用于突发跨阻放大器的偏置电路、突发跨阻放大器及光线路终端制造技术

本申请公开了一种用于突发跨阻放大器的偏置电路，包括：运算放大器、三极管、MOS晶体管、电阻及其他器件。其中，运算放大器的反相输入端和电阻的第一端口均与三极管的集电极相连接，运算放大器的同相输入端与MOS晶体管的漏极相连接，运算放大器的输出端口与MOS晶体管的栅极相连接，MOS晶体管的源极与电阻的第二端口相连接。运算放大器、MOS晶体管和电阻组成负反馈网络，能够使突发跨阻放大器的MOS晶体管栅极电压被偏置在正确的电位，使得该MOS晶体管处于弱导通状态，解决了突发跨阻放大器输出的信号噪声过大或者信号畸变等问题。

【技术实现步骤摘要】
用于突发跨阻放大器的偏置电路、突发跨阻放大器及光线路终端
本申请涉及电子
，尤其涉及一种用于突发跨阻放大器的偏置电路、突发跨阻放大器及光线路终端。
技术介绍
光纤到户(FiberToTheHome，FTTH)是目前最理想的宽带接入方式，无源光网络(PassiveOpticalNetwork，PON)是实现FTTX最具吸引力的技术。PON网络由光网络单元(OpticalNetworkUnit，ONU)、光线路终端(opticallineterminal，OLT)以及光分路器等组成，OLT端接收不同ONU端发送的突发数据，接收部分响应时间需要尽可能短以提高网络利用效率(千兆位无源光网络(Gigabit-CapablePON，GPON)协议G984.2中规定preamble时间为44bit)，跨阻放大器负责接收端光电转换并放大信号，所以OLT的跨阻放大器的响应时间要尽可能短以满足协议要求。有源跨阻被用于突发跨阻放大器中以扩大输入动态范围，突发跨阻放大器的难点在于缩短有源跨阻的响应时间。图1描述了现有的一种应用于突发跨阻放大器的有源跨阻电路，图中的MOS晶体管栅极电压被固定偏置，这样可以避免有源跨阻响应时间问题。但是若MOS晶体管的栅极电压没有被偏置在正确的电位，会出现突发跨阻放大器输出的信号噪声过大或者信号畸变等问题。
技术实现思路
本申请实施例提供一种用于突发跨阻放大器的偏置电路，能够使突发跨阻放大器的MOS晶体管栅极电压被偏置在正确的电位，使得该MOS晶体管处于弱导通状态，解决了突发跨阻放大器输出的信号噪声过大或者信号畸变等问题。第一方面，本申请实施例提供一种用于突发跨阻放大器的偏置电路，包括：运算放大器、第一电流发生器、第二电流发生器、第三电流发生器、三极管Q1，MOS晶体管M1和电阻R1；其中，所述第一电流发生器的输出端口与所述三极管Q1的集电极相连接，所述三极管Q1的基极与集电极相连接，所述三极管Q1的发射极接地；所述第二电流发生器的输出端口与所述运算放大器的同相输入端相连接；所述运算放大器的反相输入端和所述电阻R1的第一端口均与所述三极管Q1的集电极相连接，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS晶体管M1的漏极相连接；所述运算放大器的输出端口与所述MOS晶体管M1的栅极相连接；所述MOS晶体管M1的源极和所述电阻R1的第二端口均与所述第三电流发生器的正极相连接；所述第三电流发生器的负极接地。在一种可行的实施例中，所述第一电流发生器为恒流源或电阻。在一种可行的实施例中，所述第二电流发生器和所述第三电流发生器均为恒流源。在一种可行的实施例中，所述运算放大器工作时，其同相输入端的电压与反相输入端的电压相等。第二方面，本申请实施例提供一种突发跨阻放大器，包括电阻Rc、电阻R0、电阻R1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、MOS晶体管M0、MOS晶体管M1、第一电流发生器、第二电流发生器、第三电流发生器、第四电流发生器和运算放大器；其中，所述第一电流发生器的输出端口与所述第三三极管Q3的集电极相连接，所述第三三极管Q3的基极与集电极相连接，所述第三三极管Q3的发射极接地；所述第二电流发生器的输出端口与所述运算放大器的同相输入端相连接；所述运算放大器的反相输入端和所述电阻R1的第一端口均与第三三极管Q3的集电极相连接，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS晶体管M1的漏极相连接；所述运算放大器的输出端口与所述MOS晶体管M1的栅极相连接；所述MOS晶体管M1的源极和所述电阻R1的第二端口均与所述第三电流发生器的正极相连接；所述第三电流发生器的负极接地；所述电阻Rc的第一端口接直流电压源VCC，其第二端口与所述第一三极管Q1的集电极，所述三极管Q1的发射极接地；所述第二三极管Q2的集电极接所述直流电压源VCC，其基极与所述电阻Rc的第二端口相连接，所述第二三极管Q2的发射极与所述第四电流发生器的正极相连接，所述第四电流发生器的负极接地；所述MOS晶体管M0的栅极与所述偏置电路的输出端口相连接，所述MOS晶体管M0的漏极和源极分别与所述电阻R0的第一端口和第二端口相连接；所述电阻R0的第一端口与上述第一三极管Q1的基极相连接，上述电阻R0的第二端口与所述第四电流发生器的正极相连接。在一种可行的实施例中，所述MOS晶体管M1的尺寸参数与所述MOS晶体管M0的尺寸参数一致；所述电阻R0的尺寸参数和所述电阻R1的尺寸参数一致；所述第一三极管Q1的尺寸参数和所述第三三极管Q3的尺寸参数一致。在一种可行的实施例中，所述第一电流发生器为恒流源或电阻。在一种可行的实施例中，所述第二电流发生器、第三电流发生器和第四电流发生器均为恒流源。第三方面，本申请实施例还提供一种光线路终端，包括如第一方面所述的偏置电路或者第二方面所述的突发跨阻放大器。可以看出，在本申请的实施例中，突发跨阻放大器的偏置电路包括：运算放大器、第一电流发生器、第二电流发生器、第三电流发生器、三极管Q1、MOS晶体管M1和电阻R1；其中，第一电流发生器的输出端口与三极管Q1的集电极相连接，三极管Q1的基极与其集电极相连接，三极管Q1的发射极接地；第二电流发生器的输出端口与运算放大器的同相输入端相连接；运算放大器的反相输入端和电阻R1的第一端口均与三极管Q1的集电极相连接，运算放大器的同相输入端与MOS晶体管M1的漏极相连接；运算放大器的输出端口与MOS晶体管M1的栅极相连接；MOS晶体管M1的源极和电阻R1的第二端口均与第三电流发生器的正极相连接；第三电流发生器的负极接地。运算放大器、MOS晶体管M1和电阻R1组成负反馈网络，能够使突发跨阻放大器的MOS晶体管栅极电压被偏置在正确的电位，使得该MOS晶体管处于弱导通状态，解决了突发跨阻放大器输出的信号噪声过大或者信号畸变等问题。本申请的这些方面或其他方面在以下实施例的描述中会更加简明易懂。附图说明为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为一种传统跨阻放大器的结构示意图；图2为本申请实施例提供的一种突发跨阻放大器的结构示意图；图3为本申请实施例提供的一种用于突发跨阻放大器的偏置电路的结构示意图；图4为本申请实施例提供的另一种突发跨阻放大器的结构示意图。具体实施方式以下分别进行详细说明。参见图1，图1为一种传统跨阻放大器的结构示意图。如图1所示，该传统跨阻放大器包括：电阻Rc、电阻R0、第一三极管Q1、第二三极管Q2、MOS晶体管M0、自动增益控制电路和电流发生器。其中，上述电阻Rc的第一端口接直流电压源VCC，其第二端口与上述第一三极管Q1的集电极，该三极管Q1的发射极接地。其中，上述第二三极管Q2的集电极接上述直流电压源VCC，其基极与上述电阻Rc的第二端口相连接，上述第二三极管Q2的发射极与上述电流发生器的正极相连接，该该电流发生器的负极接地。上述自动增益控制电路的输出端口与上述MOS晶体管M0的栅极相连接，为该MOS晶体管M0的栅极提供偏置电压。该MOS晶体管本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于突发跨阻放大器的偏置电路，其特征在于，包括：运算放大器、第一电流发生器、第二电流发生器、第三电流发生器、三极管Q1，MOS晶体管M1和电阻R1；其中，所述第一电流发生器的输出端口与所述三极管Q1的集电极相连接，所述三极管Q1的基极与其集电极相连接，所述三极管Q1的发射极接地；所述第二电流发生器的输出端口与所述运算放大器的同相输入端相连接；所述运算放大器的反相输入端和所述电阻R1的第一端口均与所述三极管Q1的集电极相连接，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS晶体管M1的漏极相连接；所述运算放大器的输出端口与所述MOS晶体管M1的栅极相连接；所述MOS晶体管M1的源极和所述电阻R1的第二端口均与所述第三电流发生器的正极相连接；所述第三电流发生器的负极接地。

