绝缘体上硅材质输液滤膜及其制备方法、过滤器和输液器技术

本发明专利技术公开了一种绝缘体上硅材质输液滤膜及其制备方法、过滤器和输液器，绝缘体上硅材质输液滤膜包括本体，所述本体由绝缘体上硅材料制成，所述本体包括底层本体硅、氧化硅掩埋中间层和顶层硅，所述底层本体硅制备成栅格支撑体，顶层硅制备成滤膜，氧化硅掩埋中间层和顶层硅上设置有多个由顶层硅贯通至氧化硅掩埋中间层的滤孔，所述滤孔的孔径为0.2微米~5微米，滤孔的深度为1微米~50微米。本发明专利技术克服了现有有机材料输液过滤膜的过滤路径长、滤膜溶胀大、滤膜机械强度低等缺陷，具有生物兼容性好，滤膜厚度一致性好、精确可控，过滤路径短，过滤压差小，滤膜溶胀小，药物在滤膜上的吸附小，以及滤膜表面修饰更加方便的优点。

【技术实现步骤摘要】
绝缘体上硅材质输液滤膜及其制备方法、过滤器和输液器
本专利技术涉及一种绝缘体上硅材质输液滤膜及其制备方法、过滤器和输液器。
技术介绍
目前，静脉输液是最常见的药物输送方式之一，药液中的有效成分通过输送进入人体血液循环系统，对发病区域进行治疗，已经成为常见的药物治疗手段。这种药物输送面临的常见问题是由于目前药物生产技术和运输及保存等环境条件限制，药液中往往会有仍然含有不同直径的微颗粒物质，输液过程与有效药物成分一起进入血液系统，并对人体健康带来不同程度的影响，对人体组织或者器官可能带来严重的危害性，严重者可能会危及人体生命安全。目前大部分治疗药液对这些微颗粒有过滤的要求，例如国家标准GB8368（2005）中对重力式一次性使用输液器明确规定了过滤颗粒直径要求，现有医疗行业中的一次性输液过滤器均配了可以过滤直径25微米以上颗粒的过滤器。目前越来越多的临床研究表明，有部分药物在输液中要求提高过滤器的精度，国际上已经有一些药物明确规定了微细颗粒的过滤要求，例如糖蛋白IIb/IIIa抑制剂药物阿昔单抗ReoPro、抗心律失常药物胺碘酮（可龙达）、抗肿瘤药物氯苯吩嗪（Clolar）、抗肿瘤药物紫杉醇（Taxol、Onxol）等要求过滤颗粒直径为0.2微米。精密过滤器的研发和应用目前成为国内外医疗器械行业的关注领域。中国专利CN102527255A公开了一种药液过滤膜及制备方法和该药液过滤膜的应用，滤膜的制备包括如下步骤：步骤1，制备氧化硅乳胶；步骤2，向氧化硅乳胶中添加成孔剂，形成氧化硅乳胶溶液；步骤3，将氧化硅乳胶溶液旋涂在氧化铝薄板衬底材料商，并多次旋涂，得到厚度为0.5微米至1毫米的氧化硅薄膜；步骤4，氧化硅薄膜在680至750摄氏度条件下烧结，得到纯的氧化硅陶瓷薄膜。该方法采用了无机材料，可以实现1.8微米至2.8微米直径范围及以上的微颗粒过滤。但是颗粒过滤直径还没有达到1微米以下。中国专利CN106621510A公开了一种用于输液的软材质高分子精密过滤器及其制造方法，滤膜为核微孔滤膜、聚醚凨膜、聚酯膜或尼龙膜，称膜为纤维膜、尼龙膜或者聚酯膜。该方法还是基于有机高分子材料，过滤的路径长，且同样会面临材料溶胀的问题。中国专利CN106031247A公开了一种用于输液装置的过滤器。过滤器采用经过正电荷处理的高分子滤膜，可以实现颗粒直径0.2微米以上的带有正电荷的蛋白质治疗药物中颗粒的过滤。该方法在过滤颗粒直径的能力上，实现了0.2微米的过滤，但材质仍然属于高分子材料，非无机材料。目前国外已经有纳米超滤输液过滤器，这些过滤器主要用高分子纤维状多孔滤膜。高分子纳米滤膜生产工艺相对成熟，大批量加工的成本较低。高分子纳米滤膜用于药物的过滤，目前主要存在以下几个方面的不足：药物过滤路径长、路线复杂，会增加药物在滤膜上的吸附；高分子滤膜在药液中的溶胀现象，容易造成过滤通道发生变化，带来过滤性能的改变；过滤路径长，带来较大的压力损失，影响过滤流速。