基于低压H桥的控制电路制造技术

本实用新型专利技术提供一种基于低压H桥的控制电路，包括负载、第一P型场效应管Q1、第二P型场效应管Q2、第一N型场效应管Q3、第二N型场效应管Q4、第一PNP型三极管Q5以及第二PNP型三极管Q6，其中四个场效应管组成一个H桥电路，两个PNP型三极管分别与两个P型场效应管相连。本实用新型专利技术通过在两个P型场效应管上加入两个PNP，控制场效应管栅极与源极之间的电压维持在较高的数值，使得电源端电压Vout的数值具有较大的范围，允许小电压的导通，从而给负载端一个较小的电压。

【技术实现步骤摘要】
基于低压H桥的控制电路
本技术涉及控制电路
，具体涉及一种基于低压H桥的控制电路。
技术介绍
H桥是一个典型的直流电机控制电路，因为它的电路形状酷似字母H，故得名与“H桥”，其4个三极管组成H的4条垂直腿，而电机就是H中的横杠。现有技术中具有多种H桥电路，如图1所示方案一的H桥电路，它由2个P型场效应管Q1、Q2与2个N型场效应管Q3、Q3组成，所以它叫P-NMOS管H桥。桥臂上的4个场效应管相当于四个开关，P型管在栅极为低电平时导通，高电平时关闭；N型管在栅极为高电平时导通，低电平时关闭。场效应管是电压控制型元件，栅极通过的电流几乎为“零”。正因为这个特点，在连接好电路后，控制臂1置高电平(U＝Vcc)、控制臂2置低电平(U＝0)时，Q1、Q4关闭，Q2、Q3导通，负载左端低电平，右端高电平；控制臂1置低电平、控制臂2置高电平时，Q2、Q3关闭，Q1、Q4导通，负载左端高电平，右端低电平；控制臂1、2均为低电平时，Q1、Q2导通，Q3、Q4关闭，负载两端均为高电平；控制臂1、2均为高电平时，Q1、Q2关闭，Q3、Q4导通，负载两端均为低电平。如图2所示方案二的另一种用继电器搭本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于低压H桥的控制电路，其特征在于，包括负载、第一P型场效应管Q1、第二P型场效应管Q2、第一N型场效应管Q3、第二N型场效应管Q4、第一PNP型三极管Q5以及第二PNP型三极管Q6；负载的第一端与第一P型场效应管Q1的漏极以及第一N型场效应管Q3的漏极相连，负载的第二端与第二P型场效应管Q2的漏极以及第二N型场效应管Q4的漏极相连；第一P型场效应管Q1的栅极与第一PNP型三极管Q5的集电极以及第三电阻R3的第一端相连，第三电阻R3的第二端与第一直流电源VCC的负端相连，第一P型场效应管Q1的源极与第二P型场效应管Q2的源极相连，连接点为电源端电压Vout的输出端；第二P型场效应管Q2...

【技术特征摘要】
1.一种基于低压H桥的控制电路，其特征在于，包括负载、第一P型场效应管Q1、第二P型场效应管Q2、第一N型场效应管Q3、第二N型场效应管Q4、第一PNP型三极管Q5以及第二PNP型三极管Q6；负载的第一端与第一P型场效应管Q1的漏极以及第一N型场效应管Q3的漏极相连，负载的第二端与第二P型场效应管Q2的漏极以及第二N型场效应管Q4的漏极相连；第一P型场效应管Q1的栅极与第一PNP型三极管Q5的集电极以及第三电阻R3的第一端相连，第三电阻R3的第二端与第一直流电源VCC的负端相连，第一P型场效应管Q1的源极与第二P型场效应管Q2的源极相连，连接点为电源端电压Vout的输出端；第二P型场效应管Q2的栅极与第二PNP型三极管Q6的集电极以及第四电阻R4的第一端相...

【专利技术属性】
技术研发人员：王忠禹，
申请(专利权)人：合肥威迪变色玻璃有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34