一种超低插损的高功率光纤耦合结构制造技术

本发明专利技术公开一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤，其中N为大于或等于1的整数；N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体，各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。本发明专利技术将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤的表面上，各泵浦光纤与信号光纤的相对位置能保持稳定，不会产生移位；此外，泵浦光纤内的泵浦光经全内反射的光反射结构的反射后进入信号光纤的包层内，泵浦光几乎不会再从端面射出，因此各泵浦光纤内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤的包层内进耦合，从而实现超低插损的高功率耦合器。

【技术实现步骤摘要】
一种超低插损的高功率光纤耦合结构
本专利技术涉及光通信器件
，尤其涉及一种超低插损的高功率光纤耦合结构。
技术介绍
光纤耦合是光集成器件封装中的一个重要问题。现有技术中的光纤的耦合结构单一，泵浦光在光纤内的行走路程有限，对泵浦光的利用率也低进而功率不高，且普遍存在着较高的插损。
技术实现思路
本专利技术专利的目的在于克服现有技术的不足，提供一种超低插损的高功率光纤耦合结构。本专利技术专利采用的技术方案是：一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤，其中N为大于或等于1的整数；N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体，各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。所述光反射结构为设于泵浦光纤光输出的一端的泵浦光纤光栅。所述光反射结构为镀于泵浦光纤光输出一端的高反射率反射膜。所述泵浦光纤对应高反膜处设有悬空保护套管，防止灰尘污染端面，进而造成膜层损失。所述信号光纤对应泵浦光纤光输入的一端处设有信号光纤光栅。各所述泵浦光纤光输入的一端耦合连接有多根前级泵浦光纤。本专利技术采用以上技术方案，将各泵浦光纤熔接固定在信号光纤的表面上，各泵浦光纤与信号光纤的相对位置能保持稳定，不会产生移位；此外，泵浦光纤内的泵浦光经全内反射的光反射结构的反射后进入信号光纤的包层内，泵浦光几乎不会再从端面射出，因此各泵浦光纤内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤的包层内进行耦合，从而实现超低插损的高功率耦合器。附图说明以下结合附图和具体实施方式对本专利技术做进一步详细说明；图1为本专利技术一种超低插损的高功率光纤耦合结构的实施1的结构示意图；图2为本专利技术一种超低插损的高功率光纤耦合结构的实施2的结构示意图；图3为本专利技术一种超低插损的高功率光纤耦合结构的实施3的结构示意图。具体实施方式实施例1：如图1所示，本专利技术公开了一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其包括N根泵浦光纤1和一根信号光纤2，其中N为大于或等于1的整数；N根泵浦光纤1与信号光纤2熔接成一体，各泵浦光纤1光输出的一端上设有光反射结构11，所述光反射结构11为设于泵浦光纤1光输出的一端的泵浦光纤光栅11。所述信号光纤2对应泵浦光纤1光输入的一端处设有信号光纤光栅21。信号光纤2上的信号光纤光栅21对泵浦光纤1的激光高反射，且信号光纤光栅21可对信号光纤2的信号全透过。本实施例1采用以上技术方案，将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤2的表面上，各泵浦光纤1与信号光纤2的相对位置能保持稳定，不会产生移位；此外，泵浦光纤1内的泵浦光经全内反射的光反射结构11的反射后进入信号光纤2的包层内，泵浦光几乎不会再从端面射出，因此各泵浦光纤1内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤2的包层内进行耦合，从而实现超低插损的高功率耦合器。实施例2：如图2所示，本实施例2与实施例1的不同点在于：所述光反射结构11为泵浦光纤1光输出一端镀高反膜。光纤端面镀高反膜，制作工艺简洁，相比光纤光栅结构成本低廉。所述泵浦光纤1对应高反膜处设有悬空保护套管（图中未表示），防止灰污染端面，进而造成膜层损失。本实施例2采用以上技术方案，将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤2的表面上，各泵浦光纤1与信号光纤2的相对位置能保持稳定，不会产生移位；此外，泵浦光纤1内的泵浦光经光反射结构11的反射后进入信号光纤2的包层内，泵浦光几乎不会再从端面射出，因此各泵浦光纤1内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤2的包层内进行耦合，从而实现超低插损的高功率耦合器。实施例3：如图3所示，本实施例3与实施例2的不同点在于：各所述泵浦光纤1光输入的一端耦合连接有多根前级泵浦光纤3。此外作为另一种实施方式，光反射结构11可由一光纤的一端面先镀高反膜，再光纤熔接机熔接于泵浦光纤1光输出一端，其中标记12处为熔接点。本实施例3采用以上技术方案，将各泵浦光纤1熔接固定在信号光纤2的表面上，各泵浦光纤1与信号光纤2的相对位置能保持稳定，不会产生移位；泵浦光纤1内的泵浦光经全内反射的第一光反射结构11的反射后进入信号光纤2的包层内，泵浦光几乎不会再从端面射出。此外，各所述泵浦光纤1光输入的一端耦合连接有多根前级泵浦光纤3。如用10根一千瓦合束后再耦合进入信号线，1千瓦泵浦损失为5%X50%=0.25%,即由原来损失5%的500瓦变成25瓦漏出光，损失和热都可以很易处理。因此各泵浦光纤1内的泵浦光几乎实现100%在信号光纤2的包层内进行耦合，从而实现超低插损的高功率耦合器。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其特征在于：其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤，其中N为大于或等于1的整数；N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体，各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。

【技术特征摘要】
1.一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其特征在于：其包括N根泵浦光纤和一根信号光纤，其中N为大于或等于1的整数；N根泵浦光纤与信号光纤熔接成一体，各泵浦光纤光输出的一端上设有光反射结构。2.根据权利要求1所述的一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其特征在于：所述光反射结构为设于泵浦光纤光输出的一端的泵浦光纤光栅。3.根据权利要求1所述的一种超低插损的高功率光纤耦合结构，其特征在于：所述光反射结构...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴砺，林磊，董海军，蔡光明，
申请(专利权)人：福州高意光学有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35