用于高压充电电源逆变回路主开关电流检测保护的电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种用于高压充电电源逆变回路主开关电流检测保护的电路，霍尔传感器将检测到的流经IGBT管的电流转化成电压信号，从ST1端口输入电路中；经过运放U1搭建的电压跟随器，进行阻抗的变换；电压跟随器U1的输出信号送至集电极开路型比较器U2的同相输入端2号脚，U2的反向输入端接电位器W1的中心抽头，W1两端分别接电源VCC和地GND；比较器输出端接光耦OC1的2号脚。本实用新型专利技术使用了光耦隔离，可以有效的将取样信号端的电源和地与逻辑控制端的电源和地隔离开，避免电磁干扰；使用多路或非门结构，满足多路信号采集使用。

【技术实现步骤摘要】
用于高压充电电源逆变回路主开关电流检测保护的电路
本技术涉及高压充电电源
，尤其涉及一种用于高压充电电源逆变回路主开关电流检测保护的电路。
技术介绍
电容高压充电型电源一般采用开关逆变的形式，主要原理为先将220V市电整流，再利用逆变技术将整流后的直流电变成交流电，然后经过高压变压器升压，最后通过高压整流后对高压电容进行充电。开关器件通常采用IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通压降两方面的优点，因此开关逆变式充电电源的逆变回路主开关多采用IGBT模块。当通过IGBT的电流过大时，IGBT会发生过电流损坏，主要有如下三种:①锁定效应。IGBT为复合器件,其内有一个寄生晶闸管,在规定的漏极电流范围内,NPN的正偏压不足以使NPN晶体管导通,当漏极电流大到一定程度时,这个正偏压足以使NPN晶体管开通，进而使NPN或PNP晶体管处于饱和状态,于是寄生晶闸管开通,栅极失去了控制作用,便发生了锁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于高压充电电源逆变回路主开关电流检测保护的电路，其特征在于：包括有端口ST1、电压跟随器U1、电位器W1、比较器U2、光耦OC1、或非门U3和D触发器U4，霍尔传感器将检测到的流经IGBT管的电流转化成电压信号，从端口ST1输入电路中，经过电压跟随器U1进行阻抗变换，电压跟随器U1的输出信号送至比较器U2的同相输入端2号脚，比较器U2的反向输入端接电位器W1的中心抽头，电位器W1两端分别接电源VCC和地GND；比较器U2输出端接光耦OC1的2号脚，其1号脚接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接电源VCC，光耦OC1的隔离侧5号脚接电源VCC0，4号脚分别接电阻R2的一端和或非门U3的1...

【技术特征摘要】
1.一种用于高压充电电源逆变回路主开关电流检测保护的电路，其特征在于：包括有端口ST1、电压跟随器U1、电位器W1、比较器U2、光耦OC1、或非门U3和D触发器U4，霍尔传感器将检测到的流经IGBT管的电流转化成电压信号，从端口ST1输入电路中，经过电压跟随器U1进行阻抗变换，电压跟随器U1的输出信号送至比较器U2的同相输入端2号脚，比较器U2的反向输入端接电位器W1的中心抽头，电位器W1两端分别接电源VCC和地GND；比较器U2输出端接光耦OC1的2号脚，其1号脚接电阻R1的一端，电阻R1的另一端接电源VCC，光耦OC1的隔离侧5号脚接电源VCC0，4号脚分别接电阻R2的一端和或非门U3的11号脚，电阻R2的另一端接地；或非门U3...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁勖，黄御，
申请(专利权)人：深圳盛方科技有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44