的方法是：采用复合胶工艺以及电子束直写曝光方式，采用多次曝光的方法，并利用不同显影液对胶的显影速度的差别，形成T型栅。为了获得更高的截止频率，器件的栅长通本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双T型栅，生长在具有介质钝化层的衬底上，其特征在于：包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。

【技术特征摘要】
1.一种双T型栅，生长在具有介质钝化层的衬底上，其特征在于：包括栅足、栅根和栅帽，栅足和栅根形成第一级T型栅，栅根和栅帽形成第二级T型栅，栅帽悬空，栅足穿过介质钝化层生长在衬底上。2.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：栅足的线宽为70～150nm。3.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：栅帽与介质钝化层的距离为100～350nm。4.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：栅帽为等腰梯形，栅根和栅足为方形。5.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：介质钝化层的厚度为50～100nm。6.根据权利要求1所述的一种双T型栅，其特征在于：第二级T型栅为Γ形。7.一种双T型栅的制作方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一衬底，于衬底上沉积一介质钝化层；2)于介质钝化层上涂布PMMA电子束光刻胶并烘烤，在PMMA电子束光刻胶上涂布I-Line负型光刻胶或DUV光刻胶并烘烤；3)I-Line负型光刻胶或DUV光刻胶曝光与显影，用氧气等离子体处理，去除PMMA电子束光刻胶与I-Line负型光刻胶之间的互溶层或与DUV光刻胶之间的互溶层，形成栅帽的图形；4)电子束曝光及PMMA电子束光刻胶的显影，形成栅根的图形；5)介质钝化层的干法蚀刻层，形成栅足的图形，以露出衬底；6)氧气等离子体处理，扩展栅根...

【专利技术属性】
技术研发人员：何先良，卢青，蔡文必，王文平，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35