DDR模块的调试方法及系统技术方案

本发明专利技术公开了DDR模块的调试方法及系统，涉及器件调试技术领域。本发明专利技术通过每次在待调节电阻集合中选取一个电阻作为调试电阻；获取存储单元最大工作频率时相应的调试电阻的标准阻值，固定该调试电阻的标准阻值；再在待调节电阻集合的未调试电阻中选取一个电阻作为调试电阻，选取存储单元最大工作频率时相应的调试电阻的标准阻值，依次类推，直至获取待调节电阻集合中每个待调节电阻的标准阻值(完成调试)完成调试，获取的所有待调节电阻的标准阻值即为DDR模块的最佳参数配置。本发明专利技术根据存储单元最大工作频率的方式确定调试电阻的标准阻值体现了DDR模块处于最佳状态时对应的参数配置，且调试用时短、效率高。

【技术实现步骤摘要】
DDR模块的调试方法及系统
本专利技术涉及器件调试
，尤其涉及一种DDR(全称：DoubleDataRate，双倍速率同步动态随机存储器)模块的调试方法及系统。
技术介绍
目前DDR模块的稳定性问题一直困扰着嵌入式系统的设计，现有的对于DDR模块的参数配置调试方法通常是先选定参数，然后根据该选定参数对DDR模块进行各种老化测试(如：高温、低温测试，播放环境测试以及长时间测试等)以验证选定该参数时DDR的稳定性，通过不断选用不同的参数以及相应每组参数对应的DDR稳定性，最终确定较优的DDR模块的参数配置，调试的时间长且效率低。
技术实现思路
针对现有的调试方法耗时长且效率低的问题，现提供一种旨在实现用时短且效率高的DDR模块的调试方法及系统。一种DDR模块的调试方法，DDR模块包括存储单元和控制单元，所述存储单元的待调节电阻和所述控制单元的待调节电阻组成了待调节电阻集合，所述DDR模块的调试方法包括下述步骤：S1.在所述待调节电阻集合中选取一个电阻作为调试电阻；S2.获取所述存储单元最大工作频率时相应的所述调试电阻的标准阻值，固定所述调试电阻的标准阻值；S3.判断所述待调节电阻集合中本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种DDR模块的调试方法，DDR模块包括存储单元和控制单元，其特征在于，所述存储单元的待调节电阻和所述控制单元的待调节电阻组成了待调节电阻集合，所述DDR模块的调试方法包括下述步骤：S1.在所述待调节电阻集合中选取一个电阻作为调试电阻；S2.获取所述存储单元最大工作频率时相应的所述调试电阻的标准阻值，固定所述调试电阻的标准阻值；S3.判断所述待调节电阻集合中是否有未调试电阻，若是，执行步骤S4；若否，结束；S4.在所述待调节电阻集合的未调试电阻中选取一个电阻作为调试电阻，执行步骤S2。

【技术特征摘要】
1.一种DDR模块的调试方法，DDR模块包括存储单元和控制单元，其特征在于，所述存储单元的待调节电阻和所述控制单元的待调节电阻组成了待调节电阻集合，所述DDR模块的调试方法包括下述步骤：S1.在所述待调节电阻集合中选取一个电阻作为调试电阻；S2.获取所述存储单元最大工作频率时相应的所述调试电阻的标准阻值，固定所述调试电阻的标准阻值；S3.判断所述待调节电阻集合中是否有未调试电阻，若是，执行步骤S4；若否，结束；S4.在所述待调节电阻集合的未调试电阻中选取一个电阻作为调试电阻，执行步骤S2。2.根据权利要求1所述的DDR模块的调试方法，其特征在于，所述存储单元的待调节电阻包括：存储单元端接电阻，和/或存储单元数据驱动电阻。3.根据权利要求1或2所述的DDR模块的调试方法，其特征在于，所述控制单元的待调节电阻包括：控制单元端接电阻，和/或控制单元数据驱动电阻，和/或控制单元地址组驱动电阻。4.根据权利要求3所述的DDR模块的调试方法，其特征在于，所述步骤S1在所述待调节电阻集合中选取一个电阻作为调试电阻，包括：根据预设顺序在所述待调节电阻集合中选取一个电阻作为调试电阻；所述预设顺序为：存储单元端接电阻，存储单元数据驱动电阻，控制单元端接电阻，控制单元数据驱动电阻，控制单元地址组驱动电阻，或所述预设顺序为：先进行读操作调试，再进行写操作调试，或所述预设顺序为：先进行写操作调试，再进行读操作调试；其中，在所述读操作过程中分别对存储单元端接电阻、存储单元数据驱动电阻和控制单元端接电阻进行调试；在所述写操作过程中分别对控制单元数据驱动电阻和控制单元地址组驱动电阻进行调试。5.根据权利要求4所述的DDR模块的调试方法，其特征在于，所述步骤S4在所述待调节电阻集合的未调试电阻中选取一个电阻作为调试电阻，包括：根据所述预设顺序在所述待调节电阻集合的未调试电阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄敏君，韩小江，张坤，
申请(专利权)人：晶晨半导体深圳有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44