一种n-p异质型多孔球状气敏材料及制备方法技术

本发明专利技术涉及一种n‑p异质型球状气敏材料及制备方法，具体涉及一种p型多孔球状NiO负载n型纳米SnO2气敏材料及制备方法。制备步骤为：一、将一定量Ni(NO3)2•6 H2O放入鼓泡搅拌釜中，加入环己烷、水、正己醇及十二烷基硫酸钠，在5~20℃水浴下搅拌充分溶解；二、从鼓泡搅拌釜的底部以10~50 ml/min的速率通入CO2鼓泡30min，然后将鼓泡搅拌釜内的压强调到0.05~0.1 MPa，停止通入CO2；三、逐滴加入2mol/L的NaOH溶液至pH=8~11，静置1~2 h；四、加入一定量的SnCl4·5H2O并在50~80℃搅拌至粉末，然后放入马弗炉中500~700℃煅烧4~8h，得到n‑p异质型多孔球状气敏材料。

【技术实现步骤摘要】
一种n-p异质型多孔球状气敏材料及制备方法
本专利技术涉及一种n-p异质型多孔球状气敏材料及制备方法，具体涉及一种p型多孔球状NiO负载n型纳米SnO2气敏材料及制备方法，属于材料制备领域。
技术介绍
近年来，随着我国汽车保有量的快速增长，汽车尾气中产生大量的NOx（主要是NO2和NO），将会严重影响空气质量，导致PM2.5飙升。针对日益突出大气环境污染问题，2016年1月1日国家正式施行《中华人民共和国大气污染防治法》。所以，防治大气污染，监控气体污染源具有高度紧迫性。目前，面向大气检测的商业化NO2传感器主要是基于电化学原理，其结构复杂，价格昂贵，响应速度较慢。因此，发展针对NO2等有毒有害气体的快速、高灵敏度、低浓度（ppb量级）检测技术具有重要意义。NiO是一种直接带隙宽禁带P型半导体纳米材料，室温下的禁带宽度为3.6eV-4.0eV之间，气敏传导机制为表面控制型。通常，提高NiO半导体材料的气敏性能一般是调控材料的形貌、尺寸结构，如Lin等比较了纳米线、纳米棒、纳米片和纳米球四种纳米结构对提高乙醇气体气敏性能的影响（Mater.Res.Bull.48(2013)449-45本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n‑p异质型多孔球状气敏材料，其特征在于，所述的气敏材料为SnO2/NiO复合材料，其结构为p型多孔球状NiO负载n型纳米SnO2的复合结构。

【技术特征摘要】
1.一种n-p异质型多孔球状气敏材料，其特征在于，所述的气敏材料为SnO2/NiO复合材料，其结构为p型多孔球状NiO负载n型纳米SnO2的复合结构。2.根据权利要求1所述的一种n-p异质型多孔球状气敏材料，其特征在于该材料的制备步骤为：一、将一定量Ni(NO3)2•6H2O放入鼓泡搅拌釜中，加入环己烷、水、正己醇及十二烷基硫酸钠，在5~20℃水浴下搅拌充分溶...

【专利技术属性】
技术研发人员：金恺乐，徐靖才，王新庆，洪波，彭晓领，王攀峰，金红晓，金顶峰，葛洪良，
申请(专利权)人：徐靖才，
类型：发明
国别省市：浙江,33