MPBH高频发射超薄电容器制造技术

本发明专利技术公开了MPBH高频发射超薄电容器，包括电容器本体和设置于电容器本体下部两侧的针脚，电容器本体为扁平状，电容器本体由外向内依次设有封装壳、保护膜、金属接触层，金属接触层内两侧分别连接两侧的针脚，金属接触层内部设有相对设置的若干电极板。本发明专利技术具有超低的等效串联电阻，能发射高频电信号。

【技术实现步骤摘要】
MPBH高频发射超薄电容器
本专利技术涉及电子设备领域，尤其涉及一种大容量方形电动机电容器及其制造方法。
技术介绍
近些年无线充电技术得到了快速推广，无线充电器看上去就像一块塑料鼠标垫，将手机等放在垫上就能充电，并能同时给多个设备充电。这种类型的充电器中使用MLCC系列NPO型号的贴片电容，由于这种贴片电容材料特殊，稀有，目前只有日本、韩国掌握主要关键技术，目前这种电容疯狂涨价，甚至无法买到。NPO是一种最常用的具有温度补偿特性的单片陶瓷电容器。它的填充介质是由铷、钐和一些其它稀有氧化物组成的。NPO电容器是电容量和介质损耗最稳定的电容器之一。在温度从-55℃到+105℃时容量变化为0±30ppm/℃，电容量随频率的变化小于±0.3ΔC。NPO电容的漂移或滞后小于±0.05%，相对大于±2%的薄膜电容来说是可以忽略不计的。其典型的容量相对使用寿命的变化小于±0.1%。NPO电容器随封装形式不同其电容量和介质损耗随频率变化的特性也不同，大封装尺寸的要比小封装尺寸的频率特性好。目前NPO电容器应用广泛，用量巨大。因此现在NPO电容器的基础上研发出新的电容器以取代NPO电容器的使用。
技术实现思路
基于
技术介绍
存在的技术问题，本专利技术提出了MPBH高频发射超薄电容器。MPBH高频发射超薄电容器，包括电容器本体和设置于电容器本体下部两侧的针脚，电容器本体为扁平状，电容器本体由外向内依次设有封装壳、保护膜、金属接触层，封装壳、保护膜、金属接触层为椭圆卷状，金属接触层内两侧分别连接两侧的引出端子，金属接触层内部设有相对设置的若干电极板。优选地，电极板为扇形，扇形角度为15-20°，的电极板分置于金属接触层的两侧分别作为正极和负极，两侧的正负电极板相互上下间隔设置。优选地，电极板为扇形，扇形角度为15-20°，的电极板分置于金属接触层的两侧分别作为正极和负极，两侧的正负电极板相互上下间隔设置。优选地，电极板为超薄锌铝金属平板。优选地，引出端子可选用针脚、插片或引出线中的一种，采用镀锡铜材质。优选地，电极板表面设有聚丙烯薄膜作为介质。优选地，电极板厚度0.01-0.05微米。优选地，电极板表面聚丙烯薄膜的方阻范围为1-3欧姆。优选地，封装壳外部设有绝缘釉，表面喷印电容信息。本专利技术的优点在于提供了MPBH高频发射超薄电容器，具有超低的等效串联电阻，能发射高频电信号，能达到以下技术指标：额定电压50V.DC-400V.DC；额定容量0.001μF-1.0μF；温度范围-55°C-105°C；容量偏差±5%；极间耐电压1.5Ur(DC)10s25±5℃；损耗角正切Cr≤1.0μFtgδ≤1×10-3，Cr＞1.0μFtgδ≤6×10-4（1KHZ)；绝缘电阻C*IR≥10000S,at50VDC,25±5℃,60S；预期寿命100000hatUrand105℃。附图说明图1为本专利技术提出的MPBH高频发射超薄电容器的结构示意图；图2为本专利技术提出的MPBH高频发射超薄电容器的剖视图；图3为本专利技术提出的MPBH高频发射超薄电容器的内部结构图；图4为本专利技术提出的MPBH高频发射超薄电容器的内部俯视图。具体实施方式参考图1-4，下面结合具体实施例对本专利技术作进一步解说。