一种三孔缝结构的传感器制造技术

技术编号:19883617 阅读:42 留言:0更新日期:2018-12-22 20:30
本发明专利技术提出了一种三孔缝结构的传感器,利用此结构的三个偶极子谐振单元的明模式谐振与暗模式谐振的互作用,产生具有陡的非对称的响应谱线型,从而设计出具有法诺共振现象透射谱的三孔缝结构的传感器。在相同的开关对比度情况下,非对称响应谱线线型所需的波长偏移或者间隔比由单一的谐振腔得到的对称的类洛仑兹线型的谱宽小,可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。通过调控结构的几何参数,透射谱中出现了法诺峰的不同程度的红移,可实现法诺谐振的调谐,由缩比定理等比例地改变结构参数的尺度能实现传感器中谐振频率频段的变化,即工作频段不限于THz频段,本传感器可用于波分复用器、光开关、生物传感器等领域。

【技术实现步骤摘要】
一种三孔缝结构的传感器
本专利技术涉及传感器领域,具体涉及一种三孔缝结构的传感器。
技术介绍
法诺共振是共振现象的一种,其具有非对称的谱线形状,能显著提高器件的传感性能,近年来,人工电磁超材料在国际电磁学领域引起了广泛关注,其中,基于人工电磁超材料的法诺共振,更是成为此领域中一个新的热点。法诺共振是超材料中的重要谐振特性,它是由宽谱的明模式以及窄谱的暗模式相互干涉形成的,而暗模式也称亚辐射模式,是由入射电磁波的频率不等于偶极子谐振的固有频率,从而激励电磁波无法与偶极子直接耦合所引起的;明模式也称超辐射模式,是指内中的三个偶极子的同相振荡模式,其辐射损耗极高,这是由入射电磁波的频率恰好等于偶极子谐振的固有频率从而激励电磁波与偶极子直接耦合所引起的。为了解决目前三孔缝结构的传感器性能中谱宽过大的技术问题。基于法诺共振现象,本专利技术将提供一种三孔缝结构的传感器,可以产生法诺共振现象,可增加波分复用器的波长分辨率以及生物传感器的灵敏度。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是现有技术中存在的三孔缝结构的传感器性能差、谱宽所需大的技术问题。提供一种新的三孔缝结构的传感器,该三孔缝结构的传感本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种三孔缝结构的传感器,其特征在于:三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长的超表面;所述超表面的形状为规则几何形状,超表面内平行等间距对称的设置有三个矩型孔缝;所述超表面的材质为金属。

【技术特征摘要】
1.一种三孔缝结构的传感器,其特征在于:三孔缝结构的传感器包括厚度小于工作波长的超表面;所述超表面的形状为规则几何形状,超表面内平行等间距对称的设置有三个矩型孔缝;所述超表面的材质为金属。2.根据权利要求1所述的三孔缝结构的传感器,其特征在于:所述规则几何形状为正方形,所述三个矩型孔缝的长度相同。3.根据权利要求2所述的三孔缝结构的传感器,其特征在于:所述矩形孔缝的长度为20μm...

【专利技术属性】
技术研发人员:李琦刘飞傅涛李海鸥张法碧陈永和肖功利孙堂友
申请(专利权)人:桂林电子科技大学
类型:发明
国别省市:广西,45

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1