因此上述专利中或者产品涉及的精密过滤器尚没有可以达到0.2微米的纯无机材料滤膜技术。与有机材料滤膜相比，无机材料在材料强度、抗溶胀性、短过滤路径、低压差等方面具有天然的优势。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种绝缘体上硅材质输液滤膜，它克服了现有有机材料输液过滤膜的过滤路径长、滤膜溶胀大、滤膜机械强度低等缺陷，具有生物兼容性好，滤膜厚度一致性好、精确可控，过滤路径短，过滤压差小，滤膜溶胀小，药物在滤膜上的吸附小，以及滤膜表面修饰更加方便的优点。为了解决上述技术问题，本专利技术的技术方案是：一种绝缘体上硅材质输液滤膜，它包括本体，所述本体由绝缘体上硅材料制成，所述本体包括底层本体硅、氧化硅掩埋中间层和顶层硅，所述底层本体硅制备成栅格支撑体，顶层硅制备成滤膜，氧化硅掩埋中间层和顶层硅上设置有多个由顶层硅贯通至氧化硅掩埋中间层的滤孔，所述滤孔的孔径为0.2微米~5微米，滤孔的深度为1微米~50微米。进一步，所述栅格支撑体的栅格图形边长为0.05毫米至2毫米；和/或所述本体的总厚度为100微米~450微米。本专利技术还提供了一种绝缘体上硅材质输液滤膜的制备方法，方法的步骤中含有：S1：取绝缘体上硅材料的晶圆，采用该晶圆将底层本体硅制备成栅格支撑体，形成带有栅格支撑体的半成品；S2：在半成品上，将顶层硅制备成带有滤孔的滤膜；S3：将栅格支撑体和滤膜之间的氧化硅掩埋中间层上相应的滤孔对应的部分去除，形成完整的滤孔。进一步，步骤S1具体为：取绝缘体上硅材料制成的双面抛光晶圆，并在双面抛光单晶硅的底层本体硅的底面沉积抗刻蚀薄膜；对抗刻蚀薄膜开窗，进行图形化处理，得到图形化薄膜；经过开窗的图形化薄膜作为刻蚀掩膜，然后对双面抛光单晶硅进行刻蚀，双面抛光单晶硅刻蚀后为带有栅格支撑体的半成品；其中，刻蚀的深度控制至氧化硅掩埋中间层为止。进一步，步骤S2具体为：在半成品的顶层硅的顶面涂覆光刻胶；对光刻胶进行光刻，曝光及显影后得到用于刻蚀滤孔的光刻胶掩模图形；光刻胶掩模图形作为刻蚀掩膜，然后对顶层硅进行刻蚀，形成带有滤孔的滤膜。进一步，制备方法还包括步骤S3：在滤膜和栅格支撑体的表面沉积氧化硅薄膜，然后对沉积了氧化硅薄膜的滤膜和栅格支撑体的表面通过化学方法进行正电荷处理。本专利技术还提供了一种过滤器，它包括：绝缘体上硅材质输液滤膜；壳体，所述绝缘体上硅材质输液滤膜设置在壳体内，并且所述壳体被所述绝缘体上硅材质输液滤膜分隔为进液腔和出液腔；输液进口，所述输液进口连接在壳体上，并且所述输液进口与所述进液腔相连通；滤液出口，所述滤液出口连接在壳体上，并且所述滤液出口与所述出液腔相连通。进一步，过滤器还包括过滤排气口，所述过滤排气口连接在壳体上，并且所述过滤排气口与所述出液腔相连通。本专利技术还提供了一种输液器，它包括：过滤器；导管，所述导管的一端与过滤器的滤液出口相连通；滴速管，所述滴速管的一端与所述导管的另一端相连通；穿刺组件，所述穿刺组件连接在滴速管上；速度调节器，所述速度调节器设置在导管上。进一步，输液器还包括三通件，所述三通件的进口与过滤器的滤液出口相连通，所述三通件的一分口与导管的一端相连通，所述三通件的另一分口为加注口。进一步，所述滴速管内设置有滴壶，所述穿刺组件包括穿刺器，所述穿刺器与滴壶相连通。进一步，所述过滤器的输液进口上设置有鲁尔螺旋接口。采用了上述技术方案后，本专利技术的一种绝缘体上硅材质输液滤膜，主要是可以精确控制滤膜厚度，及其一致性，此外，本专利技术的绝缘体上硅材质输液滤膜为一体化滤膜与栅格支撑体结构形式，主要就是为了解决超薄滤膜在压力作用下易脆断的问题。