MPBH高频发射超薄电容器，包括电容器本体1和设置于电容器本体1下部两侧的针脚2，电容器本体1为扁平状，电容器本体1由外向内依次设有封装壳3、保护膜4、金属接触层5，封装壳3、保护膜4、金属接触层5为椭圆卷状，金属接触层5内两侧分别连接两侧的引出端子2，金属接触层5内部设有相对设置的若干电极板6。电极板6为扇形，扇形角度为15-20°，的电极板6分置于金属接触层5的两侧分别作为正极和负极，电极板6在竖直方向上两侧互相错开，正极的电极板6在竖直位置上和负极的电极板6一侧侧面贴合但无重合。这种位置结构能大幅优化电容器的介质损耗和频率特性，电极板6为超薄锌铝金属平板，能有效提高电容器的储电能力；引出端子2可选用针脚、插片或引出线中的一种，采用镀锡铜材质，能延长电容器的使用寿命；电极板6表面设有聚丙烯薄膜作为介质，使用安全可靠，具有良好的自愈性能；电极板6厚度0.01-0.05微米，电极板6表面聚丙烯薄膜的方阻范围为1-3欧姆，能减小电容器的体积，提高发射频率。封装壳3外部设有绝缘釉，表面喷印电容信息，起到标识作用。本专利技术的优点在于提供了MPBH高频发射超薄电容器，具有超低的等效串联电阻，能发射高频电信号，能达到以下技术指标：额定电压50V.DC-400V.DC；额定容量0.001μF-1.0μF；温度范围-55°C-105°C；容量偏差±5%；极间耐电压1.5Ur(DC)10s25±5℃；损耗角正切Cr≤1.0μFtgδ≤1×10-3，Cr＞1.0μFtgδ≤6×10-4（1KHZ)；绝缘电阻C*IR≥10000S,at50VDC,25±5℃,60S；预期寿命100000hatUrand105℃。以上，仅为本专利技术较佳的具体实施方式，但本专利技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本专利技术揭露的技术范围内，根据本专利技术的技术方案及其专利技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.MPBH高频发射超薄电容器，其特征在于，包括电容器本体（1）和设置于电容器本体（1）下部两侧的针脚（2），所述电容器本体（1）为扁平状，所述电容器本体（1）由外向内依次设有封装壳（3）、保护膜（4）、金属接触层（5），所述封装壳（3）、保护膜（4）、金属接触层（5）为椭圆卷状，所述金属接触层（5）内两侧分别连接两侧的引出端子（2），所述金属接触层（5）内部设有相对设置的若干电极板（6）。

【技术特征摘要】
1.MPBH高频发射超薄电容器，其特征在于，包括电容器本体（1）和设置于电容器本体（1）下部两侧的针脚（2），所述电容器本体（1）为扁平状，所述电容器本体（1）由外向内依次设有封装壳（3）、保护膜（4）、金属接触层（5），所述封装壳（3）、保护膜（4）、金属接触层（5）为椭圆卷状，所述金属接触层（5）内两侧分别连接两侧的引出端子（2），所述金属接触层（5）内部设有相对设置的若干电极板（6）。2.根据权利要求1所述的MPBH高频发射超薄电容器，其特征在于，所述电极板（6）为扇形，扇形角度为15-20°，所述的电极板（6）分置于金属接触层（5）的两侧分别作为正极和负极，两侧的正负所述电极板（6）相互上下间隔设置。3.根据权利要求1所述的MPBH高频发射超薄电容器，其特征在于，正极的所述电极板（6）在竖直位置上和负...

【专利技术属性】
技术研发人员：王笑杰，古骏，杨峰，王云，
申请(专利权)人：浙江七星电容器有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33