【技术特征摘要】
1.一种用于突发跨阻放大器的偏置电路，其特征在于，包括：运算放大器、第一电流发生器、第二电流发生器、第三电流发生器、三极管Q1，MOS晶体管M1和电阻R1；其中，所述第一电流发生器的输出端口与所述三极管Q1的集电极相连接，所述三极管Q1的基极与其集电极相连接，所述三极管Q1的发射极接地；所述第二电流发生器的输出端口与所述运算放大器的同相输入端相连接；所述运算放大器的反相输入端和所述电阻R1的第一端口均与所述三极管Q1的集电极相连接，所述运算放大器的同相输入端与所述MOS晶体管M1的漏极相连接；所述运算放大器的输出端口与所述MOS晶体管M1的栅极相连接；所述MOS晶体管M1的源极和所述电阻R1的第二端口均与所述第三电流发生器的正极相连接；所述第三电流发生器的负极接地。2.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述第一电流发生器为恒流源或者电阻。3.根据权利要求1所述的偏置电路，其特征在于，所述第二电流发生器和所述第三电流发生器均为恒流源。4.根据权利要求1-3任一项所述的偏置电路，其特征在于，所述运算放大器工作时，其同相输入端的电压与反相输入端的电压相等。5.一种突发跨阻放大器，其特征在于，包括电阻Rc、电阻R0、电阻R1、第一三极管Q1、第二三极管Q2、第三三极管Q3、MOS晶体管M0、MOS晶体管M1、第一电流发生器、第二电流发生器、第三电流发生器、第四电流发生器和运算放大器；其中，所述第一电流发生器的输出端口与所述第三三极管Q3的集电极相连接，所述第三三极管Q3的基极与集电极相连接，所述第三三极管Q3的发射极接地；所述第二电流发生器的输出端口与所述运算放大器的同相输入端相连接；所述运算放大器的反相输入...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹正军，
申请(专利权)人：深圳市芯波微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44