本专利技术中采用的输液滤膜为绝缘体上硅材质，即Silicononinsulate(SOI)衬底材料，这种材料共有三层，分别为底层本体硅、氧化硅掩埋中间层和顶层硅，滤膜位于顶层硅上，底层本体硅作为滤膜的支撑体，即滤膜与栅格支撑体在同一衬底材料上先后加工出来、天然连为一体，因此可以有效解决上述的问题。另外，本专利技术的滤孔深度为1微米~50微米，可以充分保证滤膜的机械强度，在过滤过程中，受到压力不会产生破损。与有机滤膜相比，本专利技术中的无机滤膜，过滤路径短，滤膜溶胀小，药物和滤膜的接触界面少，因此原理上药物的吸附量会更小。考虑到某些药本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘体上硅材质输液滤膜，其特征在于，它包括本体，所述本体由绝缘体上硅材料制成，所述本体包括底层本体硅、氧化硅掩埋中间层和顶层硅，所述底层本体硅制备成栅格支撑体（86），顶层硅制备成滤膜（87），氧化硅掩埋中间层和顶层硅上设置有多个由顶层硅贯通至氧化硅掩埋中间层的滤孔，所述滤孔的孔径为0.2微米~5微米，滤孔的深度为1微米~50微米。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘体上硅材质输液滤膜，其特征在于，它包括本体，所述本体由绝缘体上硅材料制成，所述本体包括底层本体硅、氧化硅掩埋中间层和顶层硅，所述底层本体硅制备成栅格支撑体（86），顶层硅制备成滤膜（87），氧化硅掩埋中间层和顶层硅上设置有多个由顶层硅贯通至氧化硅掩埋中间层的滤孔，所述滤孔的孔径为0.2微米~5微米，滤孔的深度为1微米~50微米。2.根据权利要求1所述的绝缘体上硅材质输液滤膜，其特征在于：所述栅格支撑体（86）的栅格图形边长为0.05毫米至2毫米；和/或所述本体的总厚度为100微米~450微米。3.一种如权利要求1或2所述的绝缘体上硅材质输液滤膜的制备方法，其特征在于方法的步骤中含有：S1：取绝缘体上硅材料的晶圆，采用该晶圆将底层本体硅制备成栅格支撑体（86），形成带有栅格支撑体（86）的半成品；S2：在半成品上，将顶层硅制备成带有滤孔的滤膜；S3：将栅格支撑体（86）和滤膜（87）之间的氧化硅掩埋中间层上相应的滤孔对应的部分去除，形成完整的滤孔。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：步骤S1具体为：取绝缘体上硅材料制成的双面抛光晶圆，并在双面抛光单晶硅的底层本体硅的底面沉积抗刻蚀薄膜；对抗刻蚀薄膜开窗，进行图形化处理，得到图形化薄膜；经过开窗的图形化薄膜作为刻蚀掩膜，然后对双面抛光单晶硅进行刻蚀，双面抛光单晶硅刻蚀后为带有栅格支撑体（86）的半成品；其中，刻蚀的深度控制至氧化硅掩埋中间层为止。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于：步骤S2具体为：在半成品的顶层硅的顶面涂覆光刻胶；对光刻胶进行光刻，曝光及显影后得到用于刻蚀滤孔的光刻胶掩模图形；光刻胶掩模图形作为刻蚀掩膜，然后对顶层硅进行刻蚀，形成带有滤孔的滤膜（87）。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于：方法还包括步骤...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱学林，
申请(专利权)人：常州费曼生